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感應(yīng)加熱的基本知識(shí)

閱讀:2104          發(fā)布時(shí)間:2019-4-25

感應(yīng)加熱的基本知識(shí)                    

1感應(yīng)加熱的應(yīng)用

自工業(yè)上開始應(yīng)用感應(yīng)加熱能源以來,已過了將近80年了。在這期間,感應(yīng)加熱理論和感應(yīng)加熱裝置都有很大發(fā)展,感應(yīng)加熱的應(yīng)用領(lǐng)域亦隨之?dāng)U大,其應(yīng)用范圍越來越廣。

在應(yīng)用方面,感應(yīng)加熱可用在金屬熔煉,熱處理和焊接過程,已成為冶金,國防,機(jī)械加工等部門及鑄,鍛和船舶,飛機(jī),汽車制造業(yè)等*認(rèn)的能源。此外,感應(yīng)加熱也已經(jīng)或不斷地進(jìn)入到我們的家庭生活中,例如微波爐,電磁爐,都是用感應(yīng)加熱為能源。        

2感應(yīng)加熱的原理

a導(dǎo)體的感應(yīng)加熱

導(dǎo)體的導(dǎo)電構(gòu)主要是自由電子。如在導(dǎo)體上加電壓,這些自由電子便將按照同一方向從一個(gè)原子移到另一個(gè)原子而形成電流。電子在移動(dòng)過程中會(huì)遇到阻力,阻力越大電流越小,一般用電阻率P來表示導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。由于電阻的存在,電流流過導(dǎo)體時(shí),都會(huì)引起導(dǎo)體發(fā)熱,根據(jù)焦耳-楞茨定理可得:Q=I2Rt

式中Q----導(dǎo)體的發(fā)熱量;

     I-----通過導(dǎo)體的電流強(qiáng)度;

     R-----導(dǎo)體的電阻;

     t-----電流通過導(dǎo)體的時(shí)間。

在導(dǎo)體中流過電流時(shí),在它的周圍便同時(shí)產(chǎn)生磁場。通過的電流為直流時(shí),產(chǎn)生的磁場是固定的,不影響導(dǎo)體的導(dǎo)電性能:而通過交流電時(shí),產(chǎn)生的磁場是交變的,會(huì)引起集膚效應(yīng)(或稱趨膚效應(yīng)),使大部份電流向?qū)w的表面流通,既有效導(dǎo)電面積減小,電阻增加。交流電流的頻率愈高,集膚效應(yīng)就愈嚴(yán)重,由上式可知,在電流I不變的情況下,由于電阻增加,使導(dǎo)體的發(fā)熱量增加。同時(shí),由于電流沿表層流通,熱量集中于導(dǎo)體的表層,因此可以利用高頻電流對導(dǎo)體的表面進(jìn)行局部加熱。

同樣,在高頻電流通過彼此相距極近的導(dǎo)體,或者將直導(dǎo)體變成圓環(huán),繞成線圈時(shí),其電流密度也會(huì)發(fā)生相應(yīng)變化,引起所謂鄰近效應(yīng)和環(huán)形效應(yīng),無論是集膚效應(yīng)、鄰近效應(yīng)和環(huán)形效應(yīng)都是由于導(dǎo)體中流過交流電時(shí),在導(dǎo)體周圍形成交變磁場,從而在導(dǎo)體中產(chǎn)生自感電動(dòng)勢迫使電流發(fā)生重新分配的結(jié)果。導(dǎo)體周圍磁場的強(qiáng)弱直接和電流強(qiáng)度成正比。因此,平行放置的兩根導(dǎo)體,在其電流為同方向時(shí),則兩根導(dǎo)體外側(cè)磁場較內(nèi)側(cè)強(qiáng),內(nèi)側(cè)中心的磁場強(qiáng)度幾乎為零。兩根導(dǎo)體流的電流是反方向時(shí),則兩導(dǎo)體內(nèi)側(cè)磁場強(qiáng)。如果將導(dǎo)體繞成線圈并通以高頻電流,則線圈內(nèi)側(cè)磁場較外側(cè)強(qiáng)。

