介紹
引入常相位角元件(CPE)來代替EIS測試中的電容元件,大多數(shù)商業(yè)軟件(Gamry, Scribner, Solartron等)都可以擬合EIS數(shù)據(jù)。與使用純電容獲得的擬合結(jié)果相比,CPE獲得的結(jié)果要好得多。
考慮到CPE定義了電化學(xué)EIS實驗中表面的不均勻性以及固態(tài)EIS測試中電荷分布不均勻性,在真實體系中使用CPE能獲得更好的擬合是合理的。主要的問題是,在商業(yè)軟件中使用CPE擬合得到的電容沒有容量的單位,即 F cm-2或者Ω-1 cm-2,而是Ω-1 cm-2 sa,其中a是CPE[1](ZCPE = Zdl(jω)-a)方程式中的指數(shù)。
論文[2-4]已討論過這一問題,近,Hsu和Mansfeld [5]通過使用公式(1),在CPE與R并聯(lián)情況下,開發(fā)了將容量和其真實值進(jìn)行校正的公式。
其中ω”max 表示-Z’’大時的角頻率,此時與指數(shù)a無關(guān),Adl表示擬合結(jié)果。
在討論對時間常數(shù)分布不同的處理方法時,M. Orazem等[6]指出,CPE與R并聯(lián)時等效電路的阻抗可用公式(2)或(3)表示。
重要的是要注意,所有商業(yè)軟件擬合阻抗數(shù)據(jù)時都用的公式(3)。
近的研究表明,在0.01M NaCl溶液中的Ag[111][7]和在0.1M NaOH溶液中的Cu單晶[8]甚至不能將單晶表面視為均質(zhì),并且用Cdiff對f曲線分析研究陰離子吸附時,應(yīng)該引入CPE代替Cdl。公式(4)是用CPE代替Cdl,并使用商業(yè)軟件定義的CPE得到的。
式中Adl沒有容量單位,因此有必要通過擬合Cdiff VS f曲線來校正Adl值。根據(jù)G. J. Brug等[9]的研究結(jié)果,對于CPE與Rs串聯(lián)(溶液電阻),Cdl的值可以通過公式(5)[7]得到
在這項工作中,為了確定電容真實值和用商業(yè)軟件擬合EIS得到的擬合值之間的關(guān)系,分析了對應(yīng)于CPE與R并聯(lián)的電化學(xué)過程的微分電容和阻抗。
結(jié)果和討論
考慮公式(2)和(3),可以得出結(jié)論,公式(2)似乎更加正確,因為在該等式中,由表面不均勻性導(dǎo)致的電容頻率分散與同一表面電荷轉(zhuǎn)移分布密切相關(guān),這兩個因素是互相依賴的。由公式(2)得到的微分電容為:
由公式(3)得到的微分電容為:
因此,公式(6)在單位上是正確的,而公式(7)是不正確的,需要額外的校正。
同時,阻抗的實部(Z’)和虛部(Z’’)分別由公式(8)和(9)定義。
在將CPE視為獨立參數(shù)的條件下,如商業(yè)軟件使用的公式(3)那樣,微分電容公式如式(9)所示,Z’和Z’’由公式(10)和(11)定義,在單位上是不正確的。
圖1是Z’ VS Z’’圖,可以看到用公式(8)和(9)得到的圖和用公式(10)和(11)是一樣的,但是在-Z’’ VS log f圖中存在很大的差異。正如Hsu和Mansfeld [5]在論文中提到的那樣,當(dāng)使用公式(8)和(9)時,在-Z’’ VS log f圖(圖2)中,-Z’’ 的大值與頻率無關(guān)。通過商業(yè)軟件對實驗結(jié)果擬合后,可以用公式(1)獲得雙電層電容的正確值。
電容實際值和擬合值之間的差異是很明顯的,如圖3所示,這種差異取決于R和a的值。
結(jié)論
從結(jié)果和討論中可總結(jié)為,只有在CPE與R并聯(lián)時,使用公式(1)校正雙電層電容的真實值才是有效的。
參考文獻(xiàn)
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