美國仙童FAIRCHILD調(diào)節(jié)閥進口現(xiàn)貨*

仙童半導(dǎo)體創(chuàng)立于1957年，這段史實必須從兩條線索講起。1955年，成就了“本世紀zui偉大明”的“晶體管之父”的肖克利（W.Shockley）博士，離開貝爾實驗室返回故鄉(xiāng)圣克拉拉，創(chuàng)建“肖克利半導(dǎo)體實驗室”。這一喜訊，正中特曼教授為硅谷網(wǎng)羅天下英才之下懷： 有了肖克利這棵“梧桐樹” ，何愁引不到成群的“鳳凰”來？電子電腦界焦急地關(guān)注著肖克利的預(yù)*要*預(yù)*要*預(yù)*要*預(yù)*要*預(yù)*要*預(yù)先進要先進行蹤。 據(jù)說，300年前當牛頓宣布準備在他的故鄉(xiāng)建一所工廠時，*的物理學(xué)界也是如此心態(tài)。不久，因仰慕“晶體管之父”的大名，求職信像雪片般飛到肖克利辦公桌上。第二年，八位年輕的科學(xué)家從美國東部陸續(xù)到達硅谷，加盟肖克利實驗室。他們是：羅伯特·諾伊斯（N. Noyce）、戈登·摩爾（Gordon Moore）、布蘭克（J.Blank）、克萊爾（E.Kliner）、赫爾尼（J.Hoerni）、拉斯特（J.Last）、羅伯茨（S.Roberts）和格里尼（V.Grinich）。他們的年齡都在30歲以下，風華正茂，學(xué)有所成，處在創(chuàng)造能力的。他們之中，有獲得過雙博士學(xué)位者，有來自大公司的工程師，有較有名大學(xué)的研究員和教授，這是當年美國西部從未有過的英才大集合。

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29歲的諾依斯是八人之中的長者，是“投奔”肖克利zui堅定的一位。當他飛抵舊金山后所做的*件事，就是傾囊為自己購下一所住所，決定*性定居，根本就沒有考慮到工作環(huán)境、條件和待遇。其他七位青年，來硅谷的經(jīng)歷與諾依斯大抵相似?？上Вた死翘觳诺目茖W(xué)家，卻缺乏經(jīng)營能力；他雄心勃勃，但對管理一竅不通。特曼曾評論說：“肖克利在才華橫溢的年輕人眼里是非常有吸引力的人物，但他們又很難跟他共事。”一年之中，實驗室沒有研制出任何象樣的產(chǎn)品。八位青年瞞著肖克利開始計劃出走。在諾依斯帶領(lǐng)下，他們向肖克利遞交了辭職書。肖克利怒不可遏地罵他們是“八叛逆”（The Traitorous Eight）。青年人面面相覷，但還是義無反顧離開了他們的“伯樂”。不過，后來就連肖克利本人也改口把他們稱為“八個天才的叛逆”。在硅谷許多著作中，“八叛逆”的照片與惠普的車庫照片，具有同樣的歷史價值。“八叛逆”找到了一家地處美國紐約的攝影器材公司來支持他們創(chuàng)業(yè)，這家公司名稱為Fairchild，音譯“費爾柴爾德”，但通常意譯為“仙童”。仙童攝影器材公司的前身是謝爾曼·費爾柴爾德（S. Fairchild）1920年創(chuàng)辦的航空攝影公司。費爾柴爾德不僅是企業(yè)家，也是發(fā)明家。他的發(fā)明主要在航空領(lǐng)域，包括密封艙飛機、折疊機翼等等。由于產(chǎn)品非常，他在1936年將公司一分為二，其中，生產(chǎn)照相機和電子設(shè)備的就是仙童攝影器材公司。

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當“八叛逆”向他尋求合作的時候，已經(jīng)60多歲的費爾柴爾德僅僅提供了3600美元的種子基金， 要求他們開發(fā)和生產(chǎn)商業(yè)半導(dǎo)體器件， 并享有兩年的購買特權(quán)。于是，“八叛逆”創(chuàng)辦的企業(yè)被正式命名為仙童半導(dǎo)體公司，“仙童”自然是諾依斯。1957年10月，仙童半導(dǎo)體公司仍然在硅谷瞭望山查爾斯頓路租下一間小屋，距離肖克利實驗室和距離當初惠普公司的汽車庫差不多遠。“仙童”們商議要制造一種雙擴散基型晶體管，以便用硅來取代傳統(tǒng)的鍺材料，這是他們在肖克利實驗室尚未完成卻又不受肖克利重視的項目。 費爾柴爾德攝影器材公司答應(yīng)提供財力，總額為150萬美元。諾依斯給伙伴們分了工，由赫爾尼和摩爾負責研究新的擴散工藝，而他自己則與拉斯特一起專攻平面照相技術(shù)。1958年1月， IBM公司給了他們*張訂單，訂購100個硅晶體管，用于該公司電腦的存儲器。 到1958年底，“八叛逆”的小小公司已經(jīng)擁有50萬銷售額和100名員工，依靠技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢，一舉成為硅谷成長zui快的公司。仙童半導(dǎo)體公司在諾依斯精心運籌下，業(yè)務(wù)迅速地發(fā)展，同時，一整套制造晶體管的平面處理技術(shù)也日趨成熟。天才科學(xué)家赫爾尼是眾“仙童”中的*，他像變魔術(shù)一般把硅表面的氧化層擠壓到zui大限度。仙童公司制造晶體管的方法也與眾不同，他們首先把具有半導(dǎo)體性質(zhì)的雜質(zhì)擴散到高純度硅片上，然后在掩模上繪好晶體管結(jié)構(gòu)，用照相制版的方法縮小，將結(jié)構(gòu)顯影在硅片表面氧化層，再用光刻法去