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泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀返回列表頁

參考價(jià):￥1000 - ￥1000000 /件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

型號(hào)
4200A-SCS
品牌
泰克
廠商性質(zhì)
代理商
所在地
深圳市

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更新時(shí)間：2024-11-26 07:40:29瀏覽次數(shù)：1079次

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產(chǎn)地類別	進(jìn)口	應(yīng)用領(lǐng)域	電子

泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀

主要性能指標(biāo)

I-V 源測(cè)量單元(SMU)

± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模塊
100 fA測(cè)量分辨率
選配前端放大器提供了 10 aA測(cè)量分辨率
10 mHz - 10 Hz 超低頻率電容測(cè)量
四象限操作
2 線或 4 線連接

C-V 多頻率電容單元(CVU)

AC 阻抗測(cè)量 (C-V, C-f, C-t)
1 kHz - 10 MHz 頻率范圍
± 30 V (60 V差分)內(nèi)置DC偏置源，可以擴(kuò)展到± 210 V(420 V 差分)
選配 CVIV 多通道開關(guān)，在 I-V 測(cè)量和 C-V 測(cè)量之間簡(jiǎn)便切換脈沖式I-V 超快速脈沖測(cè)量單元(PMU)
兩個(gè)獨(dú)立的或同步的高速脈沖 I-V 源和測(cè)量通道
200 MSa/s，5 ns 采樣率
±40 V (80 V p-p)，±800 mA
瞬態(tài)波形捕獲模式
任意波形發(fā)生器 Segment ARB® 模式，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率

高壓脈沖發(fā)生器單元(PGU)

兩個(gè)高速脈沖電壓源通道
±40 V (80 V p-p)，± 800 mA
任意波形發(fā)生器 Segment ARB®模式，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率I-V/C-V 多通道開關(guān)模塊 (CVIV)
在 I-V測(cè)量和 C-V 測(cè)量之間簡(jiǎn)便切換，無需重新布線或抬起探針
把 C-V測(cè)量移動(dòng)到任意端子，無需重新布線或抬起探針遠(yuǎn)程前端放大器/ 開關(guān)模塊(RPM)
在 I-V 測(cè)量、C-V 測(cè)量和超快速脈沖 I-V 測(cè)量之間自動(dòng)切換
把 4225-PMU的電流靈敏度擴(kuò)展到數(shù)十皮安
降低電纜電容效應(yīng)

為材料、半導(dǎo)體器件和工藝開發(fā)提供*秀的參數(shù)分析儀

使用強(qiáng)大的Clarius 軟件，可以更加快速的完成I-V, C-V 和脈沖I-V 測(cè)試，結(jié)果清晰明了

泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀

4200A-SCS 儀器和模塊

型號(hào)	說明	主要測(cè)量	范圍	測(cè)量分辨率
4200-SMU	中等功率源測(cè)量單元	DC I-V 超低頻率 C-V 準(zhǔn)靜態(tài) C-V	±100 mA, ±210 V	0.2 mV, 100 fA
4210-SMU	高功率源測(cè)量單元		±1 A, ±210 V	0.2 mV, 100 fA
4200-PA	遠(yuǎn)程前端放大器模塊		擴(kuò)展所有 SMU 的電流范圍	0.2 mV, 10 aA
			1 kHz - 10 MHz
4210-CVU	電容電壓?jiǎn)卧?/td>	AC 阻抗 C-V, C-f, C-t	±30 V 內(nèi)置DC 偏置裝置(60 V 差分) 使用 SMU 擴(kuò)展直流偏置電壓至	-
			±210V
4200A-CVIV	I-V/C-V 多通道開關(guān)模塊	DC I-V 和 C-V 自動(dòng)切換	-	-
		脈沖式 I-V SegmentARBR® 多電平脈沖瞬態(tài)波形捕獲	±40 V (80 V _p-p), ±800 mA 200 MSa/s 同時(shí)測(cè)量電流和電壓
4225-PMU	超快速脈沖測(cè)量單元		2048 個(gè)唯yi段	75 nA
			20 ns 脈寬僅輸出時(shí)
			60 ns 脈寬輸出同時(shí)測(cè)流時(shí)
4225-RPM	遠(yuǎn)程前段放大器 / 開關(guān)模塊	DC I-V、C-V、脈沖式 I-V 間自動(dòng)切換	擴(kuò)展 4225-PMU 單元的電流范圍	200 pA
4220-PGU	高壓脈沖發(fā)生器單元	脈沖式電壓源 Segment ARB® 多電平脈沖	±40 V (80 V_p-p) 2048 個(gè)唯yi段	-
接地單元	內(nèi)置低噪聲接地單元	-	三同軸連接 : 2.6 A 接線柱 : 9.5 A	-

典型應(yīng)用

MOSFET, BJT 晶體管
材料特性分析
非易失性存儲(chǔ)設(shè)備
電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量
NBTI/PBTI
III-V 族器件
失效分析
納米器件
二極管和pn 聯(lián)結(jié)
太陽能電池
傳感器
MEMS 器件
電化學(xué)
LED 和OLED