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據(jù)存儲(chǔ)器，外部串行存儲(chǔ)器件是選擇。大多數(shù)情況下，這個(gè)額外的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是非易失性的。

根據(jù)不同的設(shè)計(jì)，引導(dǎo)存儲(chǔ)器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器沒(méi)有內(nèi)部存儲(chǔ)器，并行的非易失性存儲(chǔ)器件對(duì)大多數(shù)應(yīng)用系統(tǒng)而言是正確的選擇。但對(duì)一些高速應(yīng)用，可以使用外部的非易失性串行存儲(chǔ)器件來(lái)引導(dǎo)微控制器，并允許主代碼存儲(chǔ)在內(nèi)部或外部高速SRAM中。

8．EEPROM與閃存

存儲(chǔ)器技術(shù)的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲(chǔ)器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進(jìn)行讀寫(xiě)，并像ROM一樣在斷電時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優(yōu)缺點(diǎn)。

從軟件角度看，獨(dú)立的EEPROM和閃存器件是類似的，兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改，而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對(duì)被擦除單元的字、頁(yè)或扇區(qū)進(jìn)行編程。對(duì)閃存的重新編程還需要使用SRAM，因此它要求更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)有更多的器件在工作，從而需要消耗更多的電池能量。設(shè)計(jì)工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時(shí)有足夠容量的SRAM可用。

存儲(chǔ)器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個(gè)因素。市場(chǎng)上可用的獨(dú)立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，獨(dú)立閃存器件的容量在32KB或以上。

如果把多個(gè)器件級(jí)聯(lián)在一起，可以用串行EEPROM實(shí)現(xiàn)高于128KB的容量。很高的擦

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