Q:283-817-7655
TELEGAER 5048458 J00026A5001
TEMATEC BEI-10139 Incremental Encoder 924-01039-1392
TEMATEC 951531/888-22
TEMATEC TT7050-1013
TEMATEC 951531/888-22
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TEOLLISUUSPA M4-7BA
TER PF0903 0080 0010 GF4C
TER PF0903 0080 0010 GF4C
TESA 7031522 Universalmesstaster GTL22 DC –SPS 24V
TESA 7031522 Universalmesstaster GTL22 DC +/-15V
TESTEM SKM2-3 beträgt
TESTEM SKM2-3 beträgt
thermal-imaging-camera irPOD UVsee TD90
thermal-imaging-camera irPOD UVsee TD100
thermibel F405460-SID350-6-100
thermik L06.145.05.0300/0300
TELEGAER 5048458 J00026A5001 好價銷售
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根據(jù)不同的設計，引導存儲器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器沒有內(nèi)部存儲器，并行的非易失性存儲器件對大多數(shù)應用系統(tǒng)而言是正確的選擇。但對一些高速應用，可以使用外部的非易失性串行存儲器件來引導微控制器，并允許主代碼存儲在內(nèi)部或外部高速SRAM中。
8．EEPROM與閃存
存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，并像ROM一樣在斷電時保持數(shù)據(jù)，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優(yōu)缺點。
從軟件角度看，獨立的EEPROM和閃存器件是類似的，兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改，而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對被擦除單元的字、頁或扇區(qū)進行編程。對閃存的重新編程還需要使用SRAM，因此它要求更長的時間內(nèi)有更多的器件在工作，從而需要消耗更多的電池能量。設計工程師也必須確認在修改數(shù)據(jù)時有足夠容量的SRAM可用。
存儲器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個因素。市場上可用的獨立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，獨立閃存器件的容量在32KB或以上。
如果把多個器件級聯(lián)在一起，可以用串行EEPROM實現(xiàn)高于128KB的容量。很高的擦除/寫入耐久性要求促使設計工程師選擇EEPROM，因為典型的串行EEPROM可擦除/寫入100萬次。閃存一般可擦除/寫入1萬次，只有少數(shù)幾種器件能達到10萬次。
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