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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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?主要技術(shù)參數(shù)：
1. 為箱體和電源分離式，單筆測(cè)試,內(nèi)置四種電**
（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓和其他電**印有坐標(biāo)格規(guī)格為1mm.
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
模擬靜電場(chǎng)描繪儀 型號(hào)：GVZ-4
模擬靜電場(chǎng)描繪儀
主要技術(shù)參數(shù)：
1. 為箱體和電源分離式，單筆測(cè)試,內(nèi)置四種電**
（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓和其他電**印有坐標(biāo)格規(guī)格為1mm.
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性，實(shí)驗(yàn)值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。
應(yīng)承受250g正負(fù)50g的力摩擦2萬(wàn)次，膜層電阻阻值變化0.3%，對(duì)導(dǎo)電微晶無(wú)磨損。
1. 為箱體和電源分離式，單筆測(cè)試,內(nèi)置四種電**
（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓和其他電**印有坐標(biāo)格規(guī)格為1mm.
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性，實(shí)驗(yàn)值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。
應(yīng)承受250g正負(fù)50g的力摩擦2萬(wàn)次，膜層電阻阻值變化0.3%，對(duì)導(dǎo)電微晶無(wú)磨損。
1. 為箱體和電源分離式，單筆測(cè)試,內(nèi)置四種電**
（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓和其他電**印有坐標(biāo)格規(guī)格為1mm.
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性，實(shí)驗(yàn)值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。
應(yīng)承受250g正負(fù)50g的力摩擦2萬(wàn)次，膜層電阻阻值變化0.3%，對(duì)導(dǎo)電微晶無(wú)磨損。
