TSC（TSDC）-5000熱刺激電流測(cè)試儀 參考價(jià)：9999
熱刺激理論是在介質(zhì)物理的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，研究這一理論的方法即熱刺激法比較簡(jiǎn)單實(shí)用而且又能較準(zhǔn)確地測(cè)量出某些物質(zhì)（如電介質(zhì)、絕緣材料、半導(dǎo)體、駐極體等）的微觀參...
GWJDN-1000B高溫介電溫譜分析儀 參考價(jià)：9999
產(chǎn)品簡(jiǎn)介GWJDN-1000B高溫介電溫譜分析儀采用當(dāng)前的自動(dòng)平衡電橋原理研制成功的新一高溫介電溫譜分析儀，產(chǎn)品全新的電子器件。.了傳統(tǒng)國(guó)產(chǎn)儀器復(fù)雜繁瑣的操作界...
HET-1T多功能高精度二維材料顯微轉(zhuǎn)移系統(tǒng) 參考價(jià)：9999
HET-1T多功能高精度二維材料顯微轉(zhuǎn)移系統(tǒng)關(guān)鍵詞：二維材料，干法，濕法，范德華 適用于石墨烯，硫化鉬，黑磷等單層材料精確定點(diǎn)轉(zhuǎn)移，以及多層范德華異質(zhì)結(jié)的制備。...
HET-1型多功能二維材料轉(zhuǎn)移平臺(tái) 參考價(jià)：9999
產(chǎn)品介紹HET-1型二維轉(zhuǎn)移平臺(tái)適用于石墨烯、各類過(guò)渡金屬化合物、黑磷等多種單層及其多層二維材料的精確定位轉(zhuǎn)移及范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)的準(zhǔn)確制備，實(shí)現(xiàn)了低維材料轉(zhuǎn)移的...
TDTF-3000 Analyzer 型擴(kuò)展型鐵電分析儀 參考價(jià)：9999
TDT-3000 Analyzer型擴(kuò)展型鐵電分析儀 是一款的高速型模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM...
TF ANALYZER 1000型鐵電測(cè)試儀 參考價(jià)：9999
TF ANALYZER 1000是一款緊湊型鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電材料所有基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，適用...
鐵電壓電分析儀 TF Analyzer 2000E 參考價(jià)：9999
TF ANALYZER 2000E是一款擴(kuò)展性的模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位...
靜壓電D33電壓電流測(cè)試儀 參考價(jià)：9999
ZJ-4型靜壓電D33電壓電流測(cè)試儀是一款在原來(lái)的設(shè)備基礎(chǔ)上，額外增加了電壓和電流采集系統(tǒng)的功能，該功能主要是針對(duì)壓電PVDF薄膜，在不同的運(yùn)動(dòng)和力的變化條件下...
JKZC-YDZK03B型壓電介電阻抗分析儀 參考價(jià)：9999
JKZC-YDZK03B型壓電介電阻抗分析儀是一款可以跟PC鏈接測(cè)試功能的壓電介電阻抗分析儀，內(nèi)置±12 V，±24V直流電壓，可以量測(cè)壓電...
TFVT-1000型薄膜變溫電阻測(cè)試儀 參考價(jià)：9999
TFVT-1000型薄膜變溫電阻測(cè)試儀一款兼具薄膜和塊體（可擴(kuò)展）的測(cè)試各種薄膜材料在高溫、真空、氣氛條件下的電阻和電阻率，可以用來(lái)分析樣品的電阻率隨溫度變化曲...
材料制樣科研級(jí)JKZC-SRY30全自動(dòng)實(shí)驗(yàn)熱壓機(jī) 參考價(jià)：9999
JKZC-SRY30全自動(dòng)實(shí)驗(yàn)熱壓機(jī)是一款是聚合物以及陶瓷樣品的制備重要實(shí)驗(yàn)設(shè)備，機(jī)器裝有可編程液晶顯示器，可設(shè)定壓力、溫度、時(shí)間和排氣次數(shù)及秒數(shù)，人機(jī)界面作業(yè)...
*材料測(cè)試美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2450源表 參考價(jià)：9999
非常適合當(dāng)今多種現(xiàn)代化電子器件的電流/電壓特性分析和功能測(cè)試，包括：納米材料與器件–石墨烯–碳納米管–納米線–低功耗納米結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)–晶圓–薄膜有機(jī)材料與器件...
SHC-1500型全自動(dòng)材料高溫比熱容測(cè)試儀 參考價(jià)：9999
比熱是常規(guī)能源和流體工質(zhì)應(yīng)用中的重要參數(shù)。在保溫、供熱、貯熱管道設(shè)計(jì)、工質(zhì)材料設(shè)計(jì)、貯能材料的研究及開(kāi)發(fā)中，均需準(zhǔn)確可靠的比熱數(shù)據(jù)。 SHC-1500型全自動(dòng)材...
