成就微觀無(wú)限潛能 Unleash the power of micromaterials

 

NS-Zeta 電位分析儀

產(chǎn)品介紹

應(yīng)粉體工業(yè)廣大用戶的顆粒材料表面修飾活化評(píng)價(jià)、乳液漿料穩(wěn)定性預(yù)測(cè)和復(fù)雜制劑工藝配方的優(yōu)化、礦物浮選及污水處理等需求，珠海歐美克儀器有限公司在成功引進(jìn)和吸收馬爾文帕納科 (Malvern Panalytical)顆粒表征技術(shù)的NS-90Z Plus納米粒度及電位分析儀基礎(chǔ)上最新推出NS-Zeta 電位分析儀，能滿足納米至微米廣闊范圍內(nèi)顆粒樣品的Zeta電位的測(cè)試需求。

NS-Zeta電位分析儀采用電泳光散射技術(shù)測(cè)定顆粒Zeta電位和電位分布，同時(shí)融合馬爾文帕納科恒流模式下的M3-PALS快慢場(chǎng)混合相位檢測(cè)分析技術(shù)，提升了儀器的電位分析性能，延長(zhǎng)了樣品池的使用壽命，數(shù)據(jù)隨時(shí)間的一致性和電位及電位分布的準(zhǔn)確性都得以明顯提升。

與此同時(shí)，儀器廣泛采用全球化供應(yīng)鏈的優(yōu)質(zhì)光電部件及Scrum軟件迭代升級(jí)開發(fā)模式，使其具有高品質(zhì)并能隨用戶需求變化升級(jí)管理和報(bào)表功能。進(jìn)口雪崩式光電二極管(APD)檢測(cè)器、He-Ne氣體激光器光源和高性能相關(guān)器等優(yōu)質(zhì)硬件，加上精確的內(nèi)部溫控裝置、密閉光纖光路設(shè)計(jì)以及先進(jìn)的軟件算法，共同保障了數(shù)據(jù)的高重現(xiàn)性、準(zhǔn)確性和靈敏度。NS-Zeta支持SOP標(biāo)準(zhǔn)化操作，具有兼容CFDA GMP《計(jì)算機(jī)化系統(tǒng)和確認(rèn)與驗(yàn)證》要求的審計(jì)、權(quán)限管理及電子簽名功能以及具有測(cè)試數(shù)據(jù)質(zhì)量智能反饋和優(yōu)化建議，方便用戶使用。

工作原理

Zeta電位的概念

在顆粒表面，穩(wěn)定化合物的電中性平衡被打破，一些電荷沒有得到補(bǔ)償，表現(xiàn)出顆粒表面的帶電特性。這種電荷的正負(fù)和大小決定了顆粒表面離子和化學(xué)基團(tuán)于懸液介質(zhì)中吸附極性分子、離子或化學(xué)基團(tuán)的能力，影響懸液分散特性。介質(zhì)中的顆粒表面存在緊密吸附和動(dòng)態(tài)吸附介質(zhì)中帶電基團(tuán)或離子的結(jié)構(gòu)，稱作雙電層。顆粒在介質(zhì)中運(yùn)動(dòng)是以此包裹顆粒核心的雙電層假想界面進(jìn)行的，此滑動(dòng)/剪切界面上的電位被稱為Zeta電位。

Zeta電位的概念圖

電泳光散射技術(shù)

       NS-Zeta使用電泳光散射(Electrophoretic Light Scattering/ELS)技術(shù)測(cè)量顆?；茖拥?/span>Zeta電位。顆粒在人為施加的電場(chǎng)作用下做電泳運(yùn)動(dòng)，其電泳運(yùn)動(dòng)速率和Zeta電位直接相關(guān)，以亨利方程進(jìn)行表述。NS-Zeta使用恒流模式下的快慢場(chǎng)混合激光多普勒相位分析法(Mixed mode measurement, phase analysis light scattering/M3-PALS)，成功解決了毛細(xì)管電滲對(duì)測(cè)試的影響，并且在一次測(cè)試過(guò)程中同時(shí)得到Zeta電位平均值和電位分布。電泳光散射技術(shù)可測(cè)量最大粒徑至100μm左右的樣品的Zeta電位 (取決于樣品屬性及制備) 。

