貝克休斯BakerHughes德國KK美國GE MB5S探頭
探頭選擇準則與性能說明：
接觸法探頭
直探頭---單晶
• 被檢測件有規(guī)則外形和相對光滑的 接觸表面
• 接觸面或平或曲
• 缺陷或背反射平行于表面，可被垂 直于表面的聲束探測
• 適于穿透厚部件
• 延遲塊用以提高近場分辨率
• 需要耦合層，一般為凝膠，油類，漿糊
• 通常用于手動檢測
直探頭---雙晶
• 接受發(fā)射單元用串擾擋板分開
• 缺陷或背反射平行于表面，可被垂 直于表面的聲束探測
• 近表面分辨率好，用于較薄部件
• 需要耦合層，一般為凝膠，油類，漿糊
• 通常用于手動檢測
斜探頭
• 晶片安裝在內(nèi)置的或者可更換的斜塊上
• 利用折射讓縱波或者橫波沿確定角度傳播
• 大多數(shù)標準探頭通過模式轉(zhuǎn)換產(chǎn)生橫波
• 適于傾斜缺陷的檢測，如焊縫
• 有單晶探頭和雙晶探頭
• 需要耦合層，一般為凝膠，油類，漿糊
• 有時用于機械化或自動化檢測
水浸法探頭
• 在水中匹配好，效率高
• 適于具有不規(guī)則表面的被檢測件
• 通常用于機械化或者自動化檢測
• 耦合一致性好，檢測重復(fù)性高
• 大型零件可以采用探頭架， 溢流法或者水射流法
• 探頭聚焦可以增進效果聚焦的優(yōu)點
• 球面聚焦形成點狀
• 柱面聚焦形成線狀
探頭選擇準則—歐洲規(guī)格
按照歐洲標準生產(chǎn)的探頭, 本目錄提供的技術(shù)性能信息依照下表定義。 絕大多數(shù)的探傷儀探頭都免費提供性能數(shù)據(jù)表。
性能參數(shù) | 解釋 |
晶片尺寸 D 或 a ×b | 探頭晶片的直徑D或長度×寬度a ×b 。它的尺寸大小對聲波的傳輸有極大的影響 。輕微的偏差，如形狀的偏差,或粘接不良造成的位置偏差而產(chǎn)生的聲能衰減，即使是利用參考缺陷進行標定,都將產(chǎn)生嚴重的評估誤差。 |
標稱頻率f | 所有相同類型探頭的均值頻率，頻率對反射體的評定有大的影響 。對斜反射體，頻率甚至影響聲場 波形和反射特性 。隨著頻率的增加，非垂直反射體對聲束的反射回波減小 。這就是為什么每一個探頭都要由我們的質(zhì)量控制部門根據(jù)鑒定標準進行嚴格檢測，以確定其頻率是否與標稱頻率相一致，保證在一定的誤差范圍內(nèi)。這個數(shù)據(jù)輸入到探頭的數(shù)據(jù)參數(shù)表。 |
帶寬B | 脈沖回波的幅值比最高幅值下降6dB之間的頻率范圍。 fo=幅值下降6dB的上限頻率，fu=幅值下降6dB的下限頻率，f為標稱頻率。 例如，當B=100%， 一個4 MHz的探頭的fo為6 MHz，而fu為2 MHz。 大的帶寬意味著更短的脈沖回波，也就意味著高的分辨率和更好的穿透能力， 因為低頻脈沖比標稱頻 率脈沖的衰減小 。在高衰減情形下，與標稱頻率相比，隨著距離的增加，反射信號的頻率減小 。這一 點在進行缺陷評估時必須要加以考慮 。因此每一個探頭的帶寬都要進行檢查，并且與所有探頭的平均值相一致，保證在一定的誤差范圍內(nèi)。 |
焦距F | F ：小缺陷產(chǎn)生蕞大回波時探頭到小缺陷的距離。探頭要進行聚焦以便探測小缺陷并得到蕞大的回波幅值，只有在探頭的近場才可能聚焦。 |
近場長度N | 近場長度N是非聚焦探頭的焦距長度，它是聲軸線上能得到聲壓ji大值的最遠距離 。N的大小由D 、c 和f來決定 。 其中λ為波長，c為聲速， Deff是單元有效直徑 焦點處和近場長度處聲能最為集中，反射體最易識別。因此重要測試場合一般預(yù)期缺陷在焦距或近場長度處。表中的數(shù)據(jù)對鋼材而言，而水浸探頭為水。 |
焦點直徑FD6 | 在焦距或近場長度附近，聲壓值比主聲軸下降6dB處到主聲軸的距離 。 |
脈沖形狀 | 來自于平面反射面的信號表述。 |
頻譜 | 回波脈沖中所有頻率的顯示，頻率幅值在頻率上顯示。 |
聲束角度 β | 主聲束與檢測面法線之間的夾角 |
貝克休斯BakerHughes德國KK美國GE MB5S探頭
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