AP6N090G 60V SOT-89 MOS

深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)AP6N090G 60V SOT-89  MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷

 AP6N090G參數(shù)：60V 2.7A SOT-89  MOS管/場效應(yīng)管， N溝道

富鼎* 代理商

 品牌： 富鼎*APEC
型號：AP6N090G
VDS：60V 
IDS：2.7A 
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
AP6N090G原裝產(chǎn)品,AP6N090G現(xiàn)貨熱銷供應(yīng)。

HN0801可以替代AP6N090G

 HN0801參數(shù)：100V 8A SOT-89  MOS管/場效應(yīng)管， N溝道

HN0801結(jié)合了*的溝槽，低電阻封裝的MOSFET技術(shù)，提供極低的無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)（開）。此設(shè)備非常適合電源切換應(yīng)用和LED背光。

 售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供HN0801樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。

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MOS場效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；

電極 G（Gate） 稱為柵極，相當(dāng)于的基極；

電極 S（Source）稱為源極，相當(dāng)于發(fā)射極。

N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。