NS-Zeta電泳光散射光路圖

等電點(diǎn)的概念

由于Zeta電位是基于介質(zhì)緊密和動(dòng)態(tài)吸附的雙電層結(jié)構(gòu)之上的電勢(shì)的測(cè)量，雙電層結(jié)構(gòu)中包含的來(lái)源于介質(zhì)中的電荷就是一個(gè)顯而易見的重要影響因素，通常pH的變化直接影響到介質(zhì)中的電荷環(huán)境，較低pH的酸性環(huán)境，正電荷的離子更多，更多的正離子吸附于雙電層中，使得顆粒Zeta電位向更高的正值方向遷移；同樣的較高pH的堿性環(huán)境，隨著負(fù)電荷離子的增多，Zeta電位向更高的負(fù)值方向遷移。在這個(gè)遷移過(guò)程中，Zeta電位處于0mV附近的漿料的pH值被稱作等電點(diǎn)。在等電點(diǎn)時(shí)，因?yàn)闆]有相同電荷互相排斥的影響，樣品最不穩(wěn)定。

Zeta電位隨pH值變化的變化趨勢(shì)

用途

       NS-Zeta電位分析儀是一款高性價(jià)比的納微米顆粒Zeta電位的表征儀器，適用于對(duì)電位及電位分布表征有較高靈敏度需求的材料分析。例如蛋白質(zhì)、聚合物、膠體、乳液、懸浮液及各種復(fù)雜配方制劑體系等樣品的測(cè)試分析。

*：NS-Zeta可以根據(jù)需要購(gòu)買升級(jí)動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)的粒徑測(cè)試功能模塊。

典型應(yīng)用

•       精細(xì)化工行業(yè)納米材料、表活、低聚物等的開發(fā)和生產(chǎn)質(zhì)控

•       藥物分散體系、乳液和疫苗等制劑配方和工藝開發(fā)

•       脂質(zhì)體和囊泡的開發(fā)

•       礦物堆浸及浮選

•       鉆井泥漿及陶瓷漿料

•       電極漿料及助劑的穩(wěn)定性表征

•       涂覆材料穩(wěn)定性能預(yù)測(cè)

•       墨水、碳粉、染料和顏料性能改進(jìn)

•       優(yōu)化水處理中絮凝劑的使用

•       膠體、乳液、漿料穩(wěn)定性評(píng)價(jià)

•       確定多種復(fù)雜制劑的混合、均質(zhì)等加工工藝參數(shù)

性能特點(diǎn)

【先進(jìn)的高信噪比光學(xué)設(shè)計(jì)】

       NS-Zeta電位分析儀通過(guò)優(yōu)化的光學(xué)設(shè)計(jì)、光纖光路傳輸設(shè)計(jì)及高性能光源、信號(hào)采集和處理硬件，提高了散射光信號(hào)識(shí)別能力并減少了雜散光干擾，確保了儀器測(cè)試結(jié)果的高準(zhǔn)確性、靈敏度和重現(xiàn)性，拓展了適宜的樣品測(cè)試范圍。

【恒流模式的M3-PALS快慢場(chǎng)混合相位檢測(cè)技術(shù)】

      NS-Zeta融合馬爾文的M3-PALS技術(shù)除了可消除電滲影響外，新升級(jí)的恒流模式下還實(shí)現(xiàn)了更高電導(dǎo)率樣品測(cè)試的可能。恒流模式能有效緩解電極極化的影響，與可切換的高頻、低頻混合分析模式一起，使得結(jié)果重現(xiàn)性更好，準(zhǔn)確性更高，且可獲得電位分布的信息。相比上一代產(chǎn)品，NS-Zeta能滿足具有更高電導(dǎo)率的樣品的Zeta電位和電泳遷移率測(cè)試，同時(shí)可以提高電位樣品池的使用次數(shù)。

