抗干擾介質(zhì)損耗儀、變頻介損測(cè)試儀

SHJS-20B變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀淘汰了ＱＳＩ高壓電橋，具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印，使用方便、無需換算、自帶高壓，抗干擾能力強(qiáng) 等優(yōu)點(diǎn)。體積小、重量輕，是我廠的第三代智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀。 
技術(shù)指標(biāo)
１．環(huán)境溫度：０～４0℃（液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照）
２．抗干擾介質(zhì)損耗儀、變頻介損測(cè)試儀相對(duì)濕度：３0％～７0％
３．供電電源：電壓：２２０Ｖ±１0％，頻率：５0±１Ｈz
４．抗干擾介質(zhì)損耗儀、變頻介損測(cè)試儀外形尺寸：長(zhǎng)×寬×高＝490mm×300mm×390mm
５．重量：約18Ｋg
６．輸出功率：1ＫVA
７．顯示分辨率：４位
８．測(cè)量范圍：
介質(zhì)損耗（tgδ）：０-50％ 
電容容量（Cx）和加載電壓：

２.5ＫＶ檔：≤ ３00nＦ（ ３00000ｐＦ）
３ＫＶ檔：≤２00nＦ（ ２00000ｐＦ）
５ＫＶ檔：≤ ７6nＦ（ ７6000ｐＦ）
７.５ＫＶ檔：≤ ３4nＦ（ ３4000ｐＦ）
１０ＫＶ檔：≤ ２0nＦ（ ２0000ｐＦ）
９．基本測(cè)量誤差：
介質(zhì)損耗（tgδ）： １％±０.０7％（加載電流２０μＡ～５00ｍＡ）正接
介質(zhì)損耗（tgδ）： ２％±０.０9％（加載電流?。?mu;Ａ～２0μＡ）反接
電容容量 （ Cx）：１.５％±１.５pＦ