合肥科晶 高真空磁控濺射頭 返回列表頁

合肥科晶 高真空磁控濺射頭（ HVMSS-SPC-1-LD 1英寸高真空磁控濺射頭）

產(chǎn)品概述：

HVMSS-SPC-1-LD是一款磁控濺射頭，可安裝直徑為1英寸的靶材?？膳c直流、脈沖直流和射頻電源相匹配，以至于可以濺射各種靶材（如金屬、陶瓷、磁性和非磁性靶材等）。而且高真空的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可提高鍍膜質(zhì)量。

合肥科晶 高真空磁控濺射頭

特點：

· 采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作

· 采用電磁場的有元計算法來設(shè)計永磁體，以得到較高的磁場強度和均強場分布

· 磁體表面涂有一層保護層，以防止冷卻水的腐蝕，延長其使用壽命

· 標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配

· 安裝是采用標準真空接頭，便于操作

· 更換靶材較為簡單，無需調(diào)整濺射頭的高度

配有一塊銅靶

合肥科晶 HVMSS-SPC-1-LD 1英寸高真空磁控濺射頭

濺射頭：

· 濺射頭的直徑:46.3mm

· 所用靶的直徑:1.0 ± 0.02"(25.4mm)

· 靶材的大厚度: 1/8" (3mm)

· 磁環(huán):NdFeB稀土永磁鐵      

桿的直徑:3/4" O.D.

所需功率：

• DC (大) 250 W

• RF（大）100 W

大陰極濺射電流：3A

陰極濺射電流：200-1,000 V

可選壓力范圍：~1 mTorr 至1 Torr

濺射厚度均勻性圖：

· 注意：此圖是采用磁控濺射得的到一個200nm的薄膜，所用靶材為1英寸的銅靶。薄膜是沉積在氧化的硅片上，實驗參數(shù)為：

· 功率：直流150W

· 真空環(huán)境：10mTorr(Ar)

靶材與基片的距離：75mm

水冷卻：

· 所需水流量： 1/2 GPM

· 進水溫度：<20 ℃

水管接頭：0.25" O.D快插頭

接頭：

· 電路連接接頭：標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配

· 本公司會贈送一高真空快速接頭

· 此快速接頭的內(nèi)徑為0.75"，可將濺射頭安裝在真空腔體上，真空腔體上的安裝孔直徑為1英寸，真空腔體的壁厚不得大于1英寸

產(chǎn)品長度：14英寸（355.6mm)

產(chǎn)品重量：1.36kg

傾斜裝置：

· 濺射頭相對于桿大可傾斜+/- 45度

· 傾斜裝置上有刻度線，可觀察到靶頭傾斜的角度

可選配件：

· 循環(huán)水冷機，流量為16L / min ，水箱容積為6L

本公司可提供各種配件可與HVMSS-SPC-1-LD配套，讓客戶自己搭建磁控濺射儀

應(yīng)用：

· 在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜，下面是一些應(yīng)用：

· 薄膜涂覆

· 半導體器件

· 磁記錄介質(zhì)

· 超導薄膜

· 量子計算器件

· MEMS

· 生物傳感器

· 納米技術(shù)

· 超晶格

· 顆粒膜

· 記憶合金

· 組合薄膜沉積

光學薄膜