快慢場(chǎng)混合相位檢測(cè)Zeta電位分布、相位、頻移及Zeta電壓和電流圖

【易使用、免維護(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)】

       NS-Zeta采用密閉式光路設(shè)計(jì)防止污染，日常使用主機(jī)無(wú)需維護(hù)。采用可替換的折疊毛細(xì)管樣品池，使用簡(jiǎn)便，可同時(shí)制備多個(gè)樣品依次檢測(cè)，效率更高。亦可清洗樣品池重復(fù)使用，無(wú)需復(fù)雜的儀器或探測(cè)裝置的維護(hù)。

【高光學(xué)性能、穩(wěn)定且長(zhǎng)壽命的氣體激光光源】

       采用進(jìn)口高穩(wěn)定He-Ne氣體激光器確保數(shù)據(jù)的重現(xiàn)性，波長(zhǎng)632.8nm，功率4mW。He-Ne氣體激光器的光束發(fā)散角、單色性、溫度電壓波動(dòng)穩(wěn)定性、相干性皆遠(yuǎn)優(yōu)于半導(dǎo)體固體激光器。NS-Zeta所使用的氣體激光管采用硬封裝工藝確保激光管中氦氖氣體惰性工作物質(zhì)終身無(wú)損失，激光管壽命達(dá)到10年以上，且在生命周期內(nèi)其光學(xué)品質(zhì)幾乎沒有變化，確保了測(cè)試數(shù)據(jù)始終可信，且無(wú)需用戶校準(zhǔn)。由于He-Ne氣體激光器相干性能顯著優(yōu)于半導(dǎo)體固體激光器，僅需較低的功率即可產(chǎn)生滿足測(cè)量需求的散射光信號(hào)，同時(shí)具有更低的雜散光噪聲使樣品分析靈敏度更高。

【報(bào)告可自定義多種參數(shù)輸出】

       NS-Zeta具有完備的Zeta電位分析功能。可輸出Zeta電位、電位分布、各電位峰的平均值和寬度等參數(shù)。

【高性能檢測(cè)器】

       使用高量子效率(QE)的雪崩式光電二極管(APD)檢測(cè)器，QE≥80%@632.8nm，靈敏度遠(yuǎn)高于光電倍增管(PMT)且噪音更低。高成本的優(yōu)質(zhì)APD部件保障了儀器的測(cè)試性能。

【精確的內(nèi)部控溫系統(tǒng)】

       獨(dú)立的帕爾貼循環(huán)溫控裝置可在0-120℃范圍內(nèi)任意設(shè)定，升溫降溫速度快，控制精度最高可達(dá)0.1℃，保障測(cè)試結(jié)果高重現(xiàn)性。

【升級(jí)的專家指導(dǎo)功能提升測(cè)試水平】

       NS-Zeta測(cè)試后會(huì)在數(shù)據(jù)質(zhì)量指南模塊下自動(dòng)生成智能化專家指導(dǎo)意見，為如何進(jìn)一步優(yōu)化測(cè)試或樣品處理提供可行方案建議。該技術(shù)可以同時(shí)協(xié)助用戶快速判讀更準(zhǔn)確的Zeta電位和電位分布結(jié)果，有利于減少測(cè)試數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤，及時(shí)發(fā)現(xiàn)和改善因方法或環(huán)境發(fā)生變化而引起的測(cè)試質(zhì)量變化。

