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目錄:上海昊量光電設(shè)備有限公司>>精密定位系統(tǒng)/平移臺(tái)>>快傾鏡/轉(zhuǎn)鏡/旋轉(zhuǎn)平臺(tái)>> 1x12,288線陣相位型液晶調(diào)制器

1x12,288線陣相位型液晶調(diào)制器
  • 1x12,288線陣相位型液晶調(diào)制器
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
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  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市
屬性

產(chǎn)地類別:進(jìn)口

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更新時(shí)間:2021-06-02 09:46:18瀏覽次數(shù):1139評(píng)價(jià)

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產(chǎn)地類別 進(jìn)口
1x12,288線陣相位型液晶調(diào)制器是光束偏轉(zhuǎn)與印刷系統(tǒng)的理想器件。這一器件運(yùn)用了基于CMOS技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)液晶技術(shù)?;贑MOS結(jié)構(gòu)的陣列為實(shí)現(xiàn)*進(jìn)的高分辨率光刻技術(shù)提供了有效的工具,由于其像素更小,從而能夠?yàn)楣馐D(zhuǎn)應(yīng)用提供更大的偏轉(zhuǎn)角度。

1x12,288線陣相位型液晶調(diào)制器

1x12,288線陣相位型液晶調(diào)制器是光束偏轉(zhuǎn)與印刷系統(tǒng)的理想器件。這一器件運(yùn)用了基于CMOS技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)液晶技術(shù)?;贑MOS結(jié)構(gòu)的陣列為實(shí)現(xiàn)*進(jìn)的高分辨率光刻技術(shù)提供了有效的工具,由于其像素更小,從而能夠?yàn)楣馐D(zhuǎn)應(yīng)用提供更大的偏轉(zhuǎn)角度。此外,COMS芯片上的電路大大簡(jiǎn)化了尋址,隨機(jī)存取轉(zhuǎn)向,任意波前控制等過(guò)程。  基于CMOS陣列的另一優(yōu)點(diǎn)是其在半導(dǎo)體制造中已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟(jì)。 
當(dāng)填充Zero-Twist Nematic(ZTN)液晶的時(shí)候,該器件可用作全編程的一維衍射光束偏轉(zhuǎn)陣列。通過(guò)在陣列上下載變階的相位契形圖,即可實(shí)現(xiàn)非機(jī)械式的光束偏轉(zhuǎn),其相當(dāng)于一個(gè)可編程的衍射相位光柵。液晶光束偏轉(zhuǎn)器的主要優(yōu)點(diǎn)是無(wú)機(jī)械移動(dòng)(因此沒(méi)有光束指向偏差與不穩(wěn)定的問(wèn)題),隨機(jī)存取指向,通光孔徑足夠大,光學(xué)頭輕便并具有大規(guī)模制造以實(shí)現(xiàn)低成本的可能。

 

 

特點(diǎn)

應(yīng)用

高光學(xué)效率

光束偏轉(zhuǎn)

無(wú)機(jī)械移動(dòng)

衍射光學(xué)

安全的低電壓操作

光譜調(diào)諧與處理

高速相位控制

超快脈沖整形

全用戶編程

可編程相位光柵

靈活的系統(tǒng)配置

可編程振幅光柵

安靜低振動(dòng)操作

 

全固態(tài)器件結(jié)構(gòu)

 

即插即用簡(jiǎn)易安裝

 

友好的圖形界面

 

 

 

 

 

Model P12,288 – λ (nm) – PT

Array Size

19.66x19.66mm

Design Wavelength (nominal)

635-1550nm

(Specify wavelength, λ in nm when ordering)

Diffraction Efficiency (zero-order)

80 - 95% (maximum)

Duty Cycle

Up to 100%

External Window

Broadband antireflection coated for Ravg<1% (over 450-865nm or 850-1650nm)

Fill Factor

100%

Format

1x12,288

Mode

Reflective

Steering Angle

± 4 - 7°

Modulation

Controllable index of refraction

Phase Levels (resolvable)

50 -100 linear levels (minimum) for 2π phase stroke

Phase Stroke (double-pass)

Typically 2π at user-specified laser line

Pixel Pitch

1.6 μm

Reflected Wavefront Distortion (rms)

λ/10 – λ

Response Time

5 - 30 ms

Spatial Resolution

TBD

Switching Frequency

30 – 200 Hz

 

 

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