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gneuss DAI-2E2-12A-B10Z-S0-F5-R-W-6P

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更新時間:2024-11-28 17:05:49瀏覽次數(shù):180次

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鍺晶體管的一個主要缺點是它容易產(chǎn)生熱失控。由于鍺的禁帶寬度較窄,并且要穩(wěn)定工作則要求的溫度相對硅半導(dǎo)體更嚴(yán),因此大多數(shù)現(xiàn)代的雙極性晶體管是由硅制造的。采用硅材料的另一個重要原因是硅在地球上的儲量比鍺豐富得多(僅次于氧)。
后來,人們也開始使用以砷化鎵為代表的化合物來制造半導(dǎo)體晶體管。砷化鎵的電子遷移率為硅的5倍,用它制造的晶體管能夠達到較高的工作頻率。此外,砷化鎵熱導(dǎo)率較低,有利于高溫下進行的加工。化合物晶體管通??梢詰?yīng)用于高速器件。
雙極性晶體管能夠提供信號放大,它在功率控制、模擬信號處理等領(lǐng)域有所應(yīng)用。此外,由于基極-發(fā)射極偏置電壓與溫度、電流的關(guān)系已知,雙極性晶體管還可以被用來測量溫度。根據(jù)基極-發(fā)射極電壓與基極-發(fā)射極和集電極-發(fā)射極電流的對數(shù)關(guān)系,雙極性晶體管也能被用來計算對數(shù)或求自然對數(shù)的冪指數(shù)。

 

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