如果將材料放在高頻磁場內(nèi)。(例如放到高頻電流的線圈內(nèi)部),則磁力線同樣會(huì)切割材料,在材料中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢,從而產(chǎn)生渦流。渦流也是高頻電流,同樣具有高頻電流的一些性質(zhì)。由于材枓具有電阻,結(jié)果使材枓發(fā)熱,用感應(yīng)渦流的熱效應(yīng)加熱,叫感應(yīng)加熱

b電流透入深度

把金屬圓柱體放在流著電流的線圈中,盡管我屬圓柱沒和線圈接觸,線圈本身的溫度也很低,可是圓柱表面會(huì)被加熱到發(fā)紅,甚至熔化。這是由于電磁感應(yīng)作用,在金屬柱中感生與線圈電流方向相反的渦流,在渦流的焦耳作用下,金屬自身發(fā)熱升溫,這就是感應(yīng)加熱的原理。金屬圓柱中的感生電流的分布。這種分布以表面強(qiáng),在徑向從外到內(nèi)按指數(shù)函數(shù)方式減小。這種電流不均勻分布的現(xiàn)象,隨電流頻率升高而顯著。

渦流密度降為表面電流密度的1/e的深度,定義為電流透入深度。在電流透入深度范圍內(nèi)吸收的功率,為金屬圓柱吸收總功率的86.5%,因此,&便成為選擇加熱電流頻率的重要參數(shù)。

常用銅管繞成感應(yīng)線圈,從技術(shù)指導(dǎo)考慮,用銅管的佳壁厚為1.57&,一般應(yīng)取銅管壁厚1.3&                                

3.感應(yīng)加熱的頻率

用于感應(yīng)加熱的電源頻率可為50Hz到幾MHz。選擇頻率的重要依據(jù)是加熱效率和溫度分布。其次是要考虙熔煉、透熱和淬火等各種加熱工藝對電源頻率的一些要求。熔煉、透熱加熱工藝要求加熱溫度均勻,而淬火則不需要加熱溫度均勻,卻要求滿足淬硬層厚度。對于熔煉還需考慮功率密度和攪拌力。再者,頻率高的電源設(shè)備一般都比頻率小的價(jià)格高,功率大的設(shè)備必定比功率小的價(jià)格高。因此,選擇電源頻率終需考慮綜合經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,往往選用較上兩式算出的頻率高一檔的電源,因?yàn)轭l率高得多,會(huì)引起爐料的溫差過大,反而會(huì)使加熱時(shí)間增長。

在爐料性質(zhì)(粘度、密度、電阻率等)相同的情況下,攪拌力與加熱功率成正比,加熱功率越大,攪拌越激烈;升高電源頻率,攪拌減弱;坩堝體積增大,攪拌也減弱。為滿足工藝要求,攪拌必須適度。因此,為了獲得所需的熔化率,就得確保必要的加熱功率。在爐子容量已定的情況下,為了滿足熔化率的要求,且達(dá)到適度的攪拌,則電源頻率就不能低于某一定值,這是為熔煉爐選擇電源頻率時(shí)需考慮的附加條件。換言之,相對于每一級頻率,爐子量有一界限,在此界限內(nèi),爐子工作的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)就高。

4.感應(yīng)加熱裝置綜述

概述

隨著電力半導(dǎo)體器件的開發(fā)和電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,感應(yīng)加熱裝置的面貌也日新月異,尤以裝置的體積,重量和性能方面化為突出。例如:同頻率、同容量(50KW)的晶體管式高頻裝置與電子管式高頻裝置相比,體積縮小2/3,重量減輕2/3,冷卻水消耗量節(jié)約1/2,節(jié)約耗電量超過1/2,效率提高45%;而且前者壽命長,安全可靠,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,有利于提高加熱質(zhì)量,維護(hù)工作量小,可隨用隨開;后者則需預(yù)熱后才能投入運(yùn)行,維護(hù)費(fèi)用高。

半導(dǎo)體式感應(yīng)加熱裝置的出現(xiàn)使感應(yīng)加熱用的頻率選擇概念發(fā)生很大變化,電子式感應(yīng)加熱裝置的頻率等級少,不能根據(jù)加熱的工藝的要求選擇更合適的工作頻率,往往不得不遷就頻率而犧牲。而半導(dǎo)體式感應(yīng)加熱裝置的頻率應(yīng)變性*,還具有頻率自動(dòng)跟隨負(fù)載變化的特性,可以選擇理想的工作頻率,使裝置效率高,從而達(dá)到節(jié)能、省時(shí)的目的。從節(jié)能角度出發(fā),頻率等級是似乎越細(xì)密越好,但是過細(xì)、過密就涉及到配套的協(xié)調(diào)問題。幸好同一頻率等級的半導(dǎo)體式感應(yīng)加熱裝置的實(shí)際工作頻率,允許在一定范圍變化。在一般情況下至少允許圍繞頻率等級值變化20%。加熱工藝對工作頻率的要求雖高卻不苛刻,因此,結(jié)合目前內(nèi)外情況可以打破現(xiàn)有的頻率等級劃分,即使暫時(shí)做不到,也應(yīng)逐漸向下列頻率等級靠攏

