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aixPES-DR鐵電自放電測(cè)試儀
  • aixPES-DR鐵電自放電測(cè)試儀
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貨物所在地:北京北京市

地: 北京

更新時(shí)間:2024-12-20 20:00:47

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本設(shè)備主要用來(lái)研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況,因此通過(guò)這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

技術(shù)說(shuō)明:

鐵電自放電測(cè)試儀 aixPES-DR
(aixPES Self-Discharge Measurement )

QQ截圖20220209153135.png

本設(shè)備主要用來(lái)研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況,因此通過(guò)這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

技術(shù)說(shuō)明:

電壓脈沖發(fā)生器:

· 最大電壓放大: +/- 10 V;

· 最小脈沖長(zhǎng)度:50 ns

· 最大脈沖長(zhǎng)度:640 μs。

開(kāi)關(guān)性能:

· 激勵(lì)弛豫時(shí)間<2ns

· Ron< 50 ?;

· Roff >1013 ?

高阻抗電流計(jì):

· 輸入阻抗:1013 ?;

· 輸入電容:30 fF。

本設(shè)備主要用來(lái)研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況,因此通過(guò)這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

技術(shù)說(shuō)明:



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