工業(yè)除濕設(shè)備專業(yè)生產(chǎn)銷售

工業(yè)除濕設(shè)備專業(yè)生產(chǎn)銷售：工業(yè)生產(chǎn)需要一個(gè)合適的環(huán)境，對(duì)于普通企業(yè)來(lái)說(shuō)，只要做好控濕工作就可以了，不需要控制灰塵、噪音等這些比較難控制的環(huán)境因素。對(duì)于企業(yè)生產(chǎn)來(lái)說(shuō)，對(duì)空氣濕度都有要求，一般是在45%到65%的范圍內(nèi)，但是下雨的時(shí)候生產(chǎn)環(huán)境的空氣濕度就會(huì)升高，超出生產(chǎn)需求的上限，這就會(huì)造成生產(chǎn)受到影響，因此這個(gè)時(shí)候就必須要使用除濕設(shè)備來(lái)防潮除濕，降低空氣濕度，確保生產(chǎn)順利進(jìn)行。

工業(yè)除濕設(shè)備專業(yè)生產(chǎn)銷售? 詳細(xì)信息：工業(yè)生產(chǎn)需要一個(gè)合適的環(huán)境，對(duì)于普通企業(yè)來(lái)說(shuō)，只要做好控濕工作就可以了，不需要控制灰塵、噪音等這些比較難控制的環(huán)境因素。對(duì)于企業(yè)生產(chǎn)來(lái)說(shuō)，對(duì)空氣濕度都有要求，一般是在45%到65%的范圍內(nèi)，但是下雨的時(shí)候生產(chǎn)環(huán)境的空氣濕度就會(huì)升高，超出生產(chǎn)需求的上限，這就會(huì)造成生產(chǎn)受到影響，因此這個(gè)時(shí)候就必須要使用除濕設(shè)備來(lái)防潮除濕，降低空氣濕度，確保生產(chǎn)順利進(jìn)行。

 

春夏季節(jié)空氣濕度一般都會(huì)過(guò)高于生產(chǎn)需求，很多企業(yè)為了保證生產(chǎn)順利進(jìn)行，都開(kāi)始使用除濕設(shè)備來(lái)防潮除濕，降低空氣濕度，這樣就可以避免產(chǎn)品跟設(shè)備受潮的情況出現(xiàn)，確保生產(chǎn)效率跟產(chǎn)品質(zhì)量。正島除濕設(shè)備，采用冷凍除濕技術(shù)，除濕速度快，操作簡(jiǎn)單方便，是企業(yè)防潮除濕的好選擇。

 

正島ZD-8138C工業(yè)除濕設(shè)備及ZD系列全自動(dòng)空氣除濕設(shè)備是利用冷凍干燥的原理把潮濕空氣吸入蒸發(fā)器降到露點(diǎn)溫度以下使空氣中的氣態(tài)水凝結(jié)成水珠分離，再通過(guò)冷凍壓縮設(shè)備冷凝熱升溫后排出干燥的空氣，以此達(dá)到干燥除濕的目的。   正島ZD-8138C工業(yè)除濕設(shè)備適用面積150-200㎡左右除濕量為138L/D廣泛應(yīng)用于醫(yī)院以及生產(chǎn)車間，銀行金庫(kù)，檔案資料，圖書(shū)館，精密儀器室，貴重物品倉(cāng)庫(kù)等場(chǎng)所。   歡迎您來(lái)電了解工業(yè)除濕設(shè)備的詳細(xì)信息！除濕設(shè)備的種類有很多不同品牌的除濕設(shè)備價(jià)格及應(yīng)用范圍也會(huì)有細(xì)微的差別而我們將會(huì)為您提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和*的售后。

正島ZD-8138C工業(yè)除濕設(shè)備技術(shù)參數(shù)：
 

產(chǎn)品型號(hào)	ZD-8138C	控制方式	濕度智能設(shè)定
除 濕 量	138L/D	排水方式	塑膠軟管 連續(xù)排水
適用面積	150～200	智能保護(hù)	三分鐘延時(shí) 壓縮設(shè)備啟動(dòng)
設(shè)備組電源	220V~50Hz	活性碳濾網(wǎng)	標(biāo) 配
運(yùn)轉(zhuǎn)噪音	50dB	自動(dòng)檢測(cè)	有* 一目了然
輸入功率	2000w	適用溫度	5～38℃
體積(寬深高)	480*430*1100mm	設(shè)備重量	58 kg

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工業(yè)除濕設(shè)備專業(yè)生產(chǎn)銷售轉(zhuǎn)報(bào)：科技日?qǐng)?bào)紐約12月10日電美國(guó)研究人員研制出一種新的三維晶體管，尺寸不到當(dāng)今最小商業(yè)晶體管的一半。他們?yōu)榇碎_(kāi)發(fā)了一種新穎的微加工技術(shù)，可以逐個(gè)原子地修改半導(dǎo)體材料。

為了跟上“摩爾定律”的步伐，研究人員一直在尋找將盡可能多的晶體管塞入微芯片的方法。的趨勢(shì)是垂直豎立的鰭式三維晶體管，其尺寸約為7納米，比人類頭發(fā)還要薄幾萬(wàn)倍。

美國(guó)麻省理工學(xué)院和科羅拉多大學(xué)研究人員在IEEE（電氣和電子工程師協(xié)會(huì)）國(guó)際電子器件會(huì)議上發(fā)表論文稱，他們對(duì)發(fā)明的化學(xué)蝕刻技術(shù)（熱原子級(jí)蝕刻）進(jìn)行了改進(jìn)，以便在原子水平上對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行精確修改，利用這種技術(shù)制造出的CMOS三維晶體管可窄至2.5納米，且效率高于商用晶體管。

雖然目前存在類似的原子級(jí)蝕刻方法，但新技術(shù)更精確且能產(chǎn)生更高質(zhì)量的晶體管。此外，它重新利用了一種常用微加工工具在材料上沉積原子層，這意味著它可以快速集成。研究人員稱，這可以使計(jì)算機(jī)芯片擁有更多的晶體管和更高的性能。

該鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）由薄“硅片”組成，垂直豎立在基板上，邏輯門基本上纏繞在鰭片上。由于其垂直形狀，可以在芯片上擠壓70億—300億個(gè)FinFET。目前大多數(shù)在研的FinFET尺寸為5納米寬度（業(yè)界理想閾值）和220納米高度。

新技術(shù)減少了因材料暴露于氧氣引起缺陷而使晶體管效率降低的問(wèn)題。研究人員報(bào)告稱，新器件在“跨導(dǎo)”中的性能比傳統(tǒng)的FinFET高出約60%。晶體管將小電壓輸入轉(zhuǎn)換為由柵極提供的電流，該電流打開(kāi)或關(guān)閉晶體管以處理驅(qū)動(dòng)計(jì)算。

研究人員說(shuō)，限制缺陷也會(huì)帶來(lái)更高的開(kāi)關(guān)對(duì)比度。理想情況下，晶體管導(dǎo)通時(shí)需要高電流以處理繁重的計(jì)算，且在關(guān)閉時(shí)幾乎沒(méi)有電流以節(jié)省能量。這種對(duì)比對(duì)于制造高效的邏輯開(kāi)關(guān)和微處理器至關(guān)重要，研究人員表示，他們研發(fā)的FinFET的開(kāi)關(guān)對(duì)比度是目前為止最高的。

 

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