10kHz,20Khz,30kHz,40kHz,50kHz,75kHz,100kHz,150KHz,200kHz,300kHz,

400kHz,500kHz.另外,就可預(yù)見的電力半導(dǎo)體器件發(fā)展情況來看,近期不太可能滿足開發(fā)500kHz以上感應(yīng)加熱電源的要求,這一頻段暫時(shí)還只能用電子管振蕩器去實(shí)現(xiàn)??蓪⑸鲜鲱l率等級中500Hz以下的稱為低頻,1~10KHz稱為中頻,20~75KHz稱為超音頻,100KHz以上稱為高頻。這種劃分更符合中國的習(xí)慣,也較科學(xué)。

應(yīng)該指出,符合前述頻率等級的感應(yīng)加熱裝置,全都可以用電力半導(dǎo)體器件。                                                  

5.電力半導(dǎo)體器件的比較和選擇

電力半導(dǎo)體器件種類繁多,各有特點(diǎn)。實(shí)踐中,應(yīng)根據(jù)感應(yīng)加熱裝置的頻率和容量,以及目前巳商品化的電力半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度高低,單管或單個(gè)模塊的容量大小,價(jià)格高低選用。

為方便起見,下面將各種電力半導(dǎo)體器件性能特點(diǎn)和關(guān)鍵參數(shù)作粗細(xì)比較:

(1)允許高工作電壓。無論是晶體管還是晶閘管都能滿足以三相380伏、50Hz作進(jìn)線電源的高頻裝置對電力半導(dǎo)體開關(guān)的要求。因?yàn)榫w管中,除VMOS管高允許電壓只1000V外,其他幾種都在1200V以上,所有的晶閘管都能達(dá)到幾千伏水平,還適于更高進(jìn)線電壓(如,575V1000V)的感應(yīng)加熱裝置中使用。

(2)允許大工作電流。總的來說,已商品化的晶閘管的大工作電流比晶體管的都大,可達(dá)千安以上。在晶體管中,以IGBT大的180A,VMOS小,耐壓能到1000V30A左右。

(3)通態(tài)壓降。晶閘管的通態(tài)壓降普遍低于晶體管,因比,導(dǎo)通損耗也小。晶體管中,以GTR的小,其次是IGBT,一般只有幾伏。SIT和工作在額定電流時(shí)則在十幾伏以上,導(dǎo)通損耗相當(dāng)可觀,只是由于它們的允許工作頻率高,在100~500KHz區(qū)段,還沒能為其他器件所代替。實(shí)際上,SITVMOS的導(dǎo)通呈電阻特性,它們的通態(tài)壓降是隨工作電流變化的,SIT的通態(tài)電阻比VMOS的小,因而功耗也小。

(4)工作頻率。晶體管和晶閘管的適用工作頻率和容量。

(5)驅(qū)動(dòng)功率??偟膩碚f,晶體管中除GTR屬電流驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)率大外,其他晶體管(IGBT,VMOSSIT)都屬電壓驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)功率小。相對晶體管(GTR)而言,晶閘管的驅(qū)動(dòng)功率大,而且GTOSITH的驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,以GTO的驅(qū)動(dòng)功率大。

(6)對緩沖電路的要求。晶閘管中以GTO對緩沖電路的要求較高,其次是SITH,晶體管中則以GTRIGBT對緩沖電路要求高,SITVMOS管也要求設(shè)置必要的緩沖電路。

(7)串并聯(lián)使用的難易程度。由于晶閘管的單管容量大,除非要制造特大功率的裝置,一般都無需串聯(lián)或并聯(lián)使用。而晶體管一般都不能串聯(lián)使用,但因單管電流容量小,經(jīng)常要并聯(lián)使用。特別是SITVMOS,他們在感應(yīng)加熱裝置中幾乎都需要并聯(lián),幸而這兩種管子都極易并聯(lián)使用。

