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PLUTO-MH-PLUTO-MH等離子表面處理系統(tǒng)(實驗平臺)
  • PLUTO-MH-PLUTO-MH等離子表面處理系統(tǒng)(實驗平臺)
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貨物所在地:上海上海市

地: 上海市康橋東路1159弄91號

更新時間:2024-09-16 21:00:06

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PLUTO-MH型等離子體表面處理系統(tǒng)是針對于高校,科學研究所和企業(yè)實驗室,或者小批量生產的創(chuàng)新性企業(yè)而研發(fā)的創(chuàng)新型實驗平臺。針對用戶不同的需求,我們提供不同功能附件,在獲得常規(guī)性能的同時,擁有表面鍍膜(涂層),刻蝕,等離子化學反應,粉體等離子體處理等多種能力。

產品特點:

 

針對于對等離子體處理有嚴苛要求的場合中使用

等離子源才用頻率為13.56MHz射頻發(fā)生器,兼顧物理反應和化學反應

采用500W功率電源,自動阻抗匹配,高功率射頻發(fā)生器可應對各種實驗要求,保障高能量密度和高處理效率

高精度真空度控制,適應各種處理需求

316不銹鋼腔體(或者6061鋁合金),全不銹鋼管路和連接件,適用各種氣體(包含腐蝕性氣體)

4.3寸工業(yè)級觸摸屏,軟件操作方便,多種參數(shù)設置和工藝組合處理模式

可增加多種配件,涂覆鍍膜,電極溫度控制,等離子體強度控制,等離子體化學反應等功能(如有特殊應用,請咨詢銷售人員)

根據(jù)用戶需求,提供對應等離子體處理方案和定制特殊用途設備

 

產品參數(shù):

 

  1. 真空腔規(guī)格: 316不銹鋼腔體,直徑210mm*(深)230mm 約4L
  2. 電極:兩個自適應平板電極,材質T6061鋁合金(可提供特氟龍包覆無孔平板電極,適合需要雙面處理樣品)
  3. 電極尺寸:120*135mm 間距20~75mm 可調(可反轉)
  4. 等離子體發(fā)生器:RF射頻發(fā)生器,頻率:13.56MHz
  5. 功率:0-500W連續(xù)可調,自動阻抗匹配,精度1W
  6. 氣體控制:針式氣體流量閥,標配1路氣體,全不銹鋼管道和連接件
  7. 控制方式:4.3寸工業(yè)控制觸摸屏

控制軟件功能:界面顯示實時工作狀態(tài),

可顯示設置值與實際值,便于實時控制。

可自由設置等離子功率,通入氣體時間

多級操作權限,多種工藝參數(shù)組合控制,

全手動控制和全自動控制可選

保護裝置:一鍵急停保護按鈕

 

(如需其他功能,請咨詢銷售人員)

 

 

應用領域:

 

配置不同模塊,拓展不同應用

加熱電極模塊-溫度可控,可以加速等離子體處理速度和極大提高樣品處理的均勻性

沉積鍍膜模塊,改變表面特性:

沉積CF材料,樣品表面可以具有憎水的特性

沉積含苯材料,樣品表面起到絕緣防水的特性

沉積含有羥基的材料,提高樣品表面和其他材料的結合效果

感應耦合模塊-感應耦合等離子體裝置

 

氣體混合裝置

可以根據(jù)可以要求進行混氣設計

 

氣體純化和反應

氣體純化和使用等離子體與相關材料進行化學反應

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