WQ9600A WQ9600A晶體管測試儀圖示儀

功能特點：

◆儀器采用32位高速ARM處理器技術(shù)，內(nèi)部時鐘高達(dá)100MHz，能夠真正準(zhǔn)確測量晶體管的開關(guān)時間，并且將時間測量分辨力提高到0.01μS。

功能特點：

◆儀器采用32位高速ARM處理器技術(shù)，內(nèi)部時鐘高達(dá)100MHz，能夠真正準(zhǔn)確測量晶體管的開關(guān)時間，并且將時間測量分辨力提高到0.01μS。

◆能夠自動測量晶體管的放大倍數(shù)β、開關(guān)時間（上升時間Tr、存儲時間Ts、下降時間Tf）、正向壓降Vbe、飽和壓降Vces、耐壓BVceo、漏電流Iceo等參數(shù)。

◆儀器在本機數(shù)字顯示測量參數(shù)的同時還將測量參數(shù)及設(shè)置參數(shù)通過高速USB接口發(fā)送至電腦，方便用戶對測量數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計、打印等管理。

◆儀器能夠根據(jù)測量參數(shù)對被測器件進(jìn)行自動分批、對不合格器件自動報警，并且指明不合格項目。

◆測試速度非?？旖?，1秒鐘內(nèi)完成參數(shù)測試。非常適合電子整流器、節(jié)能燈生產(chǎn)廠家對晶體管進(jìn)行快速批量篩選。

技術(shù)參數(shù)：

1.  測量參數(shù)Measure parameter:

◆放大倍數(shù)β：（0 - 999）

◆開關(guān)時間Switching time T ：(0.01μS - 99.9μS)，包括上升時間、存儲時間、下降時間。Including  Tr、Ts、Tf

◆飽和壓降Vces：（0 - 2V）

◆正向壓降Vbe：（0 - 2V）

◆漏電流Leakage current Iceo：（0.01μA - 3mA）

◆耐壓Withstand voltage BVceo：（50V - 650V）

2.  測試條件 Testing conditions:

   ◆β測試Ib注入電流分三檔 β test three different Ib current：0.1mA、1.0mA、10mA。

   ◆開關(guān)時間測試Ic電流分四檔 Switching time test four different Ic current：0.5A、0.25A、0.1A、0.05A；對應(yīng)Ib電流為 the corresponding Ib current: 0.1A、0.05A、0.02A、0.01A。

   ◆Vbe、Vces的測試條件與開關(guān)時間測試條件相同The testing condition of Vbe and Vces is same as switching time testing condition.

   ◆漏電流Iceo測試電壓: 50V~650V連續(xù)可調(diào)。Test voltage for leakage current Iceo: 50V~650V adjustable.

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