(8)有無自關(guān)能力。一般快速晶閘管雖然沒有自關(guān)能力,需用換電流關(guān)斷電路,但在感應(yīng)加熱裝置中,由于有改善爐子功率因數(shù)用大容量的匹配電容器,晶閘管可以利用諧振能量進(jìn)行換流,無需特意設(shè)置換流電路。所以,沒有自關(guān)能力的晶閘管也不會(huì)妨礙其在感應(yīng)加熱裝置中的使用,而它卻有高壓、大電流,低損耗、價(jià)廉等突出特點(diǎn)。此外,具有自關(guān)能力的晶閘管或晶體管,除在關(guān)斷能力上有一定優(yōu)勢,有可能使逆變效率稍增外,在其他方面均不如快速晶閘管。因此,在適用晶閘管的頻段內(nèi),應(yīng)優(yōu)先選用晶閘管。

(9)價(jià)格。就目前市場價(jià)格來說,裝配同容量的感應(yīng)加熱裝置,在開關(guān)器件方面的花費(fèi),則是用晶體管的比用晶閘管的高,便宜的是用SCR(高頻),貴的是SITVMOS

綜上所述,為了獲得較好的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo),10kHz以下、幾百kW以上的大功率感應(yīng)加熱裝置,宜選用晶閘管。其中5kHz以下者,應(yīng)盡量選用SCR(高頻);5kHz以上者,可用SITH10kHz以下小功率感應(yīng)加熱裝置,也可以選IGBT,只是成本稍高些;10~50kHz頻域感應(yīng)加熱裝置應(yīng)盡量選用IGBT,只有高于50kHz的,才應(yīng)考慮選用SITVMOS??傊陂_發(fā)新的感應(yīng)加熱裝置時(shí),應(yīng)優(yōu)先考慮選用SCR(高頻)T杪,其次是選用SITHVMOS,好不用GTRGTO。因?yàn)楹髢烧叩尿?qū)動(dòng)功率大,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜。從總體看,IGBT優(yōu)于GTR,SITH優(yōu)于GTO。從發(fā)展情況看,剛剛顯露的MOS控制晶閘管(MCTMCTH),由于其具有通態(tài)壓降低、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快等一系列優(yōu)點(diǎn),會(huì)象IGBT取代GTR一樣,有可能*取代GTOSITH的位置。其實(shí),與SCRIGBT相比,MCT也具有很大的優(yōu)勢,不久的就會(huì)進(jìn)入半導(dǎo)體感應(yīng)加熱裝置的領(lǐng)域。                                       返回

6.電力半導(dǎo)體式感應(yīng)加熱裝置的構(gòu)成

電力半導(dǎo)體式感應(yīng)加熱裝置的出現(xiàn),使感應(yīng)加熱裝置無論從外觀還是內(nèi)在的結(jié)構(gòu)都更加簡單和單一化。在電力半導(dǎo)體器件出現(xiàn)以前,除了早已淘汰的火花隙高頻發(fā)生器外,感應(yīng)加熱裝置按頻段分為三種類型:(1)50Hz以下為磁性靜止變頻器,它是利用正弦波電壓加在磁路飽和的電抗器上,會(huì)產(chǎn)生高次諧波的原理而進(jìn)行的;(2)1~8kHz發(fā)電機(jī)組:(3)幾十kHz以上用電子管振蕩器。顯然,這三種感應(yīng)加熱裝置無論在外觀還是電路結(jié)構(gòu)上,都毫無相似之處。電力半導(dǎo)體感應(yīng)加熱裝置則不然,無論其頻率高低,功率大小,都有相似的外觀和幾乎*相同的結(jié)構(gòu),電路也更加簡單。不同頻率半導(dǎo)體感應(yīng)加熱裝置的主要區(qū)別,只是在所用開關(guān)器件不同,以及由此帶來的開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)電路、緩沖電路和保護(hù)方面的差別。

電力半導(dǎo)體式感應(yīng)加熱裝置的電路結(jié)構(gòu)與其工作頻率、功率無關(guān),都是由整流器、濾波器、逆變器及其控制和保護(hù)電路組成。工作時(shí),三相工頻電流經(jīng)整流,濾波器濾波后,成為平滑直流送到逆變器。逆變器是采用電力半導(dǎo)體器件作為電子開關(guān)的,它將直流電變成較高頻率的電流供給負(fù)載。

