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選擇易失性存儲器與電池一起使用的另一個原因是速度。盡管非易失存儲器件可以在斷電時保持數(shù)據(jù)，但寫入數(shù)據(jù)(一個字節(jié)、頁或扇區(qū))的時間較長。
7．串行存儲器和并行存儲器
在定義了應用系統(tǒng)之后，微控制器的選擇是決定選擇串行或并行存儲器的一個因素。對于較大的應用系統(tǒng)，微控制器通常沒有足夠大的內(nèi)部存儲器，這時必須使用外部存儲器，因為外部尋址總線通常是并行的，外部的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器也將是并行的。
較小的應用系統(tǒng)通常使用帶有內(nèi)部存儲器但沒有外部地址總線的微控制器。如果需要額外的數(shù)據(jù)存儲器，外部串行存儲器件是選擇。大多數(shù)情況下，這個額外的外部數(shù)據(jù)存儲器是非易失性的。
根據(jù)不同的設計，引導存儲器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器沒有內(nèi)部存儲器，并行的非易失性存儲器件對大多數(shù)應用系統(tǒng)而言是正確的選擇。但對一些高速應用，可以使用外部的非易失性串行存儲器件來引導微控制器，并允許主代碼存儲在內(nèi)部或外部高速SRAM中。
8．EEPROM與閃存
存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，并像ROM一樣在斷電時保持數(shù)據(jù)，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優(yōu)缺點。
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