低溫沖擊試驗(yàn)裝置 返回列表頁

低溫沖擊試驗(yàn)裝置設(shè)備概述：

本裝置符合GB/T2099.1-2021標(biāo)準(zhǔn)中第第24.5條款及30.5條款要求（圖27及圖42）、IEC60884-1：2013試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)要求；單組式適用于對插頭、插座、開關(guān)、等進(jìn)行低溫沖擊試驗(yàn)。

低溫沖擊試驗(yàn)裝置主要技術(shù)參數(shù)：

本低溫沖擊設(shè)備應(yīng)與低溫箱配套使用，設(shè)備應(yīng)放在約40mm厚的海綿橡皮墊上，試驗(yàn)前和試驗(yàn)期間均應(yīng)置于合適的低溫箱內(nèi)

跌落沖擊高度：10～250mm可調(diào)

低溫沖擊試樣類型、落錘質(zhì)量及跌落高度:

1)插座盒及類似電器外殼 GB/T2099.1-2021第24.5條款，滿足圖27規(guī)格要求，落錘質(zhì)量:1000±2g，跌落沖擊高度:100mm；

2）帶絕緣護(hù)套的插銷 GB/T2099.1-2021第30.5條款，滿足圖42規(guī)格要求落錘質(zhì)量:1000±1g，跌落沖擊高度:100mm。

符合GB/T2099.1-2021標(biāo)準(zhǔn)中第第24.5條款及30.5條款要求（圖27及圖42）、IEC60884-1：2013試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)要求

設(shè)備概述：

本裝置符合GB/T2099.1-2021標(biāo)準(zhǔn)中第第24.5條款及30.5條款要求（圖27及圖42）、IEC60884-1：2013試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)要求；單組式適用于對插頭、插座、開關(guān)、等進(jìn)行低溫沖擊試驗(yàn)。

主要技術(shù)參數(shù)：

本低溫沖擊設(shè)備應(yīng)與低溫箱配套使用，設(shè)備應(yīng)放在約40mm厚的海綿橡皮墊上，試驗(yàn)前和試驗(yàn)期間均應(yīng)置于合適的低溫箱內(nèi)

跌落沖擊高度：10～250mm可調(diào)

低溫沖擊試樣類型、落錘質(zhì)量及跌落高度:

1)插座盒及類似電器外殼 GB/T2099.1-2021第24.5條款，滿足圖27規(guī)格要求，落錘質(zhì)量:1000±2g，跌落沖擊高度:100mm；

2）帶絕緣護(hù)套的插銷 GB/T2099.1-2021第30.5條款，滿足圖42規(guī)格要求落錘質(zhì)量:1000±1g，跌落沖擊高度:100mm。

符合GB/T2099.1-2021標(biāo)準(zhǔn)中第第24.5條款及30.5條款要求（圖27及圖42）、IEC60884-1：2013試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)要求