逆變器是感應(yīng)加熱裝置中不可減少的組成部分,它的工作和輸出功率決定了裝置的頻率和功率,而這兩個(gè)重要參數(shù)則取決于由被加物的材質(zhì)、形狀、加熱溫度和溫度分布等決定的條件和單位時(shí)間內(nèi)的物料處理量。

在感應(yīng)爐中,變頻電流是通過感應(yīng)線圈把能量輸送給負(fù)載的,而感應(yīng)線圈往往就是逆變器中的一個(gè)部件。感應(yīng)線圈和爐料一起,顯示的功率因數(shù)很低,為了提高功率因數(shù),需要調(diào)諧電容器向感應(yīng)加熱線圈提供無功能量。在實(shí)際生產(chǎn)中,由于電容器與感應(yīng)線圈的連接方式不同,構(gòu)成了性能差異的各種逆變器,甚至決定了感應(yīng)加熱裝置本身的特點(diǎn)和適用范圍。

爐種

                    

耐火材料

 

 

坩堝無心爐

 

有芯熔煉爐

 

感應(yīng)透熱設(shè)備

銅和鑄鐵

黃銅和銅

鎳合金

銅和其他

鋁和鋁合 

鋅和鋅

合金

鎂和鎂

合金

0.05~0.25

 

 

0.7~0.8

 

0.15~0.4

0.15~0.20

 

 

 

0.6~0.85

 

 

0.15~0.35

0.12~0.18

 

 

 

0.4~0.5

 

 

0.12~0.30

0.12~0.2

 

 

 

0.3~0.35

0.2~0.4

 

0.12~0.35

 

 

 

 

0.4~0.5

 

 

0.8~0.9        

 

 

 

 

0.3~0.4

感應(yīng)爐的自然功率因數(shù)與爐體結(jié)構(gòu)、爐料性質(zhì)因素有關(guān),根據(jù)對各種爐子狀況的統(tǒng)計(jì),其量如表所列。為便于比較,表中還列了有心熔煉爐的自然功率因數(shù)值。

7.儲(chǔ)能元件CL

無論是電子管式感應(yīng)加熱裝置,還是電力半導(dǎo)體式感應(yīng)加熱裝置,都離不開儲(chǔ)能元件,可以說,沒有儲(chǔ)能元件就沒有感應(yīng)加熱裝置。在感應(yīng)加熱裝置中使用的儲(chǔ)能元件有電容C和電感L兩種。

電容C和電感L在電路中都能起調(diào)諧、濾波、耦合、去耦。以及能量儲(chǔ)存和傳輸?shù)淖饔?。所不同的是,電容?chǔ)存電場能,能隔離直流電流,只讓交流通過;而電感儲(chǔ)存磁場能,能讓直流電流須利通過,阻擋交流電流流通。

A電容C

a電容器

電容器是一種能儲(chǔ)存電能的元件。兩塊彼此平行而不接觸的金屬板就構(gòu)成了一個(gè)簡單的電容器。

充了電的電容器具有電能,假如你用手去碰充了電的電容器的接頭,你就會(huì)受到電“打”。電容器的容量愈大,電壓愈高,“打”得就愈厲害。電容器的電壓在100~200V時(shí),除了使人感到震悸和不舒適外,不會(huì)引起意外的后果;可是在高電壓時(shí)(100V或更高),就有致命的危險(xiǎn)。

電容器這種“打”人的本領(lǐng)是從何處來呢?

如果把兩平行金屬板的兩端,用導(dǎo)線分別接到電池的正極、負(fù)極,那么接正極的金屬板上帶負(fù)電荷的電子就被電池正極吸引過去,而接負(fù)極的金屬板,將從電池負(fù)極獲得大量電子。也就是說,電池將接正極的金屬板上的負(fù)電荷轉(zhuǎn)移的接負(fù)極的金屬板上,這就是所謂電容器“充電”。

大家知道,同性電荷相斥,異性電荷相吸。因此,無論是奪取接正極的金屬板上的電子,還是將電子轉(zhuǎn)移到接負(fù)極的金屬板上去,電池都必須做功,這種功變成了電子的位能而儲(chǔ)存在兩金屬板上。充電的時(shí)候,電子在導(dǎo)線中流動(dòng)而形成電流,但充電不是永無休止的,當(dāng)兩金屬板上充的電荷形成的電壓與電池電壓相等時(shí),充電就停止,電路里就電流,這相當(dāng)于電路斷開一樣,這就是電容器能隔斷直流電的道理。

