NP3415EMR-G -20V -4A MOS管

深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NP3415EMR-G -20V -4A MOS管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷

 NP3415EMR-G  參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應(yīng)管

型號：NP3415EMR-G
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
溝道：P溝道
種類：絕緣柵(MOSFET)
NP3415EMR-G原裝現(xiàn)貨，NP3415EMR-G優(yōu)勢熱銷

HN3415 可以替代NP3415EMR-G

HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應(yīng)管  帶ESD靜電保護

 品牌：HN
型號：HN3415D
主要參數(shù)：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
ESD保護：1500V
HN3415D原裝現(xiàn)貨，HN3415D優(yōu)勢熱銷

 HN3415D廣泛運用于電源，充電頭，控制板，計算機，家電，通訊設(shè)備等產(chǎn)品上。

售后：免費提供樣品，和產(chǎn)品技術(shù)支持。
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HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

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場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較
場效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場效應(yīng)管。
場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。
場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。
場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活