鈍化技術(shù)是以材料表面涂覆CVD涂層來實(shí)現(xiàn)的，CVD是一種通過化學(xué)氣相沉積的方法應(yīng)用于材料表面的技術(shù)。

CVD（化學(xué)氣相沉積）是一種將揮發(fā)性前體（通常是在真空下）注入腔體內(nèi)的反應(yīng)過程，腔室加熱到反應(yīng)溫度，使前體氣體發(fā)生反應(yīng)或分解生成所需的涂層并與材料表面結(jié)合。隨著時(shí)間推移，涂覆材料建立在表面上并在暴露部分的表面形成涂層。

例如，如果想把硅附著在材料表面，需要使用三氯硅烷(SiHCl₃)前體，當(dāng)SiHCl₃在腔室加熱時(shí)，分解和涂層反應(yīng)如下：

SiHCl₃ → Si + Cl₂ + HCl

硅將結(jié)合到任何暴露的表面（內(nèi)部和外部），而氯氣和鹽酸氣體將從腔室排放并根據(jù)適當(dāng)?shù)姆ㄒ?guī)要求進(jìn)行清除。

CVD涂層系統(tǒng)中使用的材料從硅化合物到碳化合物，到氟碳或有機(jī)氟，以及類似氮化鈦這樣的氮化物。一些材料如硅，可以通過摻雜表面（改變或添加額外的化學(xué)物質(zhì)）來進(jìn)一步增強(qiáng)涂層的功能，以達(dá)到特定的性能目標(biāo)。

化學(xué)氣相沉積不同于物理氣相沉積（PVD）等其他常見的涂層應(yīng)用方法，與化學(xué)氣相沉積相比，大多數(shù)常見的涂層噴涂工藝會(huì)導(dǎo)致視線外盲區(qū)不均勻的涂覆存在，化學(xué)氣相沉積涂層理論上可以應(yīng)用于涂層氣體能進(jìn)入的任何區(qū)域，下圖形象表示出兩種涂覆的區(qū)別。

SilcoTek®公司CVD涂層工藝的特點(diǎn)：

·在高溫下應(yīng)用以促進(jìn)反應(yīng)；

·涂裝前必須清除零件表面的污染物；

·涂層氣體將覆蓋零件的所有區(qū)域，包括螺紋、盲孔和內(nèi)部表面；

·涂層在反應(yīng)過程中粘結(jié)到表面，與典型的PVD涂層相比，創(chuàng)造了*的附著力。

SilcoTek®公司CVD涂層的優(yōu)勢：

·可廣泛應(yīng)用于各種基材，包括金屬和金屬合金、陶瓷，玻璃；

·可噴涂精密表面和復(fù)雜表面，包括密封區(qū)域和內(nèi)部表面；

·能承受低溫、高溫溫度變化；

·持久的涂層與基材結(jié)合意味著涂層在高應(yīng)力環(huán)境中保持結(jié)合，即使基材表面彎曲也能適應(yīng)。 

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