電容器上儲(chǔ)存電荷的多少,與加到電容器兩端的電池電壓有關(guān)。電壓越高,電容器所充的電荷就越多。電容器上所充電荷與充電電壓之比,表示電容器的容量,用字母C表示,其關(guān)系式如下:

      C=U/q

式中  q-----電容器的儲(chǔ)電量,C;

      U------充電電壓;V;

      C------電容器容量,F

可以證明,電池所作的功,也就是儲(chǔ)存在電容器中的電子的位能,電能為:

              Wc=q2/2C

如果將電容器從電池上拆開,用導(dǎo)線將電容器兩金屬板接起來,在剛接通的瞬間,電路便有電流流通,這個(gè)電流與原充電時(shí)的電流方向相反。隨著電流的流通,兩金屬板上積累的電荷逐漸減少,電壓逐漸降低,這就是所謂“放電”。顯然,放電是使儲(chǔ)存在金屬板上的電子的位能變成動(dòng)能,隨之變成熱能而消耗在導(dǎo)線電阻中。

如果不是用導(dǎo)線,而是用手將充了電的電容器兩極板接起來,電容就會(huì)通過人的手放電,使人感到電麻,所以,電容器“打”人是因?yàn)樗ㄟ^人體放電給人于電打,而這種本領(lǐng)也是能量,是給它充電的電源得到的。

b交流回路中的電容器

如果電容器的兩極接上交流電,則由于交流電的大小和方向在不斷地變化,電容器的兩端也必然交替地進(jìn)行充電和放電,因此,電路中的電流就不停地來回流動(dòng),這就是電容器能通過交流電的道理。

那么,從電容器上流過的交流電流到底是多大呢?顯然,電流大小取決于電容器充放電電流的強(qiáng)度。如果電容器上的電荷是均勻變化而放電電流保持不變,則電容器所能給的放電電流的強(qiáng)度,等于用放電時(shí)間T/2來除電容器上儲(chǔ)存的電荷q,

式中   T------交流電變化一周的時(shí)間,稱為周期;

       f------交流電在單位時(shí)間內(nèi)變化的次數(shù),f=T/1,稱為頻率。

事實(shí)上,人們所知道的交流電源電壓U都是按諧波規(guī)律從零變化到Um的正弦波,因而電容器的電荷q以及電路中的電流也按諧波規(guī)律從零變化到qm以及Im,也就是說電流不是常數(shù)??紤]到電流不是常數(shù),按的計(jì)算補(bǔ)進(jìn)因數(shù)π=3.14,其的公式為:

          Im=2πfCUm

由公式可知,電容量和外電源的頻率f愈大,電流就愈大。根據(jù)電路原理,電壓與電流振幅的比Um/Im稱為阻抗,在此Um/Im=1/2πfC=Xc。人們用Xc來表示常數(shù)1/2πfC,并稱為電容器的容抗。

大家知道,一般導(dǎo)線對于電源的阻抗稱為“電阻”,用R表示。在交流電技術(shù)中,稱為有效電阻,以便與容抗和下面將敘述的感抗相區(qū)別。有效電阻對于電流的阻抗作用是和電能轉(zhuǎn)變成熱能而損耗的事實(shí)相聯(lián)系的,電流流過導(dǎo)線時(shí),它的一部分電能轉(zhuǎn)變成熱,而消耗在導(dǎo)線中,其值為I2Rt(I為電流,t為時(shí)間)。

電源電壓為一定時(shí),容抗和有效電阻一樣能限制電路中的電流。但是容抗不會(huì)將電源的能量變成熱量而耗掉,它只是不讓在該頻率下電容器所不能容納的能量流過電路。

在一個(gè)四分之一周期(0~π/2)內(nèi)(越前電壓1/4周期),電源對電容器充電,電能由電源轉(zhuǎn)移到電容器上;下一個(gè)四分之一周期(π/2~π)電容器放電,它把能量還給電源。如果不考慮線路的有效電阻和電容的介質(zhì)損耗,當(dāng)電流流過電容器時(shí),并不耗費(fèi)任何能量。無論電源功率多大,在中所能流通的能量只能是電容器充電時(shí)所能“容納”以及在放電時(shí)“交回”電源的能量,所以,電容能限制電路中的電流。

c電容器的主要參數(shù)

