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| 參考價(jià) | ￥10000-￥100000 | /臺(tái) |
參考價(jià)：￥10000 ~ ￥100000
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| 供貨周期 | 兩周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,電子 |
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產(chǎn)品介紹
BBO晶體非線性晶體倍頻晶體(?-BaB2O4，?-硼酸鋇）是一種優(yōu)異的光學(xué)非線性晶體。它具有寬相位匹配范圍、高非線性（約為KDP的6倍）、高光損傷閾值、良好的機(jī)械和溫度穩(wěn)定性等特性。這種三角形單軸晶體具有0.19至3.3μm的寬透明度。其有用的透射范圍（<5％/ cm）為0.21至2.1μm，并且已經(jīng)證明其對(duì)于產(chǎn)生低至約0.21μm的二次諧波輻射有效。它對(duì)于寬可調(diào)光學(xué)參量振蕩器（OPO）和放大器（OPA）也很有用。自相關(guān)應(yīng)用可以低至0.19um。其出色的紅外透射和寬熱接收帶寬可實(shí)現(xiàn)高平均功率OPO/OPA操作。
BBO晶體相對(duì)較窄的角度接收帶寬（特別是在UV中）可能限制其在涉及激光的某些應(yīng)用中的有用性，所述激光具有小于衍射極限的光束質(zhì)量。在大多數(shù)情況下，其溫和的吸濕性不限制其有用性。
BBO非線性晶體(?-BaB2O4)廣泛的相位匹配性使其成為Nd：YAG和其他Q開(kāi)關(guān)/鎖模固態(tài)激光器的通用應(yīng)用的理想選擇。當(dāng)使用可調(diào)諧的Ti：藍(lán)寶石，Alexandrite紫翠玉石或染料激光器時(shí)，BBO可用于產(chǎn)生從近紅外到紫外線的可調(diào)輻射。這種高功率、廣泛可調(diào)的激光輻射有許多應(yīng)用，包括光譜學(xué)、醫(yī)學(xué)、材料處理、非線性光學(xué)、激光雷達(dá)、遙感和光化學(xué)。在商業(yè)市場(chǎng)中，基于BBO的固態(tài)非線性系統(tǒng)可以與染料激光器競(jìng)爭(zhēng)，并且具有降低操作成本和在大頻率范圍內(nèi)更方便調(diào)諧的優(yōu)點(diǎn)。
典型應(yīng)用：
• Nd：YAG激光器的諧波產(chǎn)生（SHG、THG、4HG，5HG）
• Ti: Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光器、飛秒振蕩器、飛秒放大器的SHG、THG產(chǎn)生
• OPO的可調(diào)固態(tài)激光器（泵浦355,532或1064 nm）
• 染料激光器光源SHG、SFG的UV輸出
• 用于超短脈沖（ps和fs）激光器的自相關(guān)測(cè)試
主要規(guī)格：
可根據(jù)客戶(hù)要求提供不同規(guī)格:
800nm鈦藍(lán)寶石飛秒激光器SHG/THG BBO倍頻晶體：
PN BBO-TX/XHG08- LW -TX | 尺寸，mm | 厚度，mm | Θ，deg | Φ，deg | 鍍膜 |
BBO-T1SHG08-6 | 6×6 | 0.05/0.1/0.2/0.5/1.0/2.0 | 29.2 | 90 | P/P@400-800 nm |
BBO-T1SHG08-8 | 8×8 | 0.05/0.1/0.2/0.5/1.0/2.0 | 29.2 | 90 | P/P@400-800 nm |
BBO-T1SHG08-10 | 10×10 | 0.05/0.1/0.2/0.5/1.0/2.0 | 29.2 | 90 | P/P@400-800 nm |
BBO-T1SHG08-12 | 12×12 | 0.1/0.2/0.5/1.0/2.0 | 29.2 | 90 | P/P@400-800 nm |
BBO-T1SHG08-15 | 15×15 | 0.1/0.2/0.5/1.0/2.0 | 29.2 | 90 | P/P@400-800 nm |
BBO-T1SHG08-20 | 20×20 | 0.1/0.2/0.5/1.0/2.0 | 29.2 | 90 | P/P@400-800 nm |
BBO-T1SHG08-22 | 22×22 | 0.1/0.2/0.5/1.0/2.0 | 29.2 | 90 | P/P@400-800 nm |
BBO-T1THG08-6 | 6×6 | 0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1 | 44.3 | 90 | P/P @ 400-800/266 |
BBO-T1THG08-8 | 8×8 | 0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1 | 44.3 | 90 | P/P @ 400-800/266 |
BBO-T1THG08-10 | 10×10 | 0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1 | 44.3 | 90 | P/P @ 400-800/266 |
