PbS硫化鉛包覆鈣鈦礦CsPbI3量子點應用于電致發(fā)光LED齊岳

一種基于硫化鉛包覆鈣鈦礦量子點的電致發(fā)光LED，其特征在于:采用PbS包覆鈣鈦礦量子點其光電性能和穩(wěn)定性，并以此量子點材料作為發(fā)光層制備鈣鈦礦量子點電致發(fā)光LED；所述PbS包覆的鈣鈦礦量子點LED的結構包括:ITO玻璃作為底部電極；n型Zn0/聚乙烯亞胺作為電子傳輸層和空穴阻擋層；PbS包覆的鈣鈦礦量子點作為發(fā)光層；p型4，4'，4"-三(咔唑-9-基)苯胺薄膜作為空穴傳輸層和電子阻擋層；MoO3/Au作為頂部電極。

一。種基于硫化鉛包覆鈣鈦礦量子點電致發(fā)光LED的制備方法，

一步、制備PbS包覆的CsPbI3量子點；

二步、先后用肥皂、去離子水、乙醇、氯仿、丙酮、異丙醇仔細清洗ITO導電玻璃并進。行紫外臭氧處理，ITO作為底部電極:

三步、以每分鐘1000轉的轉速，將Zn0量子點溶液旋涂在ITO玻璃上，旋涂時間是1分鐘，然后在空氣中以150C的溫度退火10分鐘；再將上述薄膜轉移到Nz手套箱中，在110°C的溫度下，以每分鐘3000轉的轉速將溶解在2-甲氧基乙醇溶液中的PEI旋涂在Zn0薄膜。上，時間是10分鐘，Zn0/PEI層作為電子傳輸層和空穴阻擋層；

四步、以每分鐘1000轉的速度，將制備好的PbS包覆CsPbI3量子點旋涂在Zn0/PEI層上，旋涂時間是1分鐘，作為發(fā)光層；

五步、將上一步獲得的結構轉移到真空度為1X10~'torr的真空腔內(nèi)，依次通過熱蒸

發(fā)沉積TCTA、Mo03和Au薄膜層，其中TCTA層作為空穴傳輸層和電子阻擋層，Mo03/Au層作為頂

部電極；由此獲得PbS包覆鈣鈦礦量子點電致發(fā)光LED。

圖1中基于PbS包覆鈣鈦礦量子點的電致發(fā)光LED的結構圖；

量子點定制產(chǎn)品目錄：

氮化碳量子點(CNQDs)改性TiO光子晶體催化劑

氮化碳量子點改性反蛋白石g-C3N4催化劑

氮化碳量子點改性多級孔TiO2-SiO2復合材料

聚4-乙烯基吡啶改性碲化鎘量子點

三苯甲基改性油溶性碳量子點

蒽醌改性石墨烯量子點AAG

二氧化硅改性鉍鹵鈣鈦礦量子點

碳量子點碳納米纖維改性納米鉬酸鉍復合材料

錫粉改性氮摻雜石墨烯量子點

無機鈣鈦礦CsPbBr3量子點改性CsPb2Br5納米片

殼聚糖希夫堿改性石墨烯量子點

半改性石墨烯量子點

噻吩聚合物改性CdSe量子點

二氧化硅改性鉍基鈣鈦礦量子點

氨改性碳量子點

氨基喹啉改性氮參雜石墨烯量子點

鈷摻雜氧化鋅量子點

碳量子點(CQDs)修飾硅酸鉍(Bi2SiO5)納米片

量子點負載性關鍵詞

CdSe量子點負載石墨烯

石墨烯量子點負載銀納米粒子

碳量子點負載TiO2納米棒陣列

氮化碳量子點負載多級孔反蛋白石結構CuO-SiO

黑磷量子點負載鎳

碳化鈦量子點負載碳缺陷反蛋白石氮化碳

碳量子點負載阿霉素

石墨烯量子點(GQDs)人血清白蛋白(HSA)

石墨烯量子點(GQDs)負載姜黃素(Cur)

二硫化鉬量子點負載四苯基鋯卟啉納米片

硫化錫量子點負載碳化鈦復合納米材料

碳量子點負載鈷釕合金復合材料

MoS量子點負載納米TiO

碳量子點負載中空多孔氮化碳球復合材料

碳量子點負載二氧化鈦納米復合材料(CQDs/TiO)

碳量子點負載花狀CdS

石墨烯量子點負載AgTiO

gCN量子點負載鎢酸鉍納米片復合材料（CNQDs/BWO）

碳量子點負載硫氰酸亞銅光電薄膜（CQDs/CuSCN）

硒化鎘量子點負載石墨烯基復合材料（CdSe QDs）

鈦酸鋅量子點負載二氧化鈦納米帶

石墨烯量子點負載細銀粉

Pt量子點負載WS2納米片復合材料

二氧化鈦接枝碳量子點負載螺吡喃光致雙重變色材料

石墨烯量子點負載釩酸鉍納米復合材料

硫化鎢(WS_2)量子點負載氯氧鉍(BiOCl)納米片

二氧化鈦量子點負載磺化石墨烯氣凝膠

MoS2量子點負載納米TiO2

石墨烯負載Cu/VN量子點異質結材料

石墨烯負載二氧化錫量子點

氮化碳納米片負載釩酸銦量子點復合材料

二氧化硅納米球負載氧化鉬量子點催化劑

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.03.18

以上文中提到的產(chǎn)品用于科研，不能用于人體。