電容器的主要參數(shù)是容量、電壓和功率。

(1)容量。如前所述,電容器具有儲(chǔ)存電荷的特性,它儲(chǔ)存電荷的多少,與加到電容器兩端的電源電壓成正比,其比例常數(shù)就是電容器的容量,用字母C表示。

電容器的容量表明電容器儲(chǔ)存電荷的能力。由式1-1-10可知,對于某一電容器來說,如果加在它兩端的電壓為一伏時(shí),它能儲(chǔ)存一庫侖的電荷,則稱它的電容量為一法拉。法拉一般用字母“F”表示。在實(shí)用中有時(shí)嫌它太大,就用微法和皮法來表示。

實(shí)際上,決定電容器的容量的因素是制造電容器的介質(zhì)的介電系數(shù)和電容器極板的幾何形狀、幾何尺寸。因此,有時(shí)電容器的單位也用長度單位來表示。厘米和法拉之間的換算關(guān)系是:一厘米電容相當(dāng)于1/9×1011次方法拉。

(2)電壓。電容器是在極板之間填以介質(zhì)制成的,因此,電容器的級板間的電壓有一級限值,超過此值,介質(zhì)將被擊穿而成短路,電容器就失去了儲(chǔ)存電荷的特性而算報(bào)廢。

為了保證人們能夠正確地使用電容器,所以制造廠規(guī)定了電容器的工作電壓或?qū)嶒?yàn)電壓。工作電壓是電容器能長期(一般不短于10000h)可靠的安全的工作的高電壓,用“W.V”表示,試驗(yàn)電壓是電壓電容器能短期(一般不超過1min)承受不被擊穿的高電壓,用“T.V”表示。工作電壓一般為試驗(yàn)電壓的百分之五十到百分之七十。

應(yīng)該指出,電容器的耐壓通常都是標(biāo)示直流電壓,如果用在交流電路中,則應(yīng)保證交流電壓的峰值不應(yīng)超過該標(biāo)示值。當(dāng)然,有的電容器(例如電解電容)根本就不允許用在交流回路中,那就不是耐壓多少的問題了。

(3)功率。電容器既然是用介質(zhì)制造的,當(dāng)電容器兩端接上交流電時(shí),必定要有功率損耗,一般被介質(zhì)所吸收的有功功率為:

  式中   Pe------有功功率,W

           U-------加在是電容器上的電壓,V

           w------加于電容器的電壓角頻率,w=2πf,rad/s;

            C-----電容的容量,F

            tg------電容中介質(zhì)損耗角的正切;

             pc------電容器的無功功率,Var.

電容器中的介質(zhì)損耗將使電容器發(fā)熱,顯然損耗太大也會(huì)使電容器過熱而損壞。為了保證電容器的正常使用,必須規(guī)定其允許的損耗值。另外,由于tg﹠值只決定于電容器的介質(zhì)材枓(嚴(yán)格說來還與溫度、濕度有關(guān)),對于某一電容器來說就是個(gè)定值。在實(shí)際工作中,人們感興趣的是其無功功率Pc,因此一般制造廠都規(guī)定電容器的無功功率Pc,而不是直接給出有功功率。

后有必要指出,在一般的小功率電路中,選用電容器時(shí)只要滿足容量、電壓的要求就行;而在大功率電路中,選擇電容除滿足容量、電壓的要求外,還必須使其無功功率亦滿足要求。此外,在某些特殊情況下,還對電容器的“漏電電阻”(因其介質(zhì)不是的絕緣體)加以限制。例如,在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,常用“PID”調(diào)節(jié)器,其中作為微積分應(yīng)用的電容就不應(yīng)該選用漏電流小,漏電電阻大的電容,還有一些時(shí)延極長的延時(shí)電路中的延時(shí)電容也要求漏電電阻越大越好。對于這些情況使用者應(yīng)注意選擇。

d電容器的種類

電容器的種類很多。按結(jié)構(gòu)可以分為固定的電容器、半右變電容器和可變電容器。按采用的介質(zhì)材料不同,可以為空氣、紙介、電解、云母、瓷介、鐵電和真空等電容器,近又出現(xiàn)一種混合電容器。為了使用方便,各種電容器又具有不同形狀和大小。

