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WZPK-133U/134U/135U/136U--自儀WZPK-133U/134U/135U/136U鎧裝薄膜電阻
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自儀WZPK-133U/134U/135U/136U鎧裝薄膜電阻概述

熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測(cè)量 -200℃~﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點(diǎn)是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值

自儀WZPK-133U/134U/135U/136U鎧裝薄膜電阻概述

熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化??捎糜跍y(cè)量 -200℃~﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點(diǎn)是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值

自儀WZPK-133U/134U/135U/136U鎧裝薄膜電阻【詳細(xì)說明】
測(cè)溫范圍、允差 名稱型號(hào)分度號(hào)測(cè)溫范圍等級(jí)允許偏差鉑電阻WZPPt100Pt10-200~±650℃A±(0.15 0.02t)B±0.30 0.005t銅電阻WZCCu50Cu100-50~ 150℃ ±(0.30 0.006t)2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響鉑電阻允許通過電流1mA,最大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。 4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差名稱等級(jí)αα鉑電阻A0.003851±0.000006B±0.000012銅電阻 0.004280±0.0000205.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。 薄膜鉑電阻元件
一、
概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用先進(jìn)的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成,*自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、
技術(shù)特點(diǎn)1.
薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。2.
鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。3.
薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。4.
引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。5.
規(guī)格:型號(hào)規(guī)格長(zhǎng)×寬×高阻值測(cè)量電流精度測(cè)量范圍熱響應(yīng)時(shí)間CRZ-16323.2×1.6×1.0PT100PT100≤1mAA-50~550℃≤0.3SCRZ-20055.0×2.0×1.1PT50≤2mAA-50~400℃CRZ-20055.0×2.0×1.0PT10≤0.5mAB-50~500℃6.
精度:等級(jí)α0℃時(shí)的電阻值(Ω)允許偏差(Ω)A0.003851100.00±0.150 0.002tB0.003851100.00±0.30 0.005t


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