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CH維克托VISHAY 電容CH維克托VISHAY 電容
電容器主要參數(shù)
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(1)標(biāo)稱電容量,為標(biāo)志在電容器上的電容量。但電容器實際電容量與
電容充電過程
標(biāo)稱電容量是有偏差的,精度等級與允許誤差有對應(yīng)關(guān)系。一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級表示容量精度,根據(jù)用途選取。電解電容器的容值,取決于在交流電壓下工作時所呈現(xiàn)的阻抗,隨著工作頻率、溫度、電壓以及測量方法的變化,容值會隨之變化。電容量的單位為F(法)。 [4]
電容器既然是一種儲存電荷的“容器”,就有“容量”大小的問題。為了衡量電容器儲存電荷的能力,確定了電容量這個物理量。電容器必須在外加電壓的作用下才能儲存電荷。不同的電容器在電壓作用下儲存的電荷量也可能不相同。上統(tǒng)一規(guī)定,給電容器外加1伏特直流電壓時,它所能儲存的電荷量,為該電容器的電容量(即單位電壓下的電量),用字母C表示。電容量的基本單位為法拉(F)。在1伏特直流電壓作用下,如果電容器儲存的電荷為1庫侖,電容量就被定為1法拉,法拉用符號F表示,1F=1Q/V。在實際應(yīng)用中,電容器的電容量往往比1法拉小得多,常用較小的單位,如毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)、皮法(pF)等,它們的關(guān)系是:1微法等于百萬分之一法拉;1皮法等于百萬分之一微法,即: [5]
1法拉(F)=1000毫法(mF);1毫法(mF)=1000微法(μF);1微法(μF)=1000納法(nF);1納法(nF)=1000皮法(pF);即:1F=1000000μF;1μF=1000000pF。 [5]
(2)額定電壓,為在低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的直流電壓。如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器將被擊穿,造成損壞。在實際中,隨著溫度的升高,耐壓值將會變低。 [4]
(3)絕緣電阻。直流電壓加在電容上,產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻。當(dāng)電容較小時,其值主要取決于電容的表面狀態(tài);容量大于0.1μF時,其值主要取決于介質(zhì)。通常情況,絕緣電阻越大越好。 [4]
(4)損耗。電容在電場作用下,在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量稱做損耗。損耗與頻率范圍、介質(zhì)、電導(dǎo)、電容金屬部分的電阻等有關(guān)。 [4]
(5)頻率特性。隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。當(dāng)電容工作在諧振頻率以下時,表現(xiàn)為容性;當(dāng)超過其諧振頻率時,表現(xiàn)為感性,此時就不是一個電容而是一個電感了。所以一定要避免電容工作于諧振頻率以上。 [4]