合肥科晶程序控溫型四坩堝蒸發(fā)鍍膜儀 返回列表頁

合肥科晶程序控溫型四坩堝蒸發(fā)鍍膜儀   GSL-1700X-EV4

產(chǎn)品概述：

GSL-1700X-EV4是一款小型溫控型蒸發(fā)鍍膜儀，內(nèi)部設(shè)有4個蒸發(fā)坩堝，且每個蒸發(fā)坩堝都帶有擋板，多可放置4種不同的蒸發(fā)物料，可在同一氣氛下依次鍍膜，實現(xiàn)多層膜的沉積工藝?？沙绦蚩販?，控溫范圍200-1500℃（選用B型熱電偶：1200℃-1700℃），樣品臺可旋轉(zhuǎn)以獲得更均勻的薄膜，可制備各種金屬薄膜和有機物薄膜。

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：

• 石英真空腔體：280mm OD×260mm ID×310mm H，易清洗和放入樣品

• 安裝有一個2英寸的樣品臺，并且樣品臺可以旋轉(zhuǎn)，使所制薄膜達(dá)到更好的均勻性

• 采用鎢絲籃作為發(fā)熱源，高溫度可達(dá)到1700℃，并且配用氧化鋁舟，可裝入樣品（僅1600℃以下使用，若蒸發(fā)溫度大于1600℃，樣品應(yīng)直接放在鎢絲籃中）

• 精確控溫：可設(shè)置30段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃

• 真空度：10-5Torr(如采用分子泵系統(tǒng))

• 進(jìn)氣系統(tǒng)可實現(xiàn)腔體的清洗和反應(yīng)蒸發(fā)鍍膜

合肥科晶程序控溫型四坩堝蒸發(fā)鍍膜儀

工作電源：

• 電壓：AC220V，50/60Hz，單相

• 功率：1200W，大電流為30A

• 4蒸發(fā)坩堝，每個容積為3mL。四坩堝可依次進(jìn)行蒸發(fā)，實現(xiàn)多層膜沉積工藝（不能同時蒸發(fā)）

• 采用鎢絲籃作為發(fā)熱源，并且配有的氧化鋁坩堝，熱電偶安裝在坩堝底部，以便于溫度測量和控制

• 標(biāo)準(zhǔn)采用S型熱偶：工作溫度為200℃-1500℃

• 可選B型熱電偶：工作溫度為1200℃-1700℃

• 安裝有一個數(shù)顯的溫度控制器：可設(shè)置30段升降溫程序，控溫精度為+/- 1oC

• 也可將儀器轉(zhuǎn)換到手動調(diào)節(jié)接狀態(tài)，內(nèi)部不安裝熱電偶，直接采用手動調(diào)節(jié)輸出電流大小，發(fā)熱源溫度可高達(dá)2000℃，可實現(xiàn)對樣品鍍碳等實驗

• 儀器中配備4個蒸發(fā)坩堝，每個坩堝均配有2個鎢絲藍(lán)加熱元件

樣品臺：

• 儀器頂部安裝有樣品臺，直徑為Φ50mm

• 樣品臺可旋轉(zhuǎn)

• 樣品臺和蒸發(fā)源之間的距離可以調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為：40mm-85mm

樣品厚度監(jiān)測（可選）：

• 腔室內(nèi)可安裝精密的薄膜測厚儀，可點擊圖1&圖2查看詳情。測厚精度可達(dá)0.10 ?。測厚儀LED顯示可實現(xiàn)：根據(jù)數(shù)據(jù)庫，輸入涂層信息；顯示鍍膜總厚度以及鍍膜速度；可選購反射光譜薄膜測厚儀--TFMS-LD，用于薄膜厚度的檢測

真空系統(tǒng)（選配）：

設(shè)備上有一KF25接口用于連接真空泵

• 高真空度可達(dá)4.0E-6 Torr（采用渦旋分子泵）

• 雙極旋片真空泵或干泵，可使儀器真空腔體的真空度達(dá)到10-2Torr

• 真空度達(dá)到10-2torr時，可蒸發(fā)一些貴金屬，如金和鉑，也可蒸發(fā)一些有機材料，可選購數(shù)顯防腐真空計PCG-554(測量范圍3.8x10-5 to 1125 Torr.)

• 高真空度可達(dá)4.0E-6 Torr（采用渦旋分子泵），此時可蒸發(fā)對氧敏感的材料，如Al. Mg, Li，分子泵上帶有復(fù)合真空計（可測量真空度為1.0E-7Torr）

• 可在本公司選購各種真空泵和真空計

進(jìn)氣口：

• 進(jìn)氣接口為1/4NPS，可向真空腔體中通入惰性氣體，對腔體進(jìn)行清洗，也可通入反應(yīng)氣體，進(jìn)行反應(yīng)蒸發(fā)鍍膜

• 進(jìn)氣口安裝有一針閥，用于調(diào)節(jié)進(jìn)氣流量

耗材：氧化鋁坩堝以及鎢絲藍(lán)

產(chǎn)品尺寸：

• 總體尺寸：550mm L×550mm W×750mm H

• 石英腔體尺寸：280mm OD×260mm ID×310mm H

質(zhì)量認(rèn)證：CE認(rèn)證

產(chǎn)品質(zhì)量：80kg

應(yīng)用注意事項：

• 為了獲得高真空度，可采用以下做法
  （1）使用前要檢查密封圈和法蘭上是否有異物或劃痕，并用酒精擦洗
  （2）抽真空時，用外部加熱裝置將腔體烘烤到200℃，氧化鋁坩堝預(yù)加熱到500℃，保持2小時

• 使用溫度高于1300℃時，保溫時間不可大于1小時，否則會損壞密封圈

• 當(dāng)腔體的各閥門關(guān)閉時，請勿開啟升溫程序或手動調(diào)節(jié)電流進(jìn)行加熱

• 當(dāng)儀器正在蒸發(fā)材料時，不可打開泄氣閥或關(guān)閉真空泵，只有當(dāng)加熱溫度降至100℃時，才可放氣或關(guān)閉真空泵