30V P溝道MOS 30V 4.2A HN3401

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 HN3401參數(shù)：-30V -4.2A  SOT23       P溝道 MOS管
品牌：HN
型號(hào)：HN3401
VDS: -30V
IDS: -4.2A
封裝：SOT-23
溝道：N溝道
HN3401為低壓MOS:-30V，P溝道，大電流，小封裝MOS，HN3401實(shí)際電壓可以達(dá)到-30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，
HN3401產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品。
HN3401可以替代：CJ3401，CJ3401A，CJ3407，CJ4459，AP2305AGN，AP2309GN，AP2319GN，AP2309GEN，AP2309AGN，AP3601N，AP3P080N，AP3P090N
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30V P溝道MOS 30V 4.2A HN3401 產(chǎn)品熱銷

N溝道EMOS管外部工作應(yīng)滿足的條件：

1.VDS > 0（漏極和源極之間的電壓必須大于0，保證漏襯PN結(jié)反偏）

2.U接電路低電位或S極（保證源襯PN結(jié)反偏）

3.VGS > 0（形成導(dǎo)電溝道）

總結(jié)：對(duì)于N溝道EMOS管常規(guī)操作方法：S極接電源的負(fù)極是D極的公共端，所以可以在D極上串聯(lián)一個(gè)負(fù)載，負(fù)載的另一端接電源+，而G*電平接通SD端，而低電平斷開(kāi)SD端。P溝道EMOS管與N溝道EMOS管邏輯相反，不同之處在于G極是低電平導(dǎo)通SD端且D極接GND，高電平斷開(kāi)

N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導(dǎo)通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導(dǎo)通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導(dǎo)通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）。

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