【具有符合CFDA GMP《計(jì)算機(jī)化系統(tǒng)和確認(rèn)與驗(yàn)證》要求的審計(jì)、權(quán)限管理與電子簽名等功能】

用戶權(quán)限配置和管理功能示意圖

審計(jì)追蹤功能示意圖

【功能豐富的軟件優(yōu)化用戶體驗(yàn)】

       提供標(biāo)準(zhǔn)化操作程序(SOP)簡(jiǎn)化常規(guī)測(cè)量；自動(dòng)配置各種樣品的最佳硬件和算法設(shè)置，亦可手動(dòng)設(shè)置；操作簡(jiǎn)單，無(wú)須準(zhǔn)直、校正或額外保養(yǎng)；智能化，可自動(dòng)判斷數(shù)據(jù)報(bào)告的質(zhì)量并給出優(yōu)化建議。

1.                      使用先進(jìn)SCRUM軟件迭代開發(fā)模式，基于當(dāng)前主流軟件開發(fā)技術(shù)的新穎界面設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)單易用，可根據(jù)行業(yè)應(yīng)用和法規(guī)變化不斷升級(jí)軟件以與之匹配。

2.                      全自動(dòng)硬件設(shè)置和測(cè)量：只需簡(jiǎn)單的培訓(xùn)即可設(shè)置儀器，包括樣品池位置、數(shù)據(jù)記錄、分析和結(jié)果顯示。

電位測(cè)試的設(shè)置界面（部分）及分析模型選擇示意圖

3.                      支持SOP標(biāo)準(zhǔn)化操作程序，避免了測(cè)試操作和參數(shù)設(shè)置的不一致，從而提高數(shù)據(jù)的重現(xiàn)性。

4.                      智能化測(cè)量數(shù)據(jù)的系統(tǒng)評(píng)估：儀器分析軟件可根據(jù)測(cè)試條件和結(jié)果自動(dòng)智能判斷數(shù)據(jù)報(bào)告的質(zhì)量，并針對(duì)質(zhì)量不佳的測(cè)試給出改善建議。包含測(cè)試報(bào)告的質(zhì)量評(píng)價(jià)、問(wèn)題產(chǎn)生的原因、如何使用這些數(shù)據(jù)、如何改進(jìn)這些數(shù)據(jù)等等。

5.                      打印或屏幕顯示報(bào)告使用簡(jiǎn)單；含報(bào)表設(shè)計(jì)器，只需在指定的位置選擇所需的結(jié)果圖表，就可根據(jù)不同的需要定制不同的報(bào)告。

6.                      樣品數(shù)據(jù)和結(jié)果存儲(chǔ)在測(cè)量文件中，方便進(jìn)行數(shù)據(jù)的比較。

7.                      數(shù)據(jù)分析：數(shù)據(jù)以圖形或表格的形式呈現(xiàn)且可一鍵導(dǎo)出；多種分析模式可供選擇，具有多種數(shù)據(jù)分類、分組、排序、篩選、統(tǒng)計(jì)和趨勢(shì)分析功能。

8.                      具有完善的介質(zhì)粘度數(shù)據(jù)庫(kù)，并可根據(jù)給定的溫度自動(dòng)計(jì)算常見緩沖體系的粘度。

典型測(cè)試結(jié)果

1.      NS-Zeta電位和電位分布的測(cè)量——ZTS1240電位標(biāo)樣

2.          硅溶膠的Zeta電位及分布

NS-Zeta具有良好的電位和電位分布數(shù)據(jù)的重現(xiàn)性。

3.         表面活性劑吐溫20的Zeta電位及分布

NS-Zeta可以測(cè)試Zeta電位絕對(duì)值極低的膠束等顆粒樣品，具有0電位附近的顆粒表征的識(shí)別性能，有利于識(shí)別對(duì)制劑穩(wěn)定性有較大影響的因素。

標(biāo)配附件

折疊毛細(xì)管樣品池(DTS1070)

可替換型，無(wú)污染

使用擴(kuò)散障礙法時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最少樣品量20μL的測(cè)試

