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Nikalyte的PVD技術(shù)助力薄膜晶體管(TFT)發(fā)展,在柔性顯示屏的應(yīng)用

閱讀:84          發(fā)布時(shí)間:2025-1-26

物理氣相沉積(PVD)在顯示技術(shù)中的應(yīng)用:使用PVD技術(shù),助力薄膜晶體管(TFT)發(fā)展,在柔性顯示屏的應(yīng)用

Nikalyte的PVD技術(shù)助力薄膜晶體管(TFT)發(fā)展,在柔性顯示屏的應(yīng)用



本文探討了物理氣相沉積(PVD)在顯示技術(shù)中的重要性,以及PVD系統(tǒng)的設(shè)計(jì)對(duì)于開發(fā)新產(chǎn)品和生產(chǎn)價(jià)格合理的消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要性。薄膜晶體管(TFT)是現(xiàn)代電子顯示屏的核心組件,能夠精確控制液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)以及新興柔性電子產(chǎn)品中的像素。隨著對(duì)更高分辨率、更快刷新率和更高能效的需求增加,TFT的作用已經(jīng)從顯示屏擴(kuò)展到可穿戴設(shè)備、智能玻璃甚至光伏設(shè)備等領(lǐng)域。本文將探討TFT的科學(xué)原理、PVD在其制造中的作用,以及NikalyteNEXUSNL-FLEX PVD系統(tǒng)如何助力下一代TFT的發(fā)展。


了解薄膜晶體管(TFT 薄膜晶體管(TFT)是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),通過在基底(通常是玻璃、塑料或其他柔性材料)上沉積一層薄薄的半導(dǎo)體材料來制造。半導(dǎo)體層通常是非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)或氧化物半導(dǎo)體(如銦鎵鋅氧化物IGZO),這些材料因其電子特性而被選用。TFT的主要功能是控制顯示屏中單個(gè)像素的電流流動(dòng),其中每個(gè)晶體管都充當(dāng)一個(gè)開關(guān)。TFT的性能由多種參數(shù)決定,包括載流子遷移率(電子或空穴的移動(dòng)效率)、閾值電壓(導(dǎo)電所需的電壓)和關(guān)態(tài)電流(晶體管本應(yīng)關(guān)閉時(shí)的漏電流)。更高的載流子遷移率和更低的漏電流對(duì)于高分辨率顯示屏中高效可靠的TFT性能至關(guān)重要。

TFT的結(jié)構(gòu)和功能 TFT的一般結(jié)構(gòu)包括以下幾層:

 ·         半導(dǎo)體層:當(dāng)在柵極施加電壓時(shí),控制電流流動(dòng)的活性層。

  • 柵極電極:控制晶體管開關(guān)行為的控制電極。

  • 源極和漏極電極:這些電極在柵極電壓激活時(shí)允許電流流過晶體管。 TFT的性能由以下因素決定:

  • 載流子遷移率(電子或空穴在材料中移動(dòng)的難易程度),

  • 閾值電壓(晶體管開始導(dǎo)電的電壓),

  • 關(guān)態(tài)電流(晶體管本應(yīng)關(guān)閉時(shí)的漏電流)。      


隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,對(duì)TFT中更高載流子遷移率、更低漏電流和更好穩(wěn)定性的需求增加,這反過來又對(duì)用于制造這些組件的沉積方法提出了更高的要求。


PVD在顯示技術(shù)制造中的作用 物理氣相沉積(PVD)是一種在真空中將固體材料氣化,然后在基底上凝結(jié)形成薄而均勻薄膜的沉積工藝。在TFT制造中,PVD至關(guān)重要,因?yàn)樗軌蚓_控制半導(dǎo)體、金屬和介電材料的沉積,從而制造出高性能的晶體管。這種沉積技術(shù)可以根據(jù)需要適應(yīng)不同的半導(dǎo)體材料,如硅、銦鎵鋅氧化物(IGZO)和有機(jī)半導(dǎo)體,這些材料對(duì)于不同類型TFT的發(fā)展都至關(guān)重要。此外,PVD能夠沉積用于源極和漏極電極的導(dǎo)電金屬,進(jìn)一步增強(qiáng)了其在TFT生產(chǎn)中的重要性。


使用NikalytePVD系統(tǒng)提升TFT性能 Nikalyte有限公司是先進(jìn)的PVD沉積系統(tǒng)的供應(yīng)商。其NEXUSNL-FLEX PVD系統(tǒng)為TFT的高精度制造提供了解決方案,有助于生產(chǎn)用于顯示屏、可穿戴電子設(shè)備和其他先進(jìn)技術(shù)的高性能設(shè)備。


使用NEXUS PVD系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高精度沉積,制造高性能TFT NEXUS系統(tǒng)的精確性和多功能性確保TFT制造商能夠滿足對(duì)高分辨率顯示屏、節(jié)能電子產(chǎn)品和其他下一代應(yīng)用的不斷增長(zhǎng)的需求。其關(guān)鍵特性包括:

  • 均勻的薄膜沉積:NEXUS能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體材料的高均勻性沉積,確保在大面積基底上TFT性能的一致性。

  • 先進(jìn)的工藝控制:SPECTRUM軟件控制功能可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控,并且先進(jìn)的反饋回路能夠精確控制沉積速率、材料組成和薄膜厚度,確保高質(zhì)量TFT的生產(chǎn),將差異降至zui低。

  • 材料多功能性:NEXUS能夠沉積多種材料,包括非晶硅(a-Si)、IGZO和有機(jī)半導(dǎo)體,從而能夠根據(jù)應(yīng)用需求生產(chǎn)不同類型的TFT。


使用NL-FLEX PVD系統(tǒng)推動(dòng)柔性與可穿戴電子產(chǎn)品發(fā)展 隨著柔性電子設(shè)備和可穿戴設(shè)備的日益普及,對(duì)于能夠集成到可彎曲基底中的柔性TFT的需求激增。NikalyteNL-FLEX系統(tǒng)是專為這些應(yīng)用設(shè)計(jì)的,提供了針對(duì)柔性電子設(shè)備挑戰(zhàn)量身定制的特性。其關(guān)鍵特性包括:

  • 柔性基底兼容性:NL-FLEX的箱式腔體設(shè)計(jì)支持大面積柔性基底,如聚酰亞胺和塑料薄膜,使其非常適合用于可穿戴電子設(shè)備和可彎曲顯示屏的應(yīng)用。

  • 低溫沉積:NL-FLEX能夠在較低溫度下沉積薄膜,防止對(duì)敏感柔性基底造成損壞,并且能夠使用不適合高溫處理的材料。

  • 可擴(kuò)展性:NL-FLEX具有高度可擴(kuò)展性,使其非常適合實(shí)驗(yàn)室規(guī)模的研究以及TFT的商業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。



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