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[供應(yīng)]GR/HS-WDI-北京位錯層錯劃痕測定儀
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  • GR/HS-WDI-北京位錯層錯劃痕測定儀
貨物所在地:
北京北京市
產(chǎn)地:
北京
更新時間:
2022-01-16 21:00:07
有效期:
2022年1月16日 -- 2022年7月16日
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產(chǎn)品簡介

北京位錯層錯劃痕測定儀硅片缺陷觀測儀(HS-WDI),于對硅片的缺陷進(jìn)行觀察,效果非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等。

實時對圖像進(jìn)行分析、測量和統(tǒng)計,提高傳統(tǒng)光學(xué)儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設(shè)備,能更好的觀測和保存研究結(jié)果;

詳細(xì)介紹

硅片缺陷觀測儀 位錯層錯劃痕測定儀

型號:GR/HS-WDI

北京位錯層錯劃痕測定儀硅片缺陷觀測儀(HS-WDI),于對硅片的缺陷進(jìn)行觀察,效果非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等。

實時對圖像進(jìn)行分析、測量和統(tǒng)計,提高傳統(tǒng)光學(xué)儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設(shè)備,能更好的觀測和保存研究結(jié)果;產(chǎn)品特點

北京位錯層錯劃痕測定儀適用于對硅片的缺陷觀察效果,非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等;
■使硅片缺陷觀察工作簡單化,準(zhǔn)確化,同時極大程度降低此項工作強度;
實時對圖像進(jìn)行分析、測量和統(tǒng)計,提高傳統(tǒng)光學(xué)儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設(shè)備,能更好的觀測和保存研究結(jié)果;
■使用 1/2"CMOS 感光芯片,具有體積小,技術(shù)*,像素較高, 成像清晰 、線條細(xì)膩、色彩豐富;
■傳輸接口為 USB2.0 高速接口, 軟件模塊化設(shè)計 ;
■有效分辨率為 200 萬像素;
■所配軟件能兼容 windows 2000 和 windows XP 操作系統(tǒng)。



推薦工作條件

■溫度:23±2℃
■濕度:60%~70%
■無強磁場、不與高頻設(shè)備鄰近
硅片缺陷觀測儀(HS-WDI),于對硅片的缺陷進(jìn)行觀察,效果非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等。

實時對圖像進(jìn)行分析、測量和統(tǒng)計,提高傳統(tǒng)光學(xué)儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設(shè)備,能更好的觀測和保存研究結(jié)果;產(chǎn)品特點

■適用于對硅片的缺陷觀察效果,非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等;
■使硅片缺陷觀察工作簡單化,準(zhǔn)確化,同時極大程度降低此項工作強度;
■實時對圖像進(jìn)行分析、測量和統(tǒng)計,提高傳統(tǒng)光學(xué)儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設(shè)備,能更好的觀測和保存研究結(jié)果;
■使用 1/2"CMOS 感光芯片,具有體積小,技術(shù)*,像素較高, 成像清晰 、線條細(xì)膩、色彩豐富;
■傳輸接口為 USB2.0 高速接口, 軟件模塊化設(shè)計 ;
■有效分辨率為 200 萬像素;
■所配軟件能兼容 windows 2000 和 windows XP 操作系統(tǒng)。



推薦工作條件

■溫度:23±2℃
■濕度:60%~70%
■無強磁場、不與高頻設(shè)備鄰近硅片缺陷觀測儀(HS-WDI),于對硅片的缺陷進(jìn)行觀察,效果非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等。

實時對圖像進(jìn)行分析、測量和統(tǒng)計,提高傳統(tǒng)光學(xué)儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設(shè)備,能更好的觀測和保存研究結(jié)果;產(chǎn)品特點

■適用于對硅片的缺陷觀察效果,非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等;
■使硅片缺陷觀察工作簡單化,準(zhǔn)確化,同時極大程度降低此項工作強度;
■實時對圖像進(jìn)行分析、測量和統(tǒng)計,提高傳統(tǒng)光學(xué)儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設(shè)備,能更好的觀測和保存研究結(jié)果;
■使用 1/2"CMOS 感光芯片,具有體積小,技術(shù)*,像素較高, 成像清晰 、線條細(xì)膩、色彩豐富;
■傳輸接口為 USB2.0 高速接口, 軟件模塊化設(shè)計 ;
■有效分辨率為 200 萬像素;
■所配軟件能兼容 windows 2000 和 windows XP 操作系統(tǒng)。



推薦工作條件

■溫度:23±2℃
■濕度:60%~70%
■無強磁場、不與高頻設(shè)備鄰近

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