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[供應(yīng)]SN/STZ-8-北京硅單晶材料PN測(cè)量儀
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  • SN/STZ-8-北京硅單晶材料PN測(cè)量儀
貨物所在地:
北京北京市
產(chǎn)地:
北京
更新時(shí)間:
2022-01-16 21:00:07
有效期:
2022年1月16日 -- 2022年7月16日
已獲點(diǎn)擊:
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北京硅單晶材料PN測(cè)量儀1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法:10-4~10Ω?cm

整流法:10~103Ω?cm,并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2. 可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀 硅單晶材料PN測(cè)量儀

型號(hào):SN/STZ-8

北京硅單晶材料PN測(cè)量儀主要技術(shù)指標(biāo):

1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω•cm

溫差法:10-4~10Ω•cm

整流法:10~103Ω•cm,并對(duì)<0.1Ω•cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2. 北京硅單晶材料PN測(cè)量儀可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

4. 測(cè)試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5. 電源:220V 50HZ 20W

6. 儀器尺寸:100×260×260主要技術(shù)指標(biāo):

1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω•cm

溫差法:10-4~10Ω•cm

整流法:10~103Ω•cm,并對(duì)<0.1Ω•cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2. 可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

4. 測(cè)試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5. 電源:220V 50HZ 20W

6. 儀器尺寸:100×260×260

主要技術(shù)指標(biāo):

1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω•cm

溫差法:10-4~10Ω•cm

整流法:10~103Ω•cm,并對(duì)<0.1Ω•cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2. 可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

4. 測(cè)試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5. 電源:220V 50HZ 20W

6. 儀器尺寸:100×260×260

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