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貨物所在地:上海上海市
所在地: 英國
更新時間:2024-10-16 21:00:07
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產(chǎn)品簡介
效率高的太赫茲輻射源對一系列太赫茲科學技術(shù)的應用有著非常重要的影響,一個重要的方面就是寬的帶寬,以及高的電場強度。這通常依賴于大激發(fā)面積的輻射源,傳統(tǒng)的概念上輻射源需要高的偏置電壓(高至幾百V)激發(fā)才能達到KV/cm的THz電場強度。上海屹持光電推出的大激發(fā)面積太赫茲發(fā)射器是一款大激發(fā)面的且只需要很低偏置電壓的高效率光電導天線。
產(chǎn)品特點
√ 大的激發(fā)面積
√ 低的外部偏置電壓
√ 不需要外部冷卻裝置
√ 超級集成化的封裝設(shè)計
技術(shù)規(guī)格
上海屹持光電推出的Tera-SED是一款基于LT-GaAs的高效率太赫茲光電導天線。我們提供兩個不同版本的大激發(fā)面積光電導天線:10mm*10mm激發(fā)面積的天線適合于放大級飛秒激光器系統(tǒng)(單脈沖能量可以高至300uJ);3mm*3mm版本的光電導天線適合于震蕩級飛秒激光器。
左圖為Tera-SED受激發(fā)輻射THz的原理示意圖,右圖是實驗測試頻譜數(shù)據(jù)(0.7nJ pump功率,GaP晶體探測的結(jié)果)
頻譜峰值 | 1THz-1.5THz |
頻譜寬度(@-10dB) | ~2.5THz |
最大光學激發(fā)功率密度 | 8W/mm2 |
最大激發(fā)功率 | 650mW |
激發(fā)波長 | 700-850nm |
尺寸 | 1英寸外徑 |
太赫茲脈沖強度 | 最高可至5KV/cm |
偏置電壓 | 10-30V |
偏置電壓調(diào)制頻率 | DC-100KHz |
占空比 | 5%-100% |
輻射太赫茲的能力
偏置電壓Vbias | 占空比 | THz電場強度 | |
Tera-SED3 | up to 10V | CW | 100V/cm (@10V) |
10-20V | 50% | 200V/cm (@20V) | |
30V | 10% | 300V/cm | |
Tera-SED10 | up to 5V | CW | 1000V/cm(@5V) |
5-20V | 50% | 2000V/cm(@20V) | |
25V | 5% | 5000V/cm |