產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,石油 |
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西門子分析儀U6/O61系列7MB2011-0AA00-1AB1
參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間:2020-06-04 14:05:55瀏覽次數(shù):247
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西門子分析儀U6/O61系列7MB2011-0AA00-1AB1
ULTRAMAT 6F多可測(cè)量?jī)煞N紅外氣體。使用光學(xué)耦合器和光學(xué)濾波器(可選),顯著增加了分析儀的選擇性,即在許多情況下,即使是成分非常復(fù)雜的混合氣,該分析儀均可勝任。而且即使在低濃度和低檢測(cè)限測(cè)量應(yīng)用,也不在話下。
在氣路中采用合適的材料,該系列分析儀還可用于測(cè)量含有腐蝕性元素或成分的混合氣。
對(duì)現(xiàn)場(chǎng)型分析儀,由于電子器件和分析部件隔離設(shè)計(jì),IP 65防護(hù)等級(jí)和吹掃氣體連接,保證了即使在苛刻的工況條件下,亦可保證較長(zhǎng)的使用壽命?,F(xiàn)場(chǎng)型分析儀還有基本型號(hào)不同訂貨要求,可以通過分析部件加熱,用于測(cè)量低沸點(diǎn)成分或在危險(xiǎn)場(chǎng)合中使用。
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詳情
組份數(shù) 4
組份 例如,CO、CO2、NO、SO2、CH4、烴類
量程 視組份而定:0-5 / 0-100 ppm
外殼 19"機(jī)架單元/現(xiàn)場(chǎng)外殼
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西門子分析儀U6/O61系列7MB2011-0AA00-1AB1
Maxum 中使用的小型內(nèi)存模塊上有 DRAM。如上圖所示,SYSCON 上只有一個(gè)存放 DRAM 內(nèi)存的
地方。型號(hào)的 Maxum 的 DRAM 內(nèi)存只有 8MB,后來升級(jí)為 16MB。在當(dāng)前版本的 Maxum 里,
一個(gè)單獨(dú)的內(nèi)存模塊可提供 32MB 的 DRAM。而 4.1c 以上版本的軟件則需要 32MB 的 DRAM 內(nèi)存才
能正常運(yùn)行。
2) PSRAM(虛擬靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)
在 Maxum 的一些應(yīng)用中,DRAM 模塊所能提供的臨時(shí)內(nèi)存已不能滿足 Maxum 的需要。運(yùn)行大型復(fù)
雜應(yīng)用程序的時(shí)候就會(huì)出現(xiàn)這種情況。例如:PINA、模擬精餾、具有擴(kuò)展報(bào)告的多點(diǎn)取樣空氣監(jiān)控和一
些其它的應(yīng)用特定組合。
適配器板
上的CF卡
DRAM
空插槽-或者用于PSRAM
2-24 第 2 章 Advance Maxum II 模塊
系統(tǒng)控制器( 系統(tǒng)控制器(SYSCON)和內(nèi)存總述 )和內(nèi)存總述, 接上頁(yè)
然而,如上所述,如果 SYSCON 僅提供一個(gè) DRAM 內(nèi)存空間,而且基于主板技術(shù)的限制,當(dāng)前的
DRAM 設(shè)計(jì)只能提供 32MB。為了高速臨時(shí)存儲(chǔ)空間更大,PSRAM 便應(yīng)運(yùn)而生。它是 DRAM
的擴(kuò)展。
如上圖所示,PSRAM 安裝在一塊較大的內(nèi)置內(nèi)存模塊中,插在兩個(gè)插槽中的任意一個(gè)中。
PSRAM 是 Maxum 使用的型內(nèi)存,用于 4.1 或者更高版本的軟件。PSRAM 只可在安裝有 CF
內(nèi)存卡的情況下使用。在安裝有 SRAM/FLASH 模塊的情況下,不能使用 PSRAM。