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ALD-原子層沉積系統(tǒng)
  • ALD-原子層沉積系統(tǒng)
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貨物所在地:北京北京市

地: 西班牙

更新時間:2024-09-17 21:00:05

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ALD原子層沉積系統(tǒng)是一種能以原子級精度將薄膜覆蓋沉積到各種基底上的方法

ALD原子層沉積系統(tǒng)

標準型(Standard )設備

廉價、高質量、可任選附件

結構簡單,操作和維護容易

多用途

 

擴展型(Flexivol)設備

腔室體積可根據(jù)用戶樣品的尺寸靈活調節(jié),同一腔室可通過簡單的調節(jié)適用于不同厚度的樣品

增多前驅體源入口數(shù)目,避免腔室體積增大對前驅體化學源氣氛分布的影響

高度定制化(Non-Standard)設備

 

為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案

放大基于標準研究型設備檢驗的相同技術

根據(jù)客戶的特殊需求,加工定制,滿足特殊應用及大規(guī)模的生產需要

研發(fā)(R&D)服務

 

開發(fā)新的薄膜沉積方案

診斷、改進現(xiàn)有ALD的工藝

為潛在的客戶做覆膜演示

薄膜沉積工藝咨詢

 

技術參數(shù)

不銹鋼材質腔室,根據(jù)客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑(D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm)和高度(H = 20 mm, H = 50 mm)可選;前驅體進樣系統(tǒng)標配四路(包含冷和熱兩種前軀體),可配至八路

前驅體進樣系統(tǒng)配有快速氣動閥門

多段溫度控制

前驅體溫控0-200 °C,精度1 °C

腔室溫控0-300 °C ,精度1 °C

進出腔室管路溫控0-150 °C ,精度1 °C

基本壓強 10^−1/10^−3 mbar

設備尺寸 1000x600x1000 mm

觸控控制系統(tǒng)

系統(tǒng)當前狀態(tài)信息顯示:氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等

工藝監(jiān)控:溫度和壓力等

偏差報警和安全鎖

菜單操作,實時監(jiān)控

可增配選項

等離子體發(fā)生器    借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ALD性能

臭氧發(fā)生器         提供強氧化劑,增大ALD生長的前驅體選擇范圍

石英晶體微天平    在線監(jiān)測薄膜沉積的厚度

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