您好, 歡迎來(lái)到化工儀器網(wǎng)
| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,電子,航天,電氣 |
|---|
通過(guò)實(shí)驗(yàn)動(dòng)手操作，加深對(duì)半導(dǎo)體物理理論知識(shí)的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
國(guó)產(chǎn)源表搭建集成電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái)目的
通過(guò)實(shí)驗(yàn)動(dòng)手操作，加深對(duì)半導(dǎo)體物理理論知識(shí)的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。
本科生集成電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái)實(shí)驗(yàn)?zāi)夸?/strong>
實(shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)二：四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)三： MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)六：太陽(yáng)能電池的特性表征實(shí)驗(yàn)
本科生集成電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái)優(yōu)勢(shì)
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實(shí)驗(yàn)中微電子器件和材料測(cè)試需求
測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)單易用，專業(yè)權(quán)W，方便學(xué)生動(dòng)手操作
核心設(shè)備測(cè)試精度高，滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求
測(cè)試軟件功能齊全，平臺(tái)化設(shè)計(jì)，有專人維護(hù)支持，與專業(yè)測(cè)試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺(tái)為起點(diǎn)，可逐步升級(jí)，滿足日益增加的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試需求
本科生集成電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái)基本功能
實(shí)驗(yàn)名稱 | 測(cè)試參數(shù) |
金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的 IV 特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) | l 輸出特性曲線 l 轉(zhuǎn)移特性曲線 l 跨導(dǎo) gm l 擊穿電壓 BVDS l |
四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)
| l 四探針?lè)娮杪?rho; l 材料阻值 R |
MOS 電容的 CV 特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)（低頻 + 高頻） | l CV 特性曲線 |
半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn) | l 霍爾電壓 VH l 霍爾電阻率ρ l 霍爾系數(shù) RH l 載流子濃度 n l 霍爾遷移率 u |
激光二極管 LD 的 LIV 特性測(cè)試
| l LIV 特性曲線 l 閾值電流 Ith l 閾值電流對(duì)應(yīng)電壓值 Vth l 拐點(diǎn) Kink l 線性電阻 Rs |
太陽(yáng)能電池的特性表征
| l 開路電壓 Voc l 短路電流 Isc l 功率最大值 Pmax l 填充因子 FF l 轉(zhuǎn)換效率η l 串聯(lián)電阻 Rs l 旁路電阻 Rsh |
本科生集成電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái)核心
測(cè)試平臺(tái)的核心– 源測(cè)量單元（源表， SMU）
普賽斯國(guó)產(chǎn)源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測(cè)試功能
小信號(hào)測(cè)試
滿足*器件和材料測(cè)試需求
交流測(cè)試使用LCR表
探針臺(tái)：4寸或6寸手動(dòng)探針臺(tái)
有關(guān)國(guó)產(chǎn)源表搭建集成電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的更多信息找普賽斯儀表銷售專員為您解答
