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西門(mén)子S7-3006ES7 355-2SH00-0AE0分銷商

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參考價(jià) 670
訂貨量 1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) S7-300plc
  • 品牌 Siemens/西門(mén)子
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市
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更新時(shí)間:2018-11-07 10:40:53瀏覽次數(shù):221

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西門(mén)子S7-3006ES7 355-2SH00-0AE0分銷商
:1800弄(電子商務(wù)園)5005.
公司主營(yíng):西門(mén)子數(shù)控系統(tǒng),V20變頻器S7-200CN.S7-200smart.S7-300.S7-400.S7-1200.6ES5 ET200 人機(jī)界面,變頻器,DP總線,MM420 變頻器MM430 變頻器MM

詳細(xì)介紹

如何在 CPU 內(nèi)部 EEPROM 存儲(chǔ)空間中保存變量區(qū)域?

     

問(wèn)題描述:
當(dāng)高性能電容的時(shí)間(根據(jù) CPU 類型不同而不同)用完,或者電池模塊過(guò)期(200天),修改過(guò)的參數(shù)就會(huì)丟失。使用以下程序庫(kù)所提供的子程序,可以在 CPU 中的內(nèi)部 EEPROM 中保存完整的變量區(qū)域,在運(yùn)行期內(nèi)該區(qū)域是不易失的(在手冊(cè)中僅說(shuō)明了保存單個(gè)變量)。

要求:
此操作程序庫(kù)使用需要 STEP 7 Micro/WIN  V4.0 SP7 或者更高的版本 。

警告:
當(dāng) CPU 啟動(dòng)時(shí),包含 DB (數(shù)據(jù)塊)的存儲(chǔ)卡不可以被。如果包含 DB 的存儲(chǔ)卡被,CPU 會(huì)讀出存儲(chǔ)卡的內(nèi)容而不是去讀內(nèi)部 EEPROM,同時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)被錯(cuò)誤的寫(xiě)回。

合并和使用庫(kù):

  1. 將下載的文件“store_to_eeprom.zip"保存在電腦上。
  2. 在的目錄下解壓文件“store_to_eeprom.zip"。
  3. 雙擊開(kāi)始解壓的 STEP 7 Micro/WIN 庫(kù) “store_to_eeprom.mwl"。
  4. 在 STEP 7-Micro/WIN 對(duì)話欄中打開(kāi)確認(rèn)集成的庫(kù)。

的 “EEPROM (v1.0)"文件夾中包含了子程序“EEPROM_Direct""和 “EEPROM_Indirect"。


圖:01

使用子程序:

  1. 在網(wǎng)絡(luò)中從文件夾“EEPROM (v1.0)"所需要的子程序。
  2. 根據(jù)例程中的參數(shù)列表給所選子程序分配輸入輸出參數(shù)。

使用適當(dāng)?shù)倪壿嬤B接,以確保在執(zhí)行期間程序執(zhí)行觸發(fā)輸入位“Start"保持為1 (高)。

更多的信息也可以在子程序的注釋中。.

注意:
不能以很高的在 EEPROM 上保存數(shù)據(jù)。EEPROM 典型的存儲(chǔ)為100,000次。如果超過(guò)這個(gè)值,CPU 將發(fā)生故障。 如果按小時(shí)在 EEPROM 上保存數(shù)值,那么 EEPROM 的預(yù)計(jì)使用壽命是 11 到 12 年。

起始地址為直接尋址“EEPROM_direct""例程:

 
圖: 02
 

參數(shù)變量類型說(shuō)明
ENBOOL

必須始終為1(高)

StartBOOL

上升沿 (0 ->1)觸發(fā)程序運(yùn)行;必須保持1 (高) 直到 BUSY 位變成 0 (低)。

V_StartINT

偏移量(起始地址)。例如,200=VB 200

LengthINT

從偏移量(起始地址)開(kāi)始待保存的字節(jié)數(shù)

MemoryINT

用于子程序的臨時(shí)存儲(chǔ)區(qū)

BusyBOOL

狀態(tài) 1 (高),程序在運(yùn)行中

DoneBOOL結(jié)束狀態(tài) 1 (高),成功完成保存
表: 01

起始地址為間接尋址“EEPROM_indirect"例程:

 
圖: 03
 

參數(shù)變量類型說(shuō)明
ENBOOL

必須始終為1(高)

StartBOOL

上升沿 (0 ->1)觸發(fā)程序運(yùn)行;必須保持1 (高) 直到 BUSY 位變成 0 (低)。

AddressDWORD起始地址偏移量(起始地址以DWORD類型變量讀入)
LengthINT

從偏移量(起始地址)開(kāi)始待保存的字節(jié)數(shù)目

MemoryINT

用于子程序的臨時(shí)存儲(chǔ)

BusyBOOL

狀態(tài) 1 (高),程序在運(yùn)行中

DoneBOOL

結(jié)束狀態(tài) 1 (高),成功完成保存

表:02

程序:
程序運(yùn)行后, 可保持的 V 變量并將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)裝載回 CPU。 

序號(hào).解釋
1數(shù)據(jù):
由路徑“View > Component > System Block""到“System Block""選擇“Retentive Ranges"表。


圖:04

選擇數(shù)據(jù)范圍,輸入起始地址和范圍?!癈lear"按鈕。

例程如下圖顯示: 

 
圖: 05

2裝載數(shù)據(jù): 
  • 停止CPU。
  • 啟動(dòng)CPU。

啟動(dòng) CPU 時(shí),存儲(chǔ)數(shù)據(jù)從 CPU 的內(nèi)部 EEPROM 中被寫(xiě)入存儲(chǔ)器。


其中,以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ),其研究呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài),但著實(shí)讓王津激動(dòng)的是,現(xiàn)在認(rèn)識(shí)他的人中,90后居多,還有很多00后。對(duì)于歐美日韓等業(yè)強(qiáng)國(guó)而言,紅色鏈?zhǔn)且粋€(gè)亦友亦敵的體系。2016年在小間距LED爆發(fā)下,帶動(dòng)城市商用顯示應(yīng)用快速增長(zhǎng),已經(jīng)成為L(zhǎng)ED顯示應(yīng)用行業(yè)新的增長(zhǎng)點(diǎn),它的兩個(gè)主要特征,一是傳播速度非常快,典型是金字塔式和式快速傳播。

 

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