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HB731S0-Contraves HB731S0 編碼器
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Contraves HB731S0 編碼器

Q:283-817-7655

 

Rockwell 817-E1

Rockwell 817-E2

Rockwell 825-MCM180

Rockwell 825-MCM20

Rockwell 193-NCCM-DNT-CNT

Rockwell 193-NCIO-22A-CNT

Rockwell 193-NCIO-22D-CNT

Rockwell 193-NCIO-43-CNT

Rockwell 193-NCIO-63-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-22-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-42-CNT

Rockwell 825-CBCT

Rockwell 809S-C1-10A-230

Rockwell 809S-C1-10A-48

Rockwell 813S-V1-500V-230

Rockwell 813S-V1-500V-48

Rockwell 813S-V3-110V

Rockwell 813S-V3-230V

Rockwell 813S-V3-400V

Rockwell 813S-V3-480V

Rockwell 813S-V3-690V

Rockwell 814S-PF3-480V-10A

Rockwell 814S-PF3-690V-10A

Rockwell 814S-W3-480V-10A

Rockwell 817S-PTC-115

Rockwell 817S-PTC-230

Rockwell 817S-PTC-48

Contraves HB731S0 編碼器

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雙極性晶體管(英語(yǔ):bipolar transistor),全稱(chēng)雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT),俗稱(chēng)三極管,是一種具有三個(gè)終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。

這種晶體管的工作,同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng),因此它被稱(chēng)為雙極性的,所以也稱(chēng)雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場(chǎng)效應(yīng)管的單極性晶體管不同,后者的工作方式僅涉及單一種類(lèi)載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成。

雙極性晶體管能夠放大信號(hào),并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力,,所以它常被用來(lái)構(gòu)成放大器電路,或驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器、電動(dòng)機(jī)等設(shè)備,并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中。

雙極性晶體管是電子學(xué)歷*具有革命意義的一項(xiàng)發(fā)明,其*威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予了1956年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。 [1] 

這種晶體管的工作,同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng),因此它被稱(chēng)為雙極性的,所以也稱(chēng)雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場(chǎng)效應(yīng)管的單極性晶體管不同,后者的工作方式僅涉及單一種類(lèi)載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成。

雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。以NPN晶體管為例,按照設(shè)計(jì),高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子,通過(guò)擴(kuò)散作用運(yùn)動(dòng)到基極。在基極區(qū)域,空穴為多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子。由于基極區(qū)域很薄,這些電子又通過(guò)漂移運(yùn)動(dòng)到達(dá)集電極,從而形成集電極電流,因此雙極性晶體管被歸到少數(shù)載流子設(shè)備。

雙極性晶體管能夠放大信號(hào),并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力,,所以它常被用來(lái)構(gòu)成放大器電路,或驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器、電動(dòng)機(jī)等設(shè)備,并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中。

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