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實驗名稱:基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測
實驗內(nèi)容:基于單注入模式,使用新型檢測系統(tǒng)獲取LED外延片的電學參數(shù)與光學參數(shù)。
研究方向:LED外延片檢測
測試設(shè)備:光譜儀、函數(shù)信號發(fā)生器、ATA-2161高壓放大器、顯微鏡及成像系統(tǒng)、示波器、電腦等。
實驗過程:
圖1:實驗裝置原理圖
首先對LED外延片進行光致發(fā)光(PL)測試,通過光譜儀獲取峰值波長。然后,將測試設(shè)備按圖1所示連接完畢后,將待測LED外延片放置在ITO玻璃上,緩慢下降探針,直至LED外延片產(chǎn)生電致發(fā)光現(xiàn)象。通過光譜儀獲取峰值波長,示波器獲取電學參數(shù)。最后,使用傳統(tǒng)的電致發(fā)光(針測)對LED外延片進行測試。在保證光譜儀軟件顯示的相對強度在一致或接近時,獲取LED外延片的電學參數(shù)和光學參數(shù)。
實驗結(jié)果:
圖2:SC-EL所獲得的光學參數(shù)與針測所獲得的光學參數(shù)
圖3:SC-EL所獲得的光學參數(shù)與針測所獲得的光學參數(shù)
由于針測獲得的數(shù)據(jù)具有可靠性,因此將其作為標準值來比較PL測試與單端接觸電致發(fā)光(SC-EL)測試所獲得數(shù)據(jù)的準確性。實驗結(jié)果表明,SC-EL所獲得的光學參數(shù)與針測所獲得的光學參數(shù)更加接近并且不會對LED外延片造成機械性損傷(如圖2、圖3所示)。此外,SC-EL所獲取的電學參數(shù)與針測所獲取的電學參數(shù)(反向漏電流)具有同樣的趨勢,可以反映針測所獲取數(shù)據(jù)的水平(如圖4所示)。
圖4:針測所獲取數(shù)據(jù)的水平
高壓放大器推薦:ATA-2161
圖:ATA-2161高壓放大器指標參數(shù)
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