RTS-3型四探針測試儀（手持式）應(yīng)用

測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計(jì)；    

體積僅為：185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高)； 重量：350g；    

使用鋰電池供電，一次充電可連續(xù)使用100小時(shí)；    

 

    RTS-3型手持式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
    儀器采用了最新電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測試臺(tái)使用。
    本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。    

技　術(shù)　指　標(biāo) ：    

 測量范圍

    電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；  
 方塊電阻：0.1～19999Ω/□；

恒流源

    電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào)    

數(shù)字電壓表

    量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV；  
 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1%；  
 顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動(dòng)顯示；    

四探針探頭基本指標(biāo)

    間距：1±0.01mm；  針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機(jī)械游移率：≤0.3%；
 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；    

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

    (見探頭附帶的合格證)    

模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)

    1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字    

整機(jī)測量最大相對誤差

   (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%    

整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度

    ≤5%    

外型尺寸

    185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高)    

重量

    350g    

電源

    鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時(shí)；    

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

    溫度：23±2℃； 相對濕度：≤65%； 無高頻干擾； 無強(qiáng)光直射；