Q：283-817-7655
Q-Hydraulika, s. r. o Z2S6- 41 單向閥
Q-Hydraulika, s. r. o. Z2FS6-30 節(jié)流閥
QUADRON VolBreaker NH1 250A ,No:33160 隔離開關(guān)
QUEL VME200V329 電源
QUICK-OHM QC-127-1.4-8.5MD 制冷片
Quintest PZSWR28_R,NR.90108 傳感器
R&H 10775 nr:68138100 剎車片
RaidSonic Technology GmbH IB-170SK-B 硬盤盒
Raja-Lovejoy GmbH KP28 L160/95/439/B14 PT1600178 潤滑泵
Ralf Brinkmann GmbH 6410 9443 平衡器
RANCO O17H4759106 開關(guān)
RAPA SV04 E4 3/8 M20 24V DC 14W / PG11 電磁閥
RAPA RAPA SV04E438 M20 24V 電磁閥
RAPID OeAM 200/1 SZE NR.22 105 泵組
RAPID Elektrische Oelpumpe OP 140 E/1 NO.20 110 泵
raschig Typ:DP 1 Durchmesser 500 mm AISI 304 L 布液管
rasmi R88A-FIK114-RE 過濾器
RATHGEBER Type: ETDT 1000 電源
RATHGEBER ETDT1000 400V/230V 電源模塊
RATHGEBER ETDS 80，PRI 240-230-220，SEC 30 變壓器
RATHGEBER ETDT 2500 420-400-380 // 230 V 變壓器
Rauh Hydraulik GmbH 2TE DN20 軟管
RAUMAG AK/RK10L/M,71018406,with GTE-098/090-10-V17-F-BE 閥門
RAVE PTCR-Ringe Typ HTH 陶瓷測溫環(huán)
Ravioli FINEC.FCR 50-4 C/DEV.C/BIANCHE 限位開關(guān)
Ravioli FCR50 BF50-4 限位開關(guān)
Ravioli ET206A2 調(diào)節(jié)器
Ravioli ET206A2-360 連接器
Ravioli S.p.A ETL40MP4 電磁線圈
RAZIOL EBAD 3000 觸摸屏
RAZIOL 1081100150 滾軸
RAZIOL 1081100250 滾軸
RAZIOL 1081100100 滾軸
RAZIOL 1081100200 滾軸
RAZIOL 1082100075 滾軸
QUADRON VolBreaker NH1 250A 隔離開關(guān)
QUADRON VolBreaker NH1 250A 隔離開關(guān)
1、室溫管溫傳感器：室溫傳感器用于測量室內(nèi)和室外的環(huán)境溫度，
管溫傳感器用于測量蒸發(fā)器和冷凝器的管壁溫度。室溫傳感器和管溫傳感器的形狀不同，但溫度特性基本*。按溫度特性劃分，美的使用的室溫管溫傳感器有二種類型：1.常數(shù)B值為4100K±3%，基準(zhǔn)電阻為25℃對(duì)應(yīng)電阻10KΩ±3%。在0℃和55℃對(duì)應(yīng)電阻公差約為±7%；而0℃以下及55℃以上，對(duì)于不同的供應(yīng)商，電阻公差會(huì)有一定的差別。溫度越高，阻值越?。粶囟仍降?，阻值越大。離25℃越遠(yuǎn)，對(duì)應(yīng)電阻公差范圍越大。
2、排氣溫度傳感器：排氣溫度傳感器用于測量壓縮機(jī)頂部的排氣溫度，常數(shù)B值為3950K±3%,基準(zhǔn)電阻為90℃對(duì)應(yīng)電阻5KΩ±3%。
3、模塊溫度傳感器：模塊溫度傳感器用于測量變頻模塊（IGBT或IPM）的溫度，用的感溫頭的型號(hào)是602F-3500F，基準(zhǔn)電阻為25℃對(duì)應(yīng)電阻6KΩ±1%。幾個(gè)典型溫度的對(duì)應(yīng)阻值分別是
點(diǎn)：空位與間隙粒子成對(duì)出現(xiàn)，數(shù)量相等，晶體體積不發(fā)生變化。
在晶體中弗侖克爾缺陷的數(shù)目多少與晶體結(jié)構(gòu)有很大關(guān)系，格點(diǎn)位質(zhì)點(diǎn)要進(jìn)入間隙位，間隙必須要足夠大，如螢石（CaF2）型結(jié)構(gòu)的物質(zhì)空隙較大，易形成，而NaCl型結(jié)構(gòu)不易形成?？偟膩碚f，離子晶體，共價(jià)晶體形成該缺陷困難。
表面層原子獲得較大能量，離開原來格點(diǎn)位跑到表面外新的格點(diǎn)位，原來位置形成空位這樣晶格深處的原子就依次填入，結(jié)果表面上的空位逐漸轉(zhuǎn)移到內(nèi)部去。
特點(diǎn)：體積增大，對(duì)離子晶體、正負(fù)離子空位成對(duì)出現(xiàn)，數(shù)量相等。結(jié)構(gòu)致密易形成肖特基缺陷。
晶體熱缺陷的存在對(duì)晶體性質(zhì)及一系列物理化學(xué)過程，導(dǎo)電、擴(kuò)散、固相反應(yīng)、燒結(jié)等產(chǎn)生重要影響，適當(dāng)提高溫度，可提高缺陷濃度，有利于擴(kuò)散，燒結(jié)作用，外加少量填加劑也可提高熱缺陷濃度，有些過程需要最大限度避免缺陷產(chǎn)生， 如單晶生產(chǎn)，要非?？炖鋮s。
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