In2GaBi2S6、CuBi3PbS6、SnPSe3、SiTe2晶體
西安齊岳生物科技有限公司提供A-Z系列或者國產(chǎn)的薄膜、單晶、多晶體薄膜，尺寸可定制；基底的薄膜；高；有關(guān)資料歡迎咨詢。同時提供二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長的薄膜、晶體、異質(zhì)結(jié)、薄膜（藍(lán)寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底等基底）等材料。供應(yīng)CVD TMDC晶體：AgTaS3晶體、Ag3Sb晶體、Ag2Te晶體、Bi4Pb7Se13晶體、Cu2Se3晶體、AgInP2S6晶體、AgInP2Se6晶體、Cr2S3晶體、CrTe2晶體、CuBi3PbS6晶體、CuInP2Se6晶體、CuInS2晶體、GaGeTe晶體、GaPS4晶體、GeBi2Te4晶體、GeBi4Te7晶體、GeSb4Te7晶體、GeTe晶體、HfS3晶體、HgPSe3晶體、In2GaBi2S6晶體、In2P3S9晶體、In2Te5晶體、In3SbTe2晶體、InSb晶體、InSiTe3晶體、MnBiSe 晶體、MnSbTe 晶體、Nb3GeTe6晶體、NbTe4晶體、NiCoSe2晶體、NiTe2晶體、NiTe晶體、Pb2Bi2Se5晶體、Pb2Bi2Te5晶體、PbBi4Te7晶體、PbBi6Te10晶體、PbSb2Te4晶體、PbSe晶體、PbS晶體、Sb2Te2Se晶體、Sb2TeSe2晶體、Sb2Te晶體、Sb16Te3晶體、SiTe2晶體、SnBi2Te4晶體、SnBi4Te7晶體、SnPS3晶體、SnPSe3晶體、TaCo2Te2晶體、TaNi2Te2晶體、TaNi2Te3晶體、V2NiSe4晶體、Zr5Te4晶體
In2GaBi2S6、CuBi3PbS6、SnPSe3、SiTe2晶體產(chǎn)品描述：
CuBi3PbS6晶體
材料名稱 Name |
CuBi3PbS6 |
性質(zhì)分類 Electrical properties | 拓?fù)潴w Topological Insulators |
禁帶寬度 Bangap | 0.622 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation | 中 Medium |
相關(guān)產(chǎn)品：
| AIN薄膜 | 200nm ±10%, 單面鍍膜 |
| Al2O3+ZnO薄膜 | 注：可以按照客戶要求加工 |
| Al2O3+Si薄膜（SOS） | 10x10x0.5mm |
| AL2O3+GaN薄膜（P型;N型摻Si;N型不摻雜） | |
| BiFeO3薄膜 | 注：可以按照客戶要求加工 |
| Ba1-xSrxTiO3介電薄膜 | 10x10 x 0.5 mm |
| CeO2薄膜 | 40 nm +/- 10 nm |
| 金剛石薄膜DOI | 定制 |
| 金剛石薄膜DOS | |
| Ga2O3-ß薄膜 | |
| GGG+YIG薄膜 | 10x10x0.5mm |
| 塑料上ITO膜;PEN塑料上鍍ITO膜 | |
| InP上鍍InP/InGaAs/InP薄膜 | |
| 聚酰亞胺膜(HN Kapton);鍍特氟龍聚酰亞胺膜 | |
| 康寧7980上鍍Si3N4 | 10x10x0.5mm |
| LaNiO3薄膜 | 10x10x0.5mm |
| La1-xSrxMnO3薄膜 | |
| La2Zr2O7外延薄膜 | 20-150nm；注：尺寸可以按照客戶要求加工 |
以上資料源于西安齊岳生物科技有限公司
西安齊岳生物科技有限公司
Xi'an qiyue Biological Technology Co;Ltd
溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）
化工儀器網(wǎng)