諧振腔法高溫介電溫譜測(cè)試儀 參考價(jià)：9999
諧振腔法是一種重要的材料測(cè)量方法，具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著科技的不斷發(fā)展，諧振腔法將會(huì)在材料科學(xué)、電子工程、通信技術(shù)等領(lǐng)域發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。XZQ-5000...
ZBDR-10A界面材料熱阻及熱傳導(dǎo)系數(shù)測(cè)量?jī)x 參考價(jià)：9999
隨著電池、電子封裝等相關(guān)設(shè)備的普及，功率的增加，廢熱管理，如何降低熱損變得越來(lái)越重要。如何管理好這些復(fù)雜的熱系統(tǒng)并不容易，需要對(duì)界面材料有根本的認(rèn)識(shí)。ZBDR-...
ZJ-4BN型壓電薄膜d31測(cè)量?jī)x 參考價(jià)：9999
ZJ-4BN型壓電壓電薄膜D31測(cè)試儀（靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x）是為測(cè)量壓電材料的d33,D15塊體，D15圓管，D31薄膜系數(shù)常數(shù)而設(shè)計(jì)的專用儀器，它可用來(lái)測(cè)...
三兼容多用途自校準(zhǔn)高溫介電溫譜儀 參考價(jià)：9999
GWJDN-300高溫介電溫譜儀是一款專門用于評(píng)估電介質(zhì)材料高溫介電機(jī)制（材料極化、儲(chǔ)能、馳豫、相變、微結(jié)構(gòu)變化、分子團(tuán)重新取向等）的重要測(cè)量系統(tǒng)，該系統(tǒng)通過(guò)測(cè)...
鐵電材料特性測(cè)試系統(tǒng)（電壓，電流多功能） 參考價(jià)：9999
本測(cè)試系統(tǒng)用于鐵電體的鐵電性能測(cè)量，可用于鐵電體的科學(xué)研究及近代物理實(shí)驗(yàn)中的固體物理實(shí)驗(yàn)以及工業(yè)化生產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器的鐵電性能檢測(cè)中，本測(cè)試系統(tǒng)主要由信號(hào)源、高壓電...
材料高低溫電阻率測(cè)試儀（-160℃-600℃） 參考價(jià)：9999
HTIM-3高低溫材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試，該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電...
JKFD-6514FENG 摩擦納米發(fā)電機(jī)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：9999
納米發(fā)電機(jī),是基于規(guī)則的氧化鋅納米線的納米發(fā)電機(jī),是在納米范圍內(nèi)將機(jī)械能轉(zhuǎn)化成電能,而摩擦發(fā)電納米發(fā)電機(jī)基于摩擦起電和靜電感應(yīng)的耦合將機(jī)械能轉(zhuǎn)換成電能,兩者均是...
壓電材料,摩擦納米發(fā)電機(jī)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：9999
PDMS-100型壓電材料摩擦納米發(fā)電機(jī)測(cè)試系統(tǒng)利用摩擦起電效應(yīng)和靜電感應(yīng)效應(yīng)的耦合把微小的機(jī)械能轉(zhuǎn)換為電能。這是一種性的技術(shù)并具有的輸出性能和優(yōu)點(diǎn)。它既用不著...
DAD-4型交流法導(dǎo)電材料電阻率測(cè)試儀 參考價(jià)：9999
DAD-4型交流法導(dǎo)電材料電阻率測(cè)試儀是一種區(qū)別于直流法測(cè)試材料電阻率的新的測(cè)試方法，主要是針對(duì)于離子導(dǎo)電物質(zhì)（如電解質(zhì)溶液、導(dǎo)電凝膠）和導(dǎo)電粉體懸濁液（如碳粉...
GDPT-900A型高低溫壓電材料測(cè)試儀 參考價(jià)：9999
GDPT-900A型高低溫壓電材料測(cè)試儀+ZJ-4型D33測(cè)試儀（靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x）是為測(cè)量壓電材料的d33常數(shù)而設(shè)計(jì)的專用儀器，可以測(cè)量任意形狀的壓電陶...
蝴蝶曲線JKTD-1000型鐵電材料特性測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：9999
模式測(cè)量電路，與傳統(tǒng)的 Sawyer-Tawer-模式相比，此電路取消了外接電容，可減小寄生元件的影響。此電路的測(cè)試精度取決于積分器積分電容的精度，減少了對(duì)測(cè)試...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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