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[供應(yīng)]HOTMOS-1000-半導(dǎo)體微量光子檢測(cè)顯微鏡

貨物所在地:上海上海市

更新時(shí)間:2024-04-29 17:06:39

有效期:2024年4月29日 -- 2025年4月30日

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半導(dǎo)體微量光子檢測(cè)顯微鏡
微光顯微鏡是捕獲半導(dǎo)體器件缺陷或失效點(diǎn)發(fā)射
微量光子的一種無(wú)損檢測(cè)設(shè)備。在電激勵(lì)作用下,電
子-空穴對(duì)或高能熱載子以光子的形式釋放出多余動(dòng)
能。根據(jù)此原理,利用高增益低噪聲的相機(jī)就能精確
定位到缺陷位置。EMMI系統(tǒng)C主要適用于PN結(jié)漏電、氧化層崩潰、
靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)、碰撞電離和雪崩擊穿等多
種物理場(chǎng)景。

半導(dǎo)體微量光子檢測(cè)顯微鏡

半導(dǎo)體微量光子檢測(cè)顯微鏡


產(chǎn)品特征參數(shù)


軟件圖像處理功能

8寸高壓手動(dòng)氣浮探針臺(tái)



紫外、可見(jiàn)光、紅外顯微光學(xué)系統(tǒng)

2倍、5倍、10倍、20倍與50倍紅外物鏡

400 -1000 nm 900-1700 nm響應(yīng)波長(zhǎng)

支持3000 V高壓偏置

相機(jī)與源表的一體化控制程序

應(yīng)用方向

GaNSiC 基功率器件

的漏電“熱點(diǎn)"定位

GaNLEDs與結(jié)型探測(cè)

器的漏電“熱點(diǎn)"定位

SiMOSFETIGBT等功

率器件的漏電失效“熱

點(diǎn)"定位

GaAs基激光器光分布與

漏電“熱點(diǎn)"定位

常規(guī)的器件的靜態(tài)電學(xué)

參數(shù)測(cè)試。

相關(guān)系列有關(guān)于芯片失效與缺陷檢測(cè)都可以聯(lián)系我司,可看樣機(jī)測(cè)試









 

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