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材料高低溫電阻率測(cè)試儀(-160℃-600℃)
  • 材料高低溫電阻率測(cè)試儀(-160℃-600℃)
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貨物所在地:北京北京市

更新時(shí)間:2025-03-17 08:43:21

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HTIM-3高低溫材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試,該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率,可以分析被測(cè)樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(zhǎng)條等測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試,可以廣泛用于半導(dǎo)體材料硅(si)、鍺(ge),化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb),三元化合物半導(dǎo)體GaAsA

HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀


高低溫測(cè)試平臺(tái)

6517B高阻測(cè)試儀


     

2450低阻表


HTIM-3高低溫材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試,該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率,可以分析被測(cè)樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(zhǎng)條等測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試,可以廣泛用于半導(dǎo)體材料硅(si)、鍺(ge,化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb),三元化合物半導(dǎo)體GaAsAl、GaAsP,固溶體半導(dǎo)體,如Ge-Si、GaAs-GaP等的塊體材料的電阻率測(cè)量等材料的電阻率測(cè)量。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:

半導(dǎo)體材料電阻測(cè)試

復(fù)合絕緣材料

陶瓷材料

云母

玻璃材料

導(dǎo)電功能薄膜材料

絕緣超材料

硅橡膠材料

PCB材料
一、主要技術(shù)參數(shù):
溫度范圍:-160-600
升溫斜率:0-10/min (典型值:3/min)
控溫精度:±0.5
電阻測(cè)量范圍:0.1mΩ~1MΩ
電阻率測(cè)量范圍:100nΩ..cm~100KΩ .cm
測(cè)量環(huán)境:惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測(cè)量方法:四線電阻法
測(cè)試通道:?jiǎn)瓮ǖ?/span>
樣品尺寸:10mmx10mmX20mm或φ<20mm ,d5mm
電極材料:紫銅鍍金
絕緣材料:99氧化鋁陶瓷
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式:TXT文本格式
數(shù)據(jù)傳輸:USB
符合標(biāo)準(zhǔn):ASTM
供電:220V±10%,50Hz
工作溫度:5℃ 至 + 40 ℃;
存儲(chǔ)溫度:–40 ℃ 至 +65
工作濕度:+40 ℃ 時(shí),相對(duì)濕度高達(dá) 95%(無(wú)冷凝)
設(shè)備尺寸:400x450x580mm
重量:38kg


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