BBO-T1THG08-12 | 12×12 | 0.1/0.2/0.5/1 | 44.3 | 90 | P/P @ 400-800/266 |
BBO-T1THG08-15 | 15×15 | 0.1/0.2/0.5/1 | 44.3 | 90 | P/P @ 400-800/266 |
BBO-T1THG08-20 | 20×20 | 0.1/0.2/0.5/1 | 44.3 | 90 | P/P @ 400-800/266 |
BBO-T1THG08-22 | 22×22 | 0.1/0.2/0.5/1 | 44.3 | 90 | P/P @ 400-800/266 |
Type 1, SHG @ 800 nm,Θ=29.2°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）：10fs-0.05；20fs-0.1；50fs-0.2；100fs-0.5；200fs-1 | |||||
Type 1, THG @ 800 nm, Θ=44,3°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）: 10fs-0.01；20fs-0.02；50fs-0.05；100fs-0.1；200fs-0.2 | |||||
1030nm飛秒激光器SHG/THG/FHG BBO倍頻晶體：
PN BBO-TX/XHG10-LW-TX | 尺寸，mm | 厚度，mm | Θ，deg | Φ，deg | 鍍膜 |
BBO-T1SHG10-6-TX | 6×6 | 0.5/1.0/1.5/2.0 | 23.4 | 90 | AR/AR @ 515+1030 nm |
BBO-T1SHG10-8-TX | 8×8 | 0.5/1.0/1.5/2.0 | 23.4 | 90 | AR/AR @ 515+1030 nm |
BBO-T1SHG10-10-TX | 10×10 | 0.5/1.0/1.5/2.0 | 23.4 | 90 | AR/AR @ 515+1030 nm |
BBO-T1THG10-6-TX | 6×6 | 0.15/0.25/0.4/0.55 | 32.5 | 90 | AR/AR @ 1030+515/343 nm |
BBO-T1FHG10-6-TX | 6×6 | 0.1/0.15/0.2/0.3 | 50 | 90 | P/P @ 515/257 nm |
Type1, SHG @ 1030 nm,Θ=23.4°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）：50fs-0.5；100fs-1；150fs-1.5；200fs-02 | |||||
Type1, THG @ 1030nm, Θ=32.5°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）: 50fs-0.15；100fs-0.25；150fs-0.4；200fs-0.55 | |||||
Type1, FHG @ 1030nm, Θ=50°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）: 50fs-0.1；100fs-0.15；150fs-0.2；200fs-0.3 | |||||
BBO晶體非線性晶體倍頻晶體(?-BaB2O4)特性：
類(lèi)型 | BaB2O4 | |
晶體結(jié)構(gòu) | 三角, 3m | |
光學(xué)對(duì)稱(chēng) | 負(fù)單軸(no>ne) | |
晶架群 | R3c | |
密度 | 3.85 g/cm3 | |
莫氏硬度 | 5 | |
光學(xué)均勻性 | ?n = 10-6 cm-1 | |
“0"水平透射區(qū)域 | 189 – 3500 nm | |
1064 nm處線性吸收系數(shù) | < 0.1% cm-1 | |
折射率 | no | ne |
1064 nm | 1.6551 | 1.5426 |
532 nm | 1.6750 | 1.5555 |
355 nm | 1.7055 | 1.5775 |
266 nm | 1.7571 | 1.6139 |
213 nm | 1.8465 | 1.6742 |
Sellmeier方程(λ, µm) | no2 = 2.7366122+0.0185720 / (λ2-0.0178746)- 0.0143756 λ2 ne2 = 2.3698703+0.0128445 / (λ2-0.0153064)- 0.0029129 λ2 | |
相位匹配范圍 Type 1 SHG | 410 – 3300 nm | |
相位匹配范圍Type 2 SHG | 530 – 3300 nm | |
離走角 | 55.9 mrad (Type 1 SHG 1064 nm) | |
非線性系數(shù) | d22 = ± 2.2 pm/V; d15 = d31 = ± 0.08 pm/V | |
損傷閾值（TEM00） | > 0.5 GW/cm2 at 1064 nm, 10 ns ~ 50 GW/cm2 at 1064 nm, 1 ps > 200 GW/cm2 at 800 nm, 100 fs, 50 Hz | |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
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