在選用電容器時(shí),除了注意電容器的容量、工作電壓、形狀均需滿足要求外,在高頻線路中應(yīng)該特別注意電容是用什么介質(zhì)材料制造的,電容的雜散電感大小,否則,將收不到很好的效果,甚至適得其反。

在頻率超過109次方Hz以后,陶瓷電容器也會(huì)失效,只能用真空或空氣電容器,所以在工業(yè)高頻裝置的高頻回路(一般都在100KHz以上)內(nèi),應(yīng)盡量采用云母、陶瓷、鐵電、真空等介質(zhì)的電容器。     

電感L

a電感線圈

線圈在電路中也是儲(chǔ)能元件,當(dāng)電荷沿導(dǎo)線運(yùn)動(dòng)時(shí),便產(chǎn)生電流。電流周圍總是伴有磁場,磁場具有一定的能量。當(dāng)電流I沿線圈流過時(shí),線圈的磁場能量,即磁能等于:

              WL=1/2個(gè)LI的平方

式中的L對于每一個(gè)給定的線圈說來是常數(shù),稱為線圈的自感系數(shù)或電感。

根據(jù)電磁感應(yīng)定律,任何在導(dǎo)體周圍的磁場的變化都會(huì)在導(dǎo)體中引起電動(dòng)勢。當(dāng)流過線圈的電流減少(或增加時(shí))它所產(chǎn)生的磁場也減少(或增加),由于這一磁場的變化,都會(huì)在線圈中引起感應(yīng)電動(dòng)勢。因?yàn)殡妱?dòng)勢變發(fā)生在產(chǎn)生磁場的線圈中,因此,人們便把它叫做自感電動(dòng)勢。自感電動(dòng)勢的作用是反對引起這個(gè)電勢的電流發(fā)生變化的。假如線圈中的電流減少,自感電動(dòng)勢的方向相同,力圖維持電流不減少;但不管怎么樣,電流的變化總是會(huì)隨著外電源的變化而變化的,自感電動(dòng)勢不能*阻擋這種變化,只能使這種變化延遲發(fā)生,所以說,通過電感線圈的電流不能突變。

b交流回路中的線圈

現(xiàn)在假定由頻率為f的交流電和具有電感L的線圈組成電路,電源的電動(dòng)勢按照諧波規(guī)律變化。由于線圈具有電感L,當(dāng)電路中的電流發(fā)生變化時(shí),會(huì)產(chǎn)生電動(dòng)勢,這電動(dòng)勢力圖阻止電流的變化,因此,電路中的電流只能達(dá)到某一定的值(忽略繞制線圈的導(dǎo)線有效電阻)。其中2πfL表示線圈電感對于頻率為f的電流的阻擋力,人們稱之為線圈的感抗,用XL表示。顯然XL愈大,通過線圈的電流就愈小,而XL與電源的頻率和線圈電感成正比。所以,在線圈相同時(shí),電源的頻率愈高,流過線圈的電流就愈小。也就是說,高頻電流難于通過線圈,而低頻電流容易通過。在電流流通(落后于電源電壓1、4周期)的開始四分之一周期0~π/2內(nèi),線圈中的電流由零逐漸增加,線圈由電源取得能量,并使之變成磁能;在下一個(gè)四分之一周期π/2~π,電流開始逐漸減少,磁場被破壞,產(chǎn)生自感電動(dòng)勢,這一電動(dòng)勢將線圈的磁場能量變成電能還給電源。所以,如果忽略線圈的有效電阻的話,電感和電容一樣,能限制電路中的電流,擔(dān)不損耗能量。

C線圈的主要參數(shù)

線圈中流過變化的電流時(shí),線圈上便產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢。感應(yīng)電動(dòng)勢的大小與線圈流過的電流變化率成正比例,其比例常數(shù)就是電感量,簡稱電感,用L表示。它表明,通過一定的電流時(shí),線圈產(chǎn)生感應(yīng)電勢的能力,其單位是亨利,常用字母H表示。此單位的意義是:當(dāng)線圈中通過每秒變化1A的電流時(shí),能產(chǎn)生1V感應(yīng)電勢,此線圈中的電感就是1H。在實(shí)際應(yīng)用中還使用更小的單位mH和Μh.                                     

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