適用于水或乙醇作為分散介質(zhì)的Zeta電位測(cè)試

可使用標(biāo)準(zhǔn)化的微量無(wú)滲魯爾接頭，搭配MPT-3自動(dòng)滴定儀(ZSU1001)使用

恒流模式下可用于測(cè)試數(shù)百次低電導(dǎo)率樣品

可選配附件

通用“插入式”樣品池套件(ZEN1002)

最少樣品量0.7mL

可搭配12mm玻璃樣品池(PCS1115)用于水性或非水性樣品的測(cè)試

便于多樣品同時(shí)制樣，加快測(cè)試流程

12mm玻璃樣品池(PCS1115)

最少樣品量1mL

玻璃材質(zhì)，適用于絕大多數(shù)的水性和非水性的介質(zhì)的測(cè)試

可搭配通用“插入式”樣品池 (ZEN1002)進(jìn)行Zeta電位的測(cè)試

高濃度Zeta電位樣品池套件(ZEN1010)

適用于無(wú)法稀釋或高濃度的水性樣品的測(cè)試

可搭配MPT-3自動(dòng)滴定儀(ZSU1001)使用

MPT-3自動(dòng)滴定儀(ZSU1001)

最少樣品量5mL

滴定劑精度0.28μL

適用于水性樣品的測(cè)試

可搭配折疊毛細(xì)管樣品池(DTS1070)或高濃度Zeta電位樣品池套件(ZEN1010)，根據(jù)預(yù)設(shè)的pH值序列進(jìn)行自動(dòng)滴定，并測(cè)試隨pH值變化的Zeta電位變化趨勢(shì)

可測(cè)定等電點(diǎn)，用于評(píng)價(jià)分散體系的穩(wěn)定性

技術(shù)參數(shù)

【Zeta電位】

Zeta 電位范圍：無(wú)實(shí)際限制

適用測(cè)試的粒徑上限：不小于100μm (取決于樣品)

最大電泳速率：＞+20μ.cm/V.s / ＜-20μ.cm/V.s

測(cè)量原理：電泳光散射法(ELS)

最高樣品濃度：40% w/v (取決于樣品及樣品池)

最小樣品容積：20μL

最高樣品電導(dǎo)率：260mS/cm

檢測(cè)技術(shù)：快慢場(chǎng)混合相位分析(M3-PALS)，恒流模式

【系統(tǒng)】

激光光源：高穩(wěn)定He-Ne氣體 激光器，波長(zhǎng)632.8nm，功率 4mW。

整機(jī)激光安全：I類

檢測(cè)角度： 13°

檢測(cè)器：雪崩式光電二極管(APD)檢測(cè)器，QE≥80%@632.8nm

相關(guān)器：采樣時(shí)間 25ns - 8000s，多于4000通道，1011動(dòng)態(tài)線性范圍

冷凝控制：干燥氮?dú)饣?/span>空氣吹掃 (需外接氣源)

具有兼容CFDA GMP《計(jì)算機(jī)化系統(tǒng)和確認(rèn)與驗(yàn)證》的審計(jì)、權(quán)限管理及電子簽名功能

溫度控制范圍：0 - 120 ℃

溫度控制最高精度：± 0.1 ℃

【重量與尺寸】

主機(jī)尺寸：322×565×245 mm (W×D×H)

主機(jī)凈重：19 kg

【運(yùn)行環(huán)境】

電源要求： AC 100 - 240V, 50 - 60Hz，4.0A

功率：最大值100W，典型值45W

推薦計(jì)算機(jī)配置： Intel Core i5 2.5Ghz及以上，4GB內(nèi)存，250G硬盤，顯示分辨率1440×900 32bit及以上

計(jì)算機(jī)接口： USB 2.0或更高

推薦操作系統(tǒng)： Windows 10或Windows 11專業(yè)版

環(huán)境要求：溫度10 - 35℃，濕度：35 - 80%， 無(wú)冷凝

**盡管我們已竭力確保本材料中信息的正確性和完整性，仍保留隨時(shí)更改本材料中任何內(nèi)容的權(quán)利。