當(dāng)前位置:上海薩帛機(jī)電控制系統(tǒng)有限公司> 供求商機(jī)> Gamet Precision AX 27-1 typ 1 氣缸
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Gamet Precision AX 27-1 typ 1 氣缸
具有足夠大能量的原子(離子)離開平衡位置后,擠入晶格間隙中,形成間隙原子離子),在原來位置上留下空位。
特點(diǎn):空位與間隙粒子成對出現(xiàn),數(shù)量相等,晶體體積不發(fā)生變化。
在晶體中弗侖克爾缺陷的數(shù)目多少與晶體結(jié)構(gòu)有很大關(guān)系,格點(diǎn)位質(zhì)點(diǎn)要進(jìn)入間隙位,間隙必須要足夠大,如螢石(CaF2)型結(jié)構(gòu)的物質(zhì)空隙較大,易形成,而NaCl型結(jié)構(gòu)不易形成??偟膩碚f,離子晶體,共價晶體形成該缺陷困難。
(2)肖特基缺陷
表面層原子獲得較大能量,離開原來格點(diǎn)位跑到表面外新的格點(diǎn)位,原來位置形成空位這樣晶格深處的原子就依次填入,結(jié)果表面上的空位逐漸轉(zhuǎn)移到內(nèi)部去。
特點(diǎn):體積增大,對離子晶體、正負(fù)離子空位成對出現(xiàn),數(shù)量相等。結(jié)構(gòu)致密易形成肖特基缺陷。
晶體熱缺陷的存在對晶體性質(zhì)及一系列物理化學(xué)過程,導(dǎo)電、擴(kuò)散、固相反應(yīng)、燒結(jié)等產(chǎn)生重要影響,適當(dāng)提高溫度,可提高缺陷濃度,有利于擴(kuò)散,燒結(jié)作用,外加少量填加劑也可提高熱缺陷濃度,有些過程需要大限度避免缺陷產(chǎn)生, 如單晶生產(chǎn),要非常快冷卻。
3. 組成缺陷
主要是一種雜質(zhì)缺陷,在原晶體結(jié)構(gòu)中進(jìn)入了雜質(zhì)原子,它與固有原子性質(zhì)不同,破壞了原子排列的周期性,雜質(zhì)原子在晶體中占據(jù)兩種位置(1)填隙位(2)格點(diǎn)位
從物理學(xué)中固體的能帶理論來看,非金屬固體具有價帶,禁帶和導(dǎo)帶,當(dāng)在OR時,導(dǎo)帶全部完善,價帶全部被電子填滿,由于熱能作用或其它能量傳遞過程,價帶中電子得到一能量Eg,而被激發(fā)入導(dǎo)帶,這時在導(dǎo)帶中存在一個電子,在價帶留一孔穴,孔穴也可以導(dǎo)電,這樣雖末破壞原子排列的周期性,在由于孔穴和電子分別帶有正負(fù)電荷,在它們附近形成一個附加電場,引起周期勢場畸變,造成晶體不完整性稱電荷缺陷。
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