ZY-DBC-101-ITSM晶閘管浪涌電流測試臺產(chǎn)品技術(shù)特點

晶閘管浪涌電流測試臺的測試方法符合國標(biāo)，用于檢驗晶閘管的浪涌電流過載能力，主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波?？刂苹芈凡捎脝纹瑱C控制，所測參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二極管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的設(shè)備。

技術(shù)指標(biāo)：

1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。

2．ITSM測試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。

3．VRM測試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。

4．測試頻率：單次

ZY-DBC-091/051/081晶閘管動態(tài)參數(shù)綜合測試臺產(chǎn)品特點

晶閘管關(guān)斷時間、電壓上升率、電流上升率綜合測試臺

一、概述：

晶閘管的關(guān)斷時間 t q  ，電壓上升率dv/dt ，電流上升率di/dt是晶閘管元件的三個重要動態(tài)參數(shù)，國標(biāo)規(guī)定這三個動態(tài)參數(shù)是快速晶閘管和高頻晶閘管元件出廠前的必測項目。我們研制的三參數(shù)綜合測試臺，是以國標(biāo)測試標(biāo)準(zhǔn)為依據(jù)，以滿足大批量生產(chǎn)為前提而設(shè)計的，具有操作簡單、讀數(shù)直觀、測試效率高等特點，特別是各參數(shù)自動測試、數(shù)字顯示，不用看示波器，不用手動調(diào)節(jié)，減少了人為誤差，提高了測試效率。元件上夾具后三個參數(shù)一次測完，減少了管芯表面損傷，并提高了測試效率。

二、整機技術(shù)指標(biāo)：

1．關(guān)斷時間t q  測試范圍：5—200μS

主要測試條件：

①通態(tài)峰值電流：50A—1000A可調(diào)

②通態(tài)峰值電流底寬：約400μS  

③通態(tài)峰值電流下降率：-di/dt=10—20A/μS

④關(guān)斷期間施加反壓幅值：20—100V

⑤重加電壓幅值：100—1000V可調(diào)

⑥重加電壓dv/dt：30V/μS

⑦測試重復(fù)頻率：12.5Hz或6.25Hz

⑧結(jié)溫：按規(guī)定

2．dv/dt測試范圍：200、300、500、800、1000V/μS自動轉(zhuǎn)換

主要測試條件：

①dv/dt電壓幅值：0—1000V可調(diào)

②測試重復(fù)頻率：50HZ

③指數(shù)法測試

④結(jié)溫：按規(guī)定

3．di/dt測試范圍：100—200A/μS 可調(diào)

主要測試條件：

①通態(tài)峰值電流幅值：1000—2000A可調(diào)

②通態(tài)峰值電流底寬：約20μS

③開通前斷態(tài)電壓：500—1000V可調(diào)

④觸發(fā)脈沖前沿≤0.5μS，底寬=30μS

⑤測試重復(fù)頻率：50HZ

⑥結(jié)溫：按規(guī)定

4、配簡易測試恒溫夾具：

①恒溫范圍：室溫—150℃可調(diào)

②夾具壓力：人力控制。

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