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Q:283-817-7655

Rockwell 817-E1

Rockwell 817-E2

Rockwell 825-MCM180

Rockwell 825-MCM20

Rockwell 193-NCCM-DNT-CNT

Rockwell 193-NCIO-22A-CNT

Rockwell 193-NCIO-22D-CNT

Rockwell 193-NCIO-43-CNT

Rockwell 193-NCIO-63-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-22-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-42-CNT

Rockwell 825-CBCT

Rockwell 809S-C1-10A-230

Rockwell 809S-C1-10A-48

Rockwell 813S-V1-500V-230

Rockwell 813S-V1-500V-48

Rockwell 813S-V3-110V

Rockwell 813S-V3-230V

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Rockwell 814S-PF3-480V-10A

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Rockwell 817S-PTC-115

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雙極性晶體管（英語：bipolar transistor），全稱雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動。

這種晶體管的工作，同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此它被稱為雙極性的，所以也稱雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場效應(yīng)管的單極性晶體管不同，后者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成。

雙極性晶體管能夠放大信號，并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用來構(gòu)成放大器電路，或驅(qū)動揚(yáng)聲器、電動機(jī)等設(shè)備，并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中。

雙極性晶體管是電子學(xué)歷*具有革命意義的一項發(fā)明，其*威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予了1956年的諾貝爾物理學(xué)獎。 [1]

雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動。以NPN晶體管為例，按照設(shè)計，高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子，通過擴(kuò)散作用運(yùn)動到基極。在基極區(qū)域，空穴為多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。由于基極區(qū)域很薄，這些電子又通過漂移運(yùn)動到達(dá)集電極，從而形成集電極電流，因此雙極性晶體管被歸到少數(shù)載流子設(shè)備。

上海薩帛機(jī)電控制系統(tǒng)有限公司

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