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AFM：整合扭轉(zhuǎn)分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移和聚集誘導(dǎo)發(fā)光的超快光譜研究
【案例分享】AFM：整合扭轉(zhuǎn)分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移和聚集誘導(dǎo)發(fā)光的超快光譜研究摘要近日，《AdvancedFunctionalMaterials》刊登了中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)周蒙教授團(tuán)隊與陜西師范大學(xué)房喻院士團(tuán)隊合作研究工作《IntegratingAggregationInducedEmissionａndTwistedIntramolecularChargeTransferviaMolecularEngineering》。該研究工作通過分子工程設(shè)計合成了同時具有扭轉(zhuǎn)分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移(TICT)和聚集誘導(dǎo)發(fā)射(A -
「原理」如何區(qū)別光纖微裂紋檢測儀OLI的測量長度和引纖長度？
近期，在指導(dǎo)很多客戶免費(fèi)試用光纖微裂紋檢測儀OLI時，我們發(fā)現(xiàn)有很多客戶對測量長度的概念以及引纖長度的概念并不是特別理解。而這兩個參量均是由設(shè)備本身的方案設(shè)計所決定的。所以，小編將從最基本的原理去闡述這兩個概念之間的聯(lián)系和區(qū)別。1、引纖長度OLI設(shè)備的內(nèi)部示意圖可簡化為如下圖所示：OLI利用相干調(diào)制技術(shù)實現(xiàn)分布式光信號檢測。如上圖所示，分光計把光源光分成信號臂和參考臂，利用光源的極低相干性（相干長度短到可忽略），當(dāng)兩條干涉臂光程幾乎相等時（因為光源相干長度極短，我們把它忽略成相等）發(fā)生干涉，這也 -
二維電子光譜（2DES）是一種超快激光光譜技術(shù)，可以探測樣品的電子、能量和空間分布。它類似于核磁共振技術(shù)，能以高空間分辨率確定復(fù)雜的分子結(jié)構(gòu)，是一種能使結(jié)構(gòu)生物學(xué)發(fā)生革命性變化的光譜技術(shù)。二維電子光譜（2DES）是時間分辨非線性光學(xué)實驗設(shè)備，因為它能提供有關(guān)系統(tǒng)三階非線性響應(yīng)的最大信息量，而且任何其他三階非線性光譜（如泵浦探針）都包含在二維光譜中。在具有多個相互作用成分的系統(tǒng)中，二維非線性光譜可充分發(fā)揮其威力。2DES可提供二維光譜，展現(xiàn)激發(fā)與發(fā)射頻率之間的相關(guān)性，同時具有很高的光譜和時間分辨率
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光纖微裂紋檢測儀OLI如何實現(xiàn)光纖鏈路診斷和分析
原理介紹光在光纖中傳輸時，絕大部分光為前向傳輸，即通常所說的透射光。但由于光纖存在結(jié)構(gòu)不均勻，材料密度變化，雜質(zhì)或者離子摻雜等固有因素，光粒子與光纖介質(zhì)（主要成分是二氧化硅）相互作用后，因為這些缺陷，必然存在部分與入射光方向相反的光粒子，形成了后向傳輸光，即通常所說的反射光，并且此部分光不可消除。標(biāo)準(zhǔn)良好的單模光纖中，瑞利散射是這些后向傳輸光最主要的形成原因，（原理上，瑞利散射后的光粒子方向是隨機(jī)的，這里因為我們主要檢測后向反射光，所以只討論反射光強(qiáng)度）。在光通信領(lǐng)域，通常引入回?fù)p概念RL（re -
德國PRIMES——掃描場焦點(diǎn)分析儀SFM監(jiān)測nLIGHT AFX-1000 3D打印環(huán)形激光
SFM激光振鏡掃描場焦點(diǎn)分析儀采用刻有10~15微米厚測量線玻璃板的技術(shù)表征激光光束特性，光電二極管探測刻線的散射光來測量激光光斑在增材制造工業(yè)領(lǐng)域恩耐AFX－1000環(huán)形光斑激光器越來越受到關(guān)注。德國PRIMES公司的激光掃描場焦點(diǎn)分析儀ScanFieldMonitor（SFM）設(shè)計用于監(jiān)測激光振鏡掃描系統(tǒng)狀態(tài)以及維持增材制造3D打印加工質(zhì)量，榮獲AKL2022激光技術(shù)創(chuàng)新獎一等獎。本文展示了SFM對AFX－1000激光器不同模式光斑的一系列測量，揭示了SFM觀察到的模式振蕩的來源，光斑分布結(jié) -
光纖微裂紋診斷儀（OLI）如何快速對硅光芯片耦合質(zhì)量檢測？
硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術(shù)，能夠突破傳統(tǒng)電子芯片的極限性能，是5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新型產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐。光纖到硅基耦合是芯片設(shè)計十分重要的一環(huán)，耦合質(zhì)量決定著集成硅光芯片上光信號和外部信號互聯(lián)質(zhì)量。耦合過程中最困難的地方在于兩者光模式尺寸不匹配，硅光芯片中光模式約為幾百納米，而光纖中則為幾個微米，幾何尺寸上巨大差異造成模場的嚴(yán)重失配。準(zhǔn)確測量耦合位置質(zhì)量及硅光芯片內(nèi)部鏈路情況，對硅光芯片設(shè)計和生產(chǎn)都變得十分有意義。光纖微裂紋診斷儀（OLI）對硅光芯片耦合質(zhì) -
目前在光伏業(yè)界，正在進(jìn)行一項重大努力，以提高光伏和發(fā)光應(yīng)用中所用半導(dǎo)體的效率并降低相關(guān)成本。這就需要探索和開發(fā)新的制造和合成方法，以獲得更均勻、缺陷更少的材料。無論是電致還是光致發(fā)光，都是實現(xiàn)這一目標(biāo)的重要工具。通過發(fā)光可以深入了解薄膜內(nèi)部發(fā)生的重組過程，而無需通過對完整器件的多層電荷提取來解決復(fù)雜問題。HERA高光譜照相機(jī)是繪制半導(dǎo)體光譜成像的理想設(shè)備，因為它能夠快速、定量地繪制半導(dǎo)體發(fā)射光譜圖，且具有高空間分辨率和高光譜分辨率的特性。硅太陽能電池的電致發(fā)光光譜成像光伏設(shè)備中的缺陷會導(dǎo)致光伏產(chǎn)
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Q：光纖可以彎曲嗎？A：答案是可以的，因為在布線的過程中，網(wǎng)絡(luò)不彎曲幾乎難以實現(xiàn)，所以光纖可以彎曲，但必須保證在一定彎曲范圍內(nèi)，才能將損耗降至低點(diǎn)。光纖彎曲的問題在實際項目中經(jīng)常會發(fā)生，在項目中光纖彎曲，有些操作人員，對光纖的可彎曲參數(shù)并不了解，因此擔(dān)心會不會影響光纖的傳輸。當(dāng)光從光纖的一端射入，從另一端射出時，光的強(qiáng)度會減弱，這意味著光信號通過光纖傳播后，光能量衰減了一部分。這說明光纖中有某些物質(zhì)或因某種原因，阻擋光信號通過。這就是光纖的傳輸損耗。只有降低光纖損耗，才能使光信號暢通無阻。光纖對
