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ASO SK 41-32 安全繼電器

Q:283-817-7655

Rockwell 817-E1

Rockwell 817-E2

Rockwell 825-MCM180

Rockwell 825-MCM20

Rockwell 193-NCCM-DNT-CNT

Rockwell 193-NCIO-22A-CNT

Rockwell 193-NCIO-22D-CNT

Rockwell 193-NCIO-43-CNT

Rockwell 193-NCIO-63-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-22-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-42-CNT

Rockwell 825-CBCT

Rockwell 809S-C1-10A-230

Rockwell 809S-C1-10A-48

Rockwell 813S-V1-500V-230

Rockwell 813S-V1-500V-48

Rockwell 813S-V3-110V

Rockwell 813S-V3-230V

Rockwell 813S-V3-400V

Rockwell 813S-V3-480V

Rockwell 813S-V3-690V

Rockwell 814S-PF3-480V-10A

Rockwell 814S-PF3-690V-10A

Rockwell 814S-W3-480V-10A

Rockwell 817S-PTC-115

Rockwell 817S-PTC-230

Rockwell 817S-PTC-48

ASO SK 41-32 安全繼電器

隨著人們對于能源問題的認識不斷加深，場效應管（如CMOS）技術憑借更低的功耗，

在數(shù)字集成電路中逐漸成為主流，雙極性晶體管在集成電路中的使用由此逐漸變少。但是應當看到，即使在現(xiàn)代的集成電路中，雙極性晶體管依然是一種重要的器件，市場上仍有大量種類齊全、價格低廉的晶體管產(chǎn)品可供選擇。與金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET，它是場效應管的一種，另一種為結型場效應管）相比，雙極性晶體管能提供較高的跨導和輸出電阻，并具有高速、耐久的特性，在功率控制方面能力突出。因此，雙極性晶體管依舊是組成模擬電路，尤其是甚高頻應用電路（如無線通信系統(tǒng)中的射頻電路）的重要配件。雙極性晶體管可以通過BiCMOS技術與和MOSFET制作在一塊集成電路上，這樣就可以充分利用兩者的優(yōu)點（如雙極性晶體管的電流放大能力和場效應管的低功耗特點）

從基極區(qū)域的少數(shù)載流子濃度出發(fā)，可以解釋集電極的載流子流動。如果雙極性晶體管為小注入，即通過某些物理過程（如光注入或電注入）引入的非平衡載流子（excess carrier，或稱“過剩載流子”）比熱平衡時的多數(shù)載流子少得多，雙極性擴散（即非平衡多數(shù)載流子和少數(shù)載流子以相同速率流動）速率實際上由非平衡少數(shù)載流子決定。另外，雙極性晶體管處理高頻信號的能力還受限于基極區(qū)域載流子的渡越時間。

結構編輯

一個雙極性晶體管由三個不同的摻雜半導體區(qū)域組成，它們分別是發(fā)射極區(qū)域、基極區(qū)域和集電極區(qū)域。這些區(qū)域在NPN型晶體管中分別是N型、P型和N型半導體，而在PNP型晶體管中則分別是P型、N型和P型半導體。每一個半導體區(qū)域都有一個引腳端接出，通常用字母E、B和C來表示發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。

上海薩帛機電控制系統(tǒng)有限公司

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