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ES640 CDM model-器件充放電測(cè)試系統(tǒng)----CDM
  • ES640 CDM model-器件充放電測(cè)試系統(tǒng)----CDM
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更新時(shí)間:2025-01-06 10:36:18

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CDM 為ESD事件中的器件充放電測(cè)試模型, 模擬帶電荷的器件在接觸地低電荷時(shí)瞬間放電形成電流,對(duì)器件造成損傷和擊壞的過程

歡迎咨詢湖南格雷柏電子科技有限公司  夏先生  185 7311 6298 

1.   介紹

ES640 CDM 測(cè)試儀是 ESDEMC 公司研發(fā)的 CDM自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備,環(huán)境封閉濕度可控。 

 1)符合 JS -002 -2018 標(biāo)準(zhǔn) CDM 測(cè)試( FICDM );
2)*的 RP -CCDM Contact First CDM CCDM 測(cè)試方法(選配);
3)可定制符合舊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) AEC -Q100-011C規(guī)定的測(cè)試配件( FICDM ,DCDM ,選配);
3)可定制包括 LI -CCDM 和CC -TLP在內(nèi)的其他 CCDM 測(cè)試配件(選)。

根據(jù)充電板尺寸, ES640現(xiàn)有兩個(gè)版本:  ES640 -150  和 ES640-300 :
• ES640-150 :標(biāo)準(zhǔn)型 CDM 測(cè)試儀。 充電板尺寸: 150*150mm,大充電壓為 2kV
• ES640 -300 :定制型 CDM 測(cè)試儀。充電板尺寸: 300*300mm,大充電壓可達(dá) 4kV

2.    RPES640 RP -CCDM 測(cè)試方法: 

RP -CCDM 為ESDEMC*的 *的 CCDM 測(cè)試方法,通過放電模塊內(nèi)部的開關(guān)控制實(shí)現(xiàn)對(duì) DUT pin的放電

RP-CCDM 測(cè)試方法簡(jiǎn)介:
1) 待測(cè)器件充電前,放頭的 pogo pin先接觸被測(cè)管腳,放電模塊內(nèi)部開關(guān)處于斷狀態(tài) ;
2) 對(duì)待測(cè)器件充電;
3) 放電模塊內(nèi)部開關(guān)閉合,被測(cè)管腳放電。
RP -CCDM 優(yōu)點(diǎn):
? 放電模塊 阻抗為 1Ω(其他類似 CCDM 放電模式中,阻抗為 50Ω ),更匹配實(shí)際的和 JS -002 的CDM 放電情形;
? 在原有 JS -002 測(cè)試系統(tǒng)的基礎(chǔ)上, 只需更換放電模塊 (其他 CCDM 需要有 VF -TLP系統(tǒng)做支持);
? 測(cè)試電壓范圍內(nèi) 更穩(wěn)定 ,不會(huì)發(fā)生待測(cè) pin腳和實(shí)際放電 pin腳不一致的情況;
? *符合 JS -002 對(duì)放電波形的要求

3.   ES640 CDM 測(cè)試儀波形

測(cè)試條件   : 

  • 根據(jù) JS -002 的要求,以下測(cè)試時(shí)標(biāo)準(zhǔn) CDM測(cè)試的電壓系數(shù)為 1.02 ,RP -CCDM測(cè) 試的電壓系數(shù)為 1.08 (i.e. TC500 * 1.02 = 510V) 。
  •  RP -CCDM 放電頭的圓盤阻為 1.030 Ω ,標(biāo)準(zhǔn) CDM 放電頭的圓盤阻為  1.026 Ω。
    ? 測(cè)試數(shù)據(jù)時(shí),圓盤電阻所接射頻回路帶寬為:  18 GHz 同軸線 (4FT+ adapter + 2FT),18GHz 衰減器 , 10GHz(1dB Loss) TVS  保護(hù)器 , 6 GHz 示波器

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