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非線性光學晶體 硒銦鋰晶體
  • 非線性光學晶體 硒銦鋰晶體
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貨物所在地:上海上海市

更新時間:2024-10-16 21:00:07

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非線性光學晶體 硒銦鋰晶體是高質(zhì)量進口紅外激光晶體, 經(jīng)過在國外生長,嚴格切割拋光加工和國外高質(zhì)量的鍍膜,并進行嚴格的質(zhì)量控制后進口到國內(nèi),質(zhì)量非??煽俊?

LISe非線性光學晶體 硒銦鋰晶體

LISe晶體,LilnSe2晶體,硒銦鋰晶體是高質(zhì)量進口紅外激光晶體,  經(jīng)過在國外生長,嚴格切割拋光加工和國外高質(zhì)量的鍍膜,并進行嚴格的質(zhì)量控制后進口到國內(nèi),質(zhì)量非??煽?/span>。



非線性光學晶體 硒銦鋰晶體主要特性

型號

LISe

透光范圍, µm

0.43-13.2

非線性系數(shù), pm/V


d31=11.78, d24=8.17 @2.3  µm

對稱度

Orthorombic, mm2 point  group

晶胞參數(shù), ?

a=7.192, b=8.412,  c=6.793   

標準反射率

10.0 µm   nx=2.2015, ny=2.2522, nz=2.2566 
5.0 µm      nx=2.2370, ny=2.2772, nz=2.2818

SHG的基頻(μm

x-y, Type II,  eoe

2.73 – 8.24

x-z, Type I,  ooe

2.08 – 12.4

y-z, Type II,  oeo

2.73 – 3.07

y-z Type II,  oeo

7.66 – 8.24

Total interval  covered

2.08 – 12.4  

光學損傷閾值, GW/cm2

1064 nm
(t=10 ns)

               ~40   

導熱系數(shù) k, WM/M°C

kx=4.73 ± 0.3; ky=4.67 ±  0.3; kz=5.45 ± 0.3  

0.2透光水平下遠紅外的吸收邊緣

1.24 THz at 240  µm

帶隙,eV

2.86

室溫下的帶隙能量,eV

Eg =  2.73  



光學元件的參數(shù)

定位精度,arc min

< 30

平行度,arc sec

< 30

平坦度

λ/4@546nm

表面質(zhì)量,  scratch/dig

30/20  


應用

1.使用泵浦鈦藍寶石激光器,進行光學參量振蕩(OPO)可獲得1-13 µm中紅外激光輸出。
2.中紅外范圍(2-13 µm)內(nèi)不同頻率產(chǎn)生。
3.對于所有的晶體,我們都能為客戶的特殊應用提供合適的防反射/保護涂層